1N6620US通1N6625US
无空隙， HERMETICALLYSEALED
表面装载超快速
回收玻璃整流器
斯科茨代尔区划
描述
这种“超快恢复”整流二极管系列军用符合MIL - PRF-
五百八十五分之一万九千五百，是理想的高可靠性应用中发生故障不能
耐受性。这些行业公认的1.5 2.0安培额定整流器的工作
从200至1000伏的峰值反向电压被气密密封voidless-
使用内部的“ I类”的冶金结合的玻璃建筑。这些设备
也是在轴向引线封装的通孔安装（参见单独的
数据表1N6620 1N6625直通） 。 Microsemi的还提供了许多其他整流器
产品，以满足更高和更低的电流额定值与各种恢复时间速度
要求，包括标准，快速和超快的设备类型在两个通孔
和表面贴装封装。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
套餐“A”
或D -5A
特点
表面贴装系列等同于JEDEC
注册1N6620 1N6625到系列
无空隙密封的玻璃封装
极其坚固的结构
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
JAN ， JANTX ，并JANTXV可以按MIL - PRF-
19500/585
按照MIL-筛选更多选项
PRF- 19500的JANS用“ MSP ”前缀，如
MSP6620US ， MSP6624US等。
轴向引线当量也可（参见单独的
数据表1N6620 1N6625直通）
应用/优势
超快恢复整流器系列200 1000 V
军事和其它高可靠性应用
开关电源或其他应用程序
需要极快的开关&低正向
损失
高正向浪涌电流能力
低热阻
控制雪崩峰值反向功率
能力
天生辐射硬
在Microsemi的描述
MicroNote 050
最大额定值
结温： -65
o
C至+175
o
C
存储温度： -65
o
C至+175
o
C
o
峰值正向浪涌电流@ 25℃ ： 20安培（除
1N6625其中15安培）
注：测试脉冲= 8.3毫秒，半正弦波。
正向平均整流电流（I
O
）在T
EC
=+110
o
C:
1N6620 1N6622直通： 2.0安培
1N6623 1N6625直通： 1.5安培
（线性降容1.5 ％ /
o
对于T
EC
> 110
o
C)
o
正向平均整流电流（I
O
）在T
A
=25 C:
1N6620 1N6622直通： 1.2安培
1N6623 1N6625直通： 1.0安培
（线性降容在0.67 ％ /
o
对于T
A
>+25
o
C.这是我
O
评级是典型的PC板，其中热阻
从安装点到环境的充分控制
其中T
J（下最大）
不超标。 ）
热阻结到封端（R
JEC
): 20
o
C / W
电容V
R
= 10 V ： 10 pF的
o
焊锡温度： 260℃ 10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封无空隙硬质玻璃
钨蛞蝓
端子的：端盖固银（Ag ）
与锡/铅（Sn / Pb）的光洁度
只有阴极乐队：标记
极性：负极指示的带
磁带&卷轴选项：每个标准EIA- 481 -B
重量： 193毫克
请参阅封装尺寸，并建议垫
最后一页布局
1N6620US - 1N6625US
版权
2005
2005年6月19日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N6620US通1N6625US
无空隙， HERMETICALLYSEALED
表面装载超快速
回收玻璃整流器
斯科茨代尔区划
电气特性@ 25
o
C
TYPE
数
WWW .
Microsemi的
.C
OM
最低
突破性
下
电压
V
R
I
R
= 50μA
最大
前锋
电压
V
F
@ I
F
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
最大
反向
电流I
R
@
V
RWM
I
R
T
A
=25
o
（C T）
A
=150
o
C
最大
反向
恢复
TIME （ LOW
电流）
注1
最大
反向
恢复
TIME （高
电流）
注2
t
rr
t
rr
PEAK
恢复
当前
I
RM
（ REC ）
I
F
= 2A,
100A/μs
注2
前锋
恢复
电压
V
FRM
最大
I
F
= 0.5A
t
fr
=12ns
1N6620
1N6621
1N6622
1N6623
1N6624
1N6625
V
220
440
660
880
990
1100
V @阿
1.40V @ 1.2A
1.40V @ 1.2A
1.40V @ 1.2A
1.55V @ 1.0A
1.55V @ 1.0A
1.75V @ 1.0A
V @阿
1.60V @ 2.0A
1.60V @ 2.0A
1.60V @ 2.0A
1.80V @ 1.5A
1.80V @ 1.5A
1.95V @ 1.5A
V
200
400
600
800
900
1000
μA
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1.0
μA
150
150
150
150
150
200
ns
30
30
30
50
50
60
ns
45
45
45
60
60
80
A
3.5
3.5
3.5
4.2
4.2
5.0
V
12
12
12
18
18
30
注1 ：低电流反向恢复时间测试条件：我
F
= 0.5A ，我
RM
= 1.0A ，我
R（ REC ）
=每MIL -STD- 750 0.25A ，
方法4031 ，条件B.
注2 ：高电流反向恢复时间测试条件：我
F
= 2 A， di / dt的= 100 A / μs的MIL- STD- 750，方法4031 ，
条件D.
符号定义&
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流。
工作峰值反向电压：可应用在工作的最大峰值电压
温度范围。
最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流。
最大反向电流：最大反向（漏）电流将流在指定的电压和
温度。
电容：在瞬态的定义@ 0伏以1MHz的频率和所表示的静电电容
皮法。
反向恢复时间：瞬间的电流之间的时间间隔通过零点时
峰值后，从向前方向转换到相反的方向，并在指定的恢复衰退点
反向电流为止。
符号
V
BR
V
RWM
V
F
I
R
C
t
rr
图表和图形
1N6620US - 1N6625US
图1
典型正向电流
vs
正向电压
版权
2005
2005年6月19日REV B
图2
典型正向电流
vs
正向电压
Microsemi的
斯科茨代尔区划
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第2页
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无空隙， HERMETICALLYSEALED
表面装载超快速
回收玻璃整流器
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
科幻gure 3
典型的反向电流 -
外加反向电压
图4
典型的反向电流 -
外加反向电压
1N6620US - 1N6625US
图5
正向脉冲电流与
脉冲持续时间
图6
反向脉冲功率与
脉冲持续时间
版权
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1N6620US通1N6625US
无空隙， HERMETICALLYSEALED
表面装载超快速
回收玻璃整流器
斯科茨代尔区划
包装尺寸
WWW .
Microsemi的
.C
OM
注：此封装外形也有以前
被确定为“D -5A ”
英寸
民
BD
BL
ECT
S
.097
.185
.019
.003
最大
.103
.200
.028
---
民
2.46
4.70
0.48
0.08
mm
最大
2.62
5.08
0.71
---
A
B
C
焊盘布局
英寸
0.246
0.067
0.105
mm
6.25
1.70
2.67
注意：如果需要安装胶粘剂
从焊料中分离出来，一个附加
0.060英寸直径的接触可以是
放置在焊盘之间的中心
作为水泥的可选点。
1N6620US - 1N6625US
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第4页
SENSITRON
半导体
技术参数
数据表5090 ， REV 。一
超快恢复整流器
全封闭，无腔体的玻璃封装
冶金结合
o
o
工作和存储温度： -65℃至+175
SS6620 ， U，美通SS6625 ， U，美国
MAX 。额定值/电气特性
等级
工作峰值反向电压
1N6620 ， U，美国
1N6621 ， U，美国
1N6622 ， U，美国
1N6623 ， U，美国
1N6624 ， U，美国
1N6625 ， U，美国
平均正向电流整流
1N6620 ， U，美通1N6622 ， U，美国
1N6623 ， U，美通1N6625 ， U，美国
峰值正向浪涌电流
1N6620 ， U，美通1N6624 ， U，美国
1N6625 ， U，美国
最大反向电流
1N6620 ， U，美通1N6624 ， U，美国
1N6625 ， U，美国
最大反向电流
1N6620 ， U，美通1N6624 ， U，美国
1N6625 ， U，美国
MAX 。峰值正向电压（脉冲）
1N6620 ， U，美通1N6622 ， U，美国
1N6623 ， U，美国& 1N6624 ， U，美国
1N6625 ， U，美国
峰值恢复电流
1N6620 ， U，美通1N6622 ， U，美国
1N6623 ， U，美国& 1N6624 ， U，美国
1N6625 ， U，美国
最大反向恢复时间
1N6620 ， U，美通1N6622 ， U，美国
1N6623 ， U，美国& 1N6624 ， U，美国
1N6625 ， U，美国
正向恢复电压
1N6620 ， U，美通1N6622 ， U，美国
1N6623 ， U，美国& 1N6624 ， U，美国
1N6625 ， U，美国
热阻（轴向）
1N6620 1N6625直通
热阻（ MELF ）
1N6620U ，美通1N6625U ，美国
o
所有评级ARE AT＆T
A
= 25℃ ，除非另有
指定的。
符号
条件
最大
200
400
600
800
900
1000
1.2
1.0
单位
V
RWM
伏
I
o
安培
I
FSM
T
p
=8.3ms
20
15
0.5
1.0
150
200
1.60
1.80
1.95
3.5
4.2
5.0
30
50
60
12
18
30
38
A（ PK）
I
R
@ V
RWM
T
j
= 25
o
C
T
j
= 150
o
C
μAMPS
μAMPS
I
R
@ V
RWM
V
FM
I
F
=2.0A
I
F
=1.5μA
I
F
=1.5μA
I
F
=2A,
100A/μ
伏
I
RM
A（ PK）
T
rr
I
F
=0.5A
I
RM
=1.0A
ns
V
FRM
I
F
=0.5A
t
r
=12ns
L=.375
L=0
伏
Rθ
JL
Rθ
JC
o
C / W
C / W
o
20
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586 7600传真：（ 631 ） 242 9798
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SENSITRON
半导体
技术参数
数据表5090 ， REV 。一
SS6620 ， U，美通SS6625 ， U，美国
外形尺寸（英寸） / （毫米）
轴向
MELF
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半导体
技术参数
数据表5090 ， REV 。一
SS6620 ， U，美通SS6625 ， U，美国
免责声明：
1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知
提高产品的性能。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售
部门数据表（S ）的最新版本。
2 - 在需要极高可靠性的情况下（如核电控制，航空航天，交通用
设备，医疗设备和安全设备），安全性应该通过使用半导体装置来确保
功能保证安全，或借助于用户的“故障 - 安全注意事项或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或其他原因的责任
该用户的单元操作过程中，根据所述数据表（多个） 。 Sensitron半导体公司不承担任何责任
任何知识产权索赔或任何其他问题可能导致的信息，产品或电路的应用程序
在数据表中所述。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或任何二次伤害承担责任
从使用而造成的价值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，未经书面表达
Sensitron半导体公司的许可。
7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在其
应用程序会妨碍维护国际和平与安全也不是由他们直接应用于该用途
购买者或任何第三方。在出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取的
根据有关法律法规。
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SENSITRON
半导体
技术参数
数据表5089 ， REV 。一
超快恢复整流器
全封闭，无腔体的玻璃封装
冶金结合
o
o
工作和存储温度： -65℃至+175
1N6620 ， U，美通1N6625 ， U，美国
SJ
SX
SV
MAX 。额定值/电气特性
等级
工作峰值反向电压
1N6620 ， U，美国
1N6621 ， U，美国
1N6622 ， U，美国
1N6623 ， U，美国
1N6624 ， U，美国
1N6625 ， U，美国
平均正向电流整流
1N6620 ， U，美通1N6622 ， U，美国
1N6623 ， U，美通1N6625 ， U，美国
峰值正向浪涌电流
1N6620 ， U，美通1N6624 ， U，美国
1N6625 ， U，美国
最大反向电流
1N6620 ， U，美通1N6624 ， U，美国
1N6625 ， U，美国
最大反向电流
1N6620 ， U，美通1N6624 ， U，美国
1N6625 ， U，美国
MAX 。峰值正向电压（脉冲）
1N6620 ， U，美通1N6622 ， U，美国
1N6623 ， U，美国& 1N6624 ， U，美国
1N6625 ， U，美国
峰值恢复电流
1N6620 ， U，美通1N6622 ， U，美国
1N6623 ， U，美国& 1N6624 ， U，美国
1N6625 ， U，美国
最大反向恢复时间
1N6620 ， U，美通1N6622 ， U，美国
1N6623 ， U，美国& 1N6624 ， U，美国
1N6625 ， U，美国
正向恢复电压
1N6620 ， U，美通1N6622 ， U，美国
1N6623 ， U，美国& 1N6624 ， U，美国
1N6625 ， U，美国
热阻（轴向）
1N6620 1N6625直通
热阻（ MELF ）
1N6620U ，美通1N6625U ，美国
o
所有评级ARE AT＆T
A
= 25℃ ，除非另有
指定的。
符号
条件
最大
200
400
600
800
900
1000
1.2
1.0
单位
V
RWM
伏
I
o
安培
I
FSM
T
p
=8.3ms
20
15
0.5
1.0
150
200
1.60
1.80
1.95
3.5
4.2
5.0
30
50
60
12
18
30
38
A（ PK）
I
R
@ V
RWM
T
j
= 25
o
C
T
j
= 150
o
C
μAMPS
μAMPS
I
R
@ V
RWM
V
FM
I
F
=2.0A
I
F
=1.5μA
I
F
=1.5μA
I
F
=2A,
100A/μ
伏
I
RM
A（ PK）
T
rr
I
F
=0.5A
I
RM
=1.0A
ns
V
FRM
I
F
=0.5A
t
r
=12ns
L=.375
L=0
伏
Rθ
JL
Rθ
JC
o
C / W
C / W
o
20
221西工业苑
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半导体
技术参数
数据表5089 ， REV 。一
1N6620 ， U，美通1N6625 ， U，美国
外形尺寸（英寸） / （毫米）
轴向
MELF
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586 7600传真：（ 631 ） 242 9798
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数据表5089 ， REV 。一
1N6620 ， U，美通1N6625 ， U，美国
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2 - 在需要极高可靠性的情况下（如核电控制，航空航天，交通用
设备，医疗设备和安全设备），安全性应该通过使用半导体装置来确保
功能保证安全，或借助于用户的“故障 - 安全注意事项或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或其他原因的责任
该用户的单元操作过程中，根据所述数据表（多个） 。 Sensitron半导体公司不承担任何责任
任何知识产权索赔或任何其他问题可能导致的信息，产品或电路的应用程序
在数据表中所述。
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从使用而造成的价值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，未经书面表达
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1N6620 1N6625直通
功率分立器件
电气规格
符号
正向电压降最大。
@ I
F
, T
j
= 25°C
反向电流最大。
@ V
RWM
， TJ = 25°C
@ V
RWM
， TJ = 150℃
反向恢复时间最多。
我0.5A
F
到1.0A我
RM
恢复到0.25A我
RM （ REC ）
结电容（典型值） 。
@ V
R
= 10V ， F = 1MHz的
热特性
1N 6620
1N 6621
1N 6622
1N 6623
1N 6624
1N 6625
单位
V
F
I
R
I
R
t
rr
Cj
1.6 @ I
F
= 2A 1.6 @我
F
= 2A 1.6 @我
F
= 2A 1.8 @我
F
= 1.5A 1.8 @我
F
= 1.5A 1.95 @我
F
= 1.5A
0.5
150
30
0.5
150
30
0.5
150
30
10
0.5
150
50
0.5
150
50
1.0
200
60
V
A
ns
pF
符号
热阻，结到铅
导线长度= 0.375"
导线长度= 0.0"
1N 6620 1N 6621 1N 6622 1N 6623 1N 6624
1N 6625
单位
R
θ
JL
R
θ
JL
38
° C / W
2009年升特公司
2
www.semtech.com
1N6620 1N6625直通
功率分立器件
订购信息
产品型号
1N6620
1N6621
1N6622
1N6623
1N6624
1N6625
描述
轴向引线密封式
(1)
注意：
（ 1 ）适用于散装和磁带和卷轴包装。请
咨询工厂的数量。
外形绘图
G4
尺寸
英寸
暗淡
A
B
C
D
E
N
MILLIMETERS
民
1.65
17.78
3.18
-
0.69
最大
2.16
33.02
6.35
0.8
0.81
记
民
0.065
0.7
0.125
-
0.027
最大
0.085
1.3
0.25
0.03
0.032
-
-
-
1
-
注意：
（ 1 ）铅直径不受控制了这一地区。
联系信息
升特公司
功率分立产品部
200弗林路，卡马里奥，CA 93012
电话： (805)498-2111 FAX (805)498-3804
2009年升特公司
3
www.semtech.com
1N6620US通1N6625US
无空隙， HERMETICALLYSEALED
表面装载超快速
回收玻璃整流器
斯科茨代尔区划
描述
这种“超快恢复”整流二极管系列军用符合MIL - PRF-
五百八十五分之一万九千五百，是理想的高可靠性应用中发生故障不能
耐受性。这些行业公认的1.5 2.0安培额定整流器的工作
从200至1000伏的峰值反向电压被气密密封voidless-
使用内部的“ I类”的冶金结合的玻璃建筑。这些设备
也是在轴向引线封装的通孔安装（参见单独的
数据表1N6620 1N6625直通） 。 Microsemi的还提供了许多其他整流器
产品，以满足更高和更低的电流额定值与各种恢复时间速度
要求，包括标准，快速和超快的设备类型在两个通孔
和表面贴装封装。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
套餐“A”
或D -5A
特点
表面贴装系列等同于JEDEC
注册1N6620 1N6625到系列
无空隙密封的玻璃封装
极其坚固的结构
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
JAN ， JANTX ，并JANTXV可以按MIL - PRF-
19500/585
按照MIL-筛选更多选项
PRF- 19500为JANS用的“SP ”前缀，例如
SP6620US ， SP6624US等。
轴向引线当量也可（参见单独的
数据表1N6620 1N6625直通）
应用/优势
超快恢复整流器系列200 1000 V
军事和其它高可靠性应用
开关电源或其他应用程序
需要极快的开关&低正向
损失
高正向浪涌电流能力
低热阻
控制雪崩峰值反向功率
能力
天生辐射硬
在Microsemi的描述
MicroNote 050
最大额定值
结温： -65
o
C至+150
o
C
存储温度： -65
o
C至+175
o
C
o
峰值正向浪涌电流@ 25℃ ： 20安培（除
1N6625其中15安培）
注：测试脉冲= 8.3毫秒，半正弦波。
正向平均整流电流（I
O
）在T
EC
=+110
o
C:
1N6620 1N6622直通： 2.0安培
1N6623 1N6625直通： 1.5安培
（线性降容1.5 ％ /
o
对于T
EC
> 110
o
C)
o
正向平均整流电流（I
O
）在T
A
=25 C:
1N6620 1N6622直通： 1.2安培
1N6623 1N6625直通： 1.0安培
（线性降容在0.67 ％ /
o
对于T
A
>+25
o
C.这是我
O
评级是典型的PC板，其中热阻
从安装点到环境的充分控制
其中T
J（下最大）
不超标。 ）
热阻结到封端（R
JEC
): 13
o
C / W
电容V
R
= 10 V ： 10 pF的
o
焊锡温度： 260℃ 10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封无空隙硬质玻璃
钨蛞蝓
端子的：端盖与铜
锡/铅（Sn / Pb）的表面。注：以前的库存
有实心银端盖与锡/铅电镀。
只有阴极乐队：标记
极性：负极指示的带
磁带&卷轴选项：每个标准EIA- 481 -B
重量： 193毫克
请参阅封装尺寸，并建议垫
最后一页布局
1N6620US - 1N6625US
版权
2009
2009年10月6日REV ê ; SD52A.pdf
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N6620US通1N6625US
无空隙， HERMETICALLYSEALED
表面装载超快速
回收玻璃整流器
斯科茨代尔区划
电气特性@ 25
o
C
TYPE
数
WWW .
Microsemi的
.C
OM
最低
突破性
下
电压
V
R
I
R
= 50μA
最大
前锋
电压
V
F
@ I
F
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
最大
反向
电流I
R
@
V
RWM
I
R
T
A
=25
o
（C T）
A
=150
o
C
最大
反向
恢复
TIME （ LOW
电流）
注1
最大
反向
恢复
TIME （高
电流）
注2
t
rr
t
rr
PEAK
恢复
当前
I
RM
（ REC ）
I
F
= 2A,
100A/μs
注2
前锋
恢复
电压
V
FRM
最大
I
F
= 0.5A
t
fr
=12ns
1N6620
1N6621
1N6622
1N6623
1N6624
1N6625
V
220
440
660
880
990
1100
V @阿
1.40V @ 1.2A
1.40V @ 1.2A
1.40V @ 1.2A
1.55V @ 1.0A
1.55V @ 1.0A
1.75V @ 1.0A
V @阿
1.60V @ 2.0A
1.60V @ 2.0A
1.60V @ 2.0A
1.80V @ 1.5A
1.80V @ 1.5A
1.95V @ 1.5A
V
200
400
600
800
900
1000
μA
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1.0
μA
150
150
150
150
150
200
ns
30
30
30
50
50
60
ns
45
45
45
60
60
80
A
3.5
3.5
3.5
4.2
4.2
5.0
V
12
12
12
18
18
30
注1 ：低电流反向恢复时间测试条件：我
F
= 0.5A ，我
RM
= 1.0A ，我
R（ REC ）
=每MIL -STD- 750 0.25A ，
方法4031 ，条件B.
注2 ：高电流反向恢复时间测试条件：我
F
= 2 A， di / dt的= 100 A / μs的MIL- STD- 750，方法4031 ，
条件D.
符号定义&
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流。
工作峰值反向电压：可应用在工作的最大峰值电压
温度范围。
最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流。
最大反向电流：最大反向（漏）电流将流在指定的电压和
温度。
电容：在瞬态的定义@ 0伏以1MHz的频率和所表示的静电电容
皮法。
反向恢复时间：瞬间的电流之间的时间间隔通过零点时
峰值后，从向前方向转换到相反的方向，并在指定的恢复衰退点
反向电流为止。
符号
V
BR
V
RWM
V
F
I
R
C
t
rr
图表和图形
1N6620US - 1N6625US
图1
典型正向电流
vs
正向电压
版权
2009
2009年10月6日REV ê ; SD52A.pdf
图2
典型正向电流
vs
正向电压
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
1N6620US通1N6625US
无空隙， HERMETICALLYSEALED
表面装载超快速
回收玻璃整流器
斯科茨代尔区划
I
FSM
- 正向脉冲电流 - （ A）
P
R
- 反向脉冲功率 - （ W）
WWW .
Microsemi的
.C
OM
科幻gure 3
典型的反向电流 -
外加反向电压
图4
典型的反向电流 -
外加反向电压
I
FSM
- 正向脉冲电流 - （ A）
P
R
- 反向脉冲功率 - （ W）
1N6620US - 1N6625US
脉冲持续时间
脉冲持续时间
图5
正向脉冲电流与
脉冲持续时间
图6
反向脉冲功率与
脉冲持续时间
版权
2009
2009年10月6日REV ê ; SD52A.pdf
Microsemi的
斯科茨代尔区划
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第3页
1N6620US通1N6625US
无空隙， HERMETICALLYSEALED
表面装载超快速
回收玻璃整流器
斯科茨代尔区划
包装尺寸
WWW .
Microsemi的
.C
OM
注：此封装外形也有以前
被确定为“D -5A ”
英寸
民
BD
BL
ECT
S
.097
.185
.019
.003
最大
.103
.200
.028
---
民
2.46
4.70
0.48
0.08
mm
最大
2.62
5.08
0.71
---
A
B
C
焊盘布局
英寸
0.246
0.067
0.105
mm
6.25
1.70
2.67
注意：如果需要安装胶粘剂
从焊料中分离出来，一个附加
0.060英寸直径的接触可以是
放置在焊盘之间的中心
作为水泥的可选点。
1N6620US - 1N6625US
版权
2009
2009年10月6日REV ê ; SD52A.pdf
Microsemi的
斯科茨代尔区划
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1N6620 1N6625直通
无空隙气密式
超快速恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
描述
这种“超快恢复”整流二极管系列军用符合MIL - PRF-
五百八十五分之一万九千五百，是理想的高可靠性应用中发生故障不能
耐受性。这些行业公认的1.5 2.0安培额定整流器的工作
从200至1000伏的峰值反向电压被气密密封voidless-
使用内部的“ I类”的冶金结合的玻璃建筑。这些设备
也是表面贴装MELF封装配置添加一个“美”
后缀（见通1N6625US单独的数据表1N6620US ） 。 Microsemi的还
提供了许多其他整流器产品，以满足更高和更低的电流额定值
与各种恢复时间速度的要求，包括标准，快速和超快
在这两个通孔和表面的设备类型贴装封装。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
套餐“A”
轴向
特点
热门JEDEC注册1N6620 1N6625到系列
无空隙密封的玻璃封装
极其坚固的结构
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
JAN ， JANTX ，并JANTXV可以按MIL - PRF-
19500/585
按照筛选更多选项
MIL-PRF- 19500为JANS通过使用“ MSP ”前缀
例如MSP6620 ， MSP6624 ，等等。
表面还可以在一个广场安装当量
端盖与“美”的后缀MELF配置（请参阅
单独的数据表1N6620US直通1N6625US ）
应用/优势
超快恢复整流器系列200 1000 V
军事和其它高可靠性应用
开关电源或其他应用程序
需要极快的开关&低正向
损失
高正向浪涌电流能力
低热阻
控制雪崩峰值反向功率
能力
天生辐射硬
在Microsemi的描述
MicroNote 050
最大额定值
结温： -65
o
C至+175
o
C
存储温度： -65
o
C至+175
o
C
峰值正向浪涌电流@ 25
o
C： 20安培
（除1N6625这15安培）
注：测试脉冲= 8.3毫秒，半正弦波。
正向平均整流电流（I
O
）在T
L
= +55
o
C
（L = 0.375英寸从主体） ：
1N6620 1N6622直通： 2.0安培
1N6623 1N6625直通： 1.5安培
（线性降容在0.833 ％ /
o
对于T
L
> +55
o
C)
正向平均整流电流（I
O
）在T
A
=25
o
C:
1N6620 1N6622直通： 1.2安培
1N6623 1N6625直通： 1.0安培
（线性降容在0.67 ％ /
o
对于T
A
>+25
o
C.这是我
O
评级是典型的PC板，其中热
从安装点抵抗周围环境是
充分控制，其中T
J（下最大）
不超标。 ）
热电阻L = 0.375英寸（R
θ
JL
): 38
o
C / W
电容V
R
= 10 V ： 10 pF的
焊锡温度： 260
o
下10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封无空隙硬质玻璃
钨蛞蝓
终端负载：轴向引线是用铜
锡/铅（Sn / Pb）的光洁度
标志：车身油漆和零件号等
极性：负极指示的带
磁带&卷轴选项：每标准EIA -296
重量： 340毫克
请参阅最后一页的封装尺寸
1N6620 1N6625直通
6620直通1N6625
版权
2004
2004年12月3日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N6620 1N6625直通
无空隙气密式
超快速恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
电气特性@ 25
o
C
TYPE
数
WWW .
Microsemi的
.C
OM
最低
突破性
下
电压
V
R
I
R
= 50A
最大
前锋
电压
V
F
@ I
F
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
最大
反向
电流I
R
@
V
RWM
I
R
T
A
=25
o
（C T）
A
=150
o
C
最大
反向
恢复
TIME （ LOW
电流）
注1
最大
反向
恢复
TIME （高
电流）
注2
t
rr
t
rr
PEAK
恢复
当前
I
RM
（ REC ）
I
F
= 2A,
100A/s
注2
前锋
恢复
电压
V
FRM
最大
I
F
= 0.5A
t
fr
=12ns
1N6620
1N6621
1N6622
1N6623
1N6624
1N6625
V
220
440
660
880
990
1100
V @阿
1.40V @ 1.2A
1.40V @ 1.2A
1.40V @ 1.2A
1.55V @ 1.0A
1.55V @ 1.0A
1.75V @ 1.0A
V @阿
1.60V @ 2.0A
1.60V @ 2.0A
1.60V @ 2.0A
1.80V @ 1.5A
1.80V @ 1.5A
1.95V @ 1.5A
V
200
400
600
800
900
1000
A
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1.0
A
150
150
150
150
150
200
ns
30
30
30
50
50
60
ns
45
45
45
60
60
80
A
3.5
3.5
3.5
4.2
4.2
5.0
V
12
12
12
18
18
30
注1 ：低电流反向恢复时间测试条件：我
F
= 0.5A ，我
RM
= 1.0A ，我
R（ REC ）
=每MIL -STD- 750 0.25A ，
方法4031 ，条件B.
注2 ：高电流反向恢复时间测试条件：我
F
= 2 A， di / dt的= 100 A / μs的MIL- STD- 750，方法4031 ，
条件D.
符号
V
BR
V
RWM
V
F
I
R
C
t
rr
符号定义&
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流。
工作峰值反向电压：可应用在工作的最大峰值电压
温度范围。
最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流。
最大反向电流：最大反向（漏）电流将流在指定的电压和
温度。
电容：在瞬态的定义@ 0伏以1MHz的频率和所表示的静电电容
皮法。
反向恢复时间：瞬间的电流之间的时间间隔通过零点时
峰值后，从向前方向转换到相反的方向，并在指定的恢复衰退点
反向电流为止。
图表和图形
1N6620 1N6625直通
图1
典型正向电流
vs
正向电压
版权
2004
2004年12月3日REV A
图2
典型正向电流
vs
正向电压
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
1N6620 1N6625直通
无空隙气密式
超快速恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
科幻gure 3
典型的反向电流 -
外加反向电压
图4
典型的反向电流 -
外加反向电压
1N6620 1N6625直通
图5
平均正向电流与
焊接温度（ 50 ％占空比，方波）
图6
平均正向电流与
焊接温度（ 50 ％占空比，方波）
版权
2004
2004年12月3日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
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第3页
1N6620 1N6625直通
无空隙气密式
超快速恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
图7
正向脉冲电流与
脉冲持续时间
图8
反向脉冲功率与
脉冲持续时间
包装尺寸
铅宽容= + 0.002 / -0.003英寸
1N6620 1N6625直通
版权
2004
2004年12月3日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
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