摩托罗拉
半导体
技术参数
1500瓦MOSORB
综合参数适用于所有系列中
本组
1N6373A
系列
1500 WATT
峰值功率
MOSORB
齐纳管
短暂
抑制器
6.2-250伏
1500瓦峰值功率
5瓦稳态
齐纳瞬态电压抑制器
单向和双向
Mosorb设备旨在保护电压敏感元件由高电压
年龄，高能量瞬变。他们有出色的钳位能力，高浪涌capabili-
TY ，低阻抗齐纳和快速响应时间。这些设备是摩托罗拉独家的，
高性价比，高可靠性的Surmetic轴向引线封装，是理想的适合于使用
在通信系统中，数值控制，过程控制，医疗设备，
商用机器，电源和许多其它工业/消费应用，以
保护CMOS ， MOS和双极型集成电路。
规格特点：
标准电压范围 - 6.2 250 V
峰值功率 - 1500瓦@ 1毫秒
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5
A
上述10 V
UL认证
响应时间通常< 1纳秒
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀和信息很容易焊
极性：
阴极指示的极性带。当齐纳二极管模式中操作，将
相对于阳极正
安装位置：
任何
晶圆厂地点：
亚利桑那州凤凰城
装配/测试地点：
墨西哥瓜达拉哈拉
最大额定值
等级
峰值功耗（ 1 ）
@ TL
≤
25°C
稳定状态下的功耗
@ TL
≤
75 ° C，引线长度= 3/8 “
上述TL降额= 75℃
正向浪涌电流（ 2 ）
@ TA = 25°C
工作和存储温度范围
铅的温度不超过1/16以下“从壳体10秒230℃
注：按照图5 1.非重复性电流脉冲及以上按照图2 TA = 25°C降额。
注意事项：
2. 1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟最大。
CASE 41A
塑料
符号
PPK
PD
价值
1500
5
50
单位
瓦
瓦
毫瓦/°C的
安培
°C
IFSM
TJ ， TSTG
200
- 65 +175
粗体，斜体列出的设备是摩托罗拉的首选设备。
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500瓦峰值功率数据表
4-1
*电气特性
（ TA = 25 ° C除非另有说明） VF ＃ = 3.5 V最大， IF ** = 100 A） （C后缀表示的标准
电气特性
背靠背双向的版本。测试两极）
击穿
{{
最大
电压
反向
对峙
电压
VBR
伏@ IT VRWM ***
民
（MA ）
（伏）
最大
反向
电压
最大
@ IRSM
{
M I
最大反向
（夹紧
浪涌
反向
电压）
当前
泄漏
VRSM
IRSM
{
@ VRWM
（伏）
（安培）
IR（ μA ）
钳位电压
峰值脉冲
目前@
Ipp1
{
= 1 A
VC1
（伏特最大值）
峰值脉冲
目前@
Ipp1
{
= 10 A
VC2
（伏特最大值）
JEDEC
设备
注1
设备
注1
1N6373
1N6374
1N6382
1N6375
1N6383
1N6376
1N6384
1N6377
1N6385
1N6378
1N6386
1N6379
1N6387
1N6380
1N6388
1N6381
1N6389
ICTE-5
/MPTE-5
ICTE-8/MPTE-8
ICTE-8C/MPTE-8C
ICTE-10/MPTE-10
ICTE-10C/MPTE-10C
ICTE-12/MPTE-12
ICTE-12C/MPTE-12C
ICTE-15/MPTE-15
ICTE-15C/MPTE-15C
ICTE-18/MPTE-18
ICTE-18C/MPTE-18C
ICTE-22/MPTE-22
ICTE-22C/MPTE-22C
ICTE-36/MPTE-36
ICTE-36C/MPTE-36C
ICTE-45/MPTE-45
ICTE-45C/MPTE-45C
6
9.4
9.4
11.7
11.7
14.1
14.1
17.6
17.6
21.2
21.2
25.9
25.9
42.4
42.4
52.9
52.9
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
5
8
8
10
10
12
12
15
15
18
18
22
22
36
36
45
45
300
25
25
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
160
100
100
90
90
70
70
60
60
50
50
40
40
23
23
19
19
9.4
15
15
16.7
16.7
21.2
21.2
25
25
30
30
37.5
37.5
65.2
65.2
78.9
78.9
7.1
11.3
11.4
13.7
14.1
16.1
16.7
20.1
20.8
24.2
24.8
29.8
30.8
50.6
50.6
63.3
63.3
7.5
11.5
11.6
14.1
14.5
16.5
17.1
20.6
21.4
25.2
25.5
32
32
54.3
54.3
70
70
注1 ：C后缀表示的标准背到背双向的版本。测试两极。 JEDEC的设备类型1N6382 1N6389直通注册为背靠背的双向版本和
不需要一个C后缀。 1N6373 1N6381直通注册为单向设备（不使用双向选择） 。
***
表示JEDEC注册的数据。
***
1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟最大。
***瞬态抑制器通常根据最高反向关态电压（ VRWM ），这应该等于或大于直流或连续峰值工作选
***
电压电平。
{
{
浪涌电流波形按照图5和每个一般数据中的图2的降额 - 在这个组的开始1500 W 。
{ {
VBR处测量脉冲测试电流的IT在25 ℃的环境温度下进行。
＃ VF仅适用于单向的设备。
500瓦峰值功率数据表
4-2
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
100
峰值脉冲降额的％
峰值功率或电流@ TA = 25
°
C
不重复
脉冲波形
如图5中所示
PP ，峰值功率（kw ）
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
TA ，环境温度（ ° C）
10
1
s
0.1
1
s
10
s
100
s
1毫秒
10毫秒
总磷，脉冲宽度
图1.脉冲额定值曲线
图2.脉冲降额曲线
1N6373 ， ICTE - 5 ， MPTE - 5 ，
通过
1N6389 ， ICTE - 45 ，C ， MPTE - 45 ，C
10,000
标准@
零偏压
10,000
1N6267A/1.5KE6.8A
通过
1N6303A/1.5KE200A
标准@
零偏压
C，电容（pF ）
1000
标准@
对峙
电压（ VR ）
C，电容（pF ）
1000
标准@
对峙
电压（ VR ）
100
100
10
1
10
100
1000
BV ，击穿电压（伏）
10
1
10
100
1000
BV ，击穿电压（伏）
图3.电容与击穿电压
PD ，稳态功耗（瓦）
3/8″
5
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100 125 150 175
TL ，焊接温度（ ° C）
200
0
0
3/8″
值（％）
100
tr
峰值 - IRSM
脉冲宽度（ TP）的定义
因为这地步
峰值电流衰减到50 ％
IRSM 。作者：
tr
≤
10
s
IRSM
2
半值 -
50
tP
1
2
吨，时间（ ms）的
3
4
图4.稳态功率降额
粗体，斜体列出的设备是摩托罗拉的首选设备。
图5.脉冲波形
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500瓦峰值功率数据表
4-3
1N6373 ， ICTE - 5 ， MPTE - 5 ，
通过
1N6389 ， ICTE - 45 ，C ， MPTE - 45 ，C
1000
500
I Z ，齐纳电流（ AMPS ）
200
100
50
20
10
5
2
1
0.3
0.5 0.7 1
2
3
5 7 10
20 30
V
Z，瞬加在VZ VZ以上（ NOM ） （伏）
1
0.7
0.5
0.3
降额因子
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
10
s
0.01
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
D，占空比（ ％ ）
20
TL = 25°C
TP = 10
s
VZ （ NOM ）= 6.8至13 V
20 V
43 V
24 V
1000
500
I Z ，齐纳电流（ AMPS ）
200
100
50
20
10
5
2
1
TL = 25°C
TP = 10
s
1N6267A/1.5KE6.8A
通过
1N6303A/1.5KE200A
VZ （ NOM ）= 6.8至13 V
20 V
24 V
43 V
75 V
180 V
120 V
0.3
0.5 0.7 1
2
3
5 7 10
20 30
V
Z，瞬加在VZ VZ以上（ NOM ） （伏）
图6.动态阻抗
脉冲宽度
10毫秒
1毫秒
100
s
50
100
图7.典型的降额因子的占空比
应用笔记
响应时间
在大多数应用中，瞬变抑制器装置是
平行放置，所述设备或部件被亲
tected 。在这种情况下，有一个与相关联的时间延迟
该器件的电容和过冲情况─
sociated与所述设备和所述电感器的电感
的连接方法。电容效应是次要的
在并联保护方案的重要性，因为它仅
产生中的时间延迟从所述操作过渡电压
年龄到钳位电压为如图A所示。
在器件中的电感效应是由于实际的导通
所需的设备的时间（时间去从零电流到全
电流）和引线电感。这种诱导效应产生
在两端的电压的设备的过冲或
部件的保护，如图B.最小化
这种过冲是在应用程序中非常重要，因为
用于把一个瞬态抑制器主要目的是夹紧
电压尖峰。这些器件具有优良的响应时间，
通常在皮秒范围和可忽略的电感。
但是，外部感应效果可能会产生不可接受
能过冲。正确的电路布局，最小导线长度
500瓦峰值功率数据表
4-4
及将所述抑制器装置尽可能接近的
设备或部件被保护将最大限度地减少这种
过冲。
由寻代表的一些输入阻抗是必要的
防止所述保护装置的过应力。这种阻抗
应尽可能地高，而不限制电路OP-
累加器。
占空比降额
图1的数据适用于不重复的条件
并在25 ℃的铅温度。如果占空比增大，
通过的曲线所指示的峰值功率必须减少
图7.平均功耗必须降低为主角或
环境温度上升到高于25 ℃。平均功率
降额曲线上的数据表，通常给出可能
归一化，并用于此目的。
乍一看图7的降额曲线似乎是在
误差为10毫秒的脉冲具有比所述较高的降级因数
10
s
脉搏。然而，当给出一个降额因子
脉冲图7的相乘的峰值功率值
图1为相同的脉冲，其结果遵循预期
的趋势。
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
通常的保护电路
寻
VIN
负载
VL
V
VIN（瞬态）
VL
V
过冲DUE TO
电感效应
VIN（瞬态）
VL
VIN
td
TD = TIME DELAY由于电容的影响
t
t
网络连接gure 8 。
图9 。
UL认证*
整个系列拥有
美国保险商实验室认可
为保护下的UL分级（ QVGV2 ）
标准安全497B和文件＃ 116110 。很多竞争者
仅具有一个或两个设备的认可或具有识别
在非保护类别。一些竞争对手都没有
识别的。随着UL497B认可，我们的零件
顺利通过了多次测试，包括触发电压
故障测试，耐力空调，温度测试，
介质耐压试验，排放试验和几
更多。
然而，一些竞争对手只通过了flammabil-
试验性的包装材料，我们已经认识到
更要包括在他们的保护范畴。
*适用于1.5KE6.8A ， CA直通1.5KE250A ， CA
粗体，斜体列出的设备是摩托罗拉的首选设备。
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500瓦峰值功率数据表
4-5
MDE半导体公司
78-150卡莱坦皮科，股210 ，拉昆塔， CA. USA 92253电话： 760-564-8656 传真： 760-564-2414
ICTE5.0到ICTE15C MPTE -5至MPTE -45
1N6373 1N6381到1N6382和1N6389来
玻璃钝化结瞬态电压抑制器
STANDOFF电压 - 5.0 45.0V
1500瓦峰值功率
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V-0
玻璃模压塑料封装钝化结
在1ms的1500W浪涌能力
出色的钳位能力
低齐纳inpedance
快速的响应时间：通常小于
从0伏1.0 ps至BV分钟。
典型的IR小于1μA ，高于10V
高温焊接保证：
250 ° C. / 10秒/ 0.375" ，设计（9.5mm ）导线
长度， 5磅，（ 2.3公斤）张力
包括直通1N6385 1N6373
机械数据
案例： JEDEC DO - 201模压塑料
端子：镀轴向引线，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：色环表示正端（阴极）
除双极
安装位置：任意
重量： 0.045盎司， 1.2克
最大额定值和特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
等级
在TA = 25 ° C峰值脉冲功率耗散， TP = 1毫秒
（注1 ）
符号
P
PPM
IPPM
价值
最低1500
参照表1
5.0
200
3.5
-55 +175
单位
瓦
安培
瓦
安培
伏特
°C
对10/1000微秒波形峰值脉冲电流
（注1 ）
稳态功耗为
T
L
= 75°C
引线长度0.375" ， 9.5毫米
（注2 ）
峰值正向浪涌电流8.3ms单正弦半波
叠加在额定负荷，
（JEDEC的方法） （注3）
最大正向电压在100A的
只有单向的
Operatings和存储温度范围
P
M（ AV）在
I
FSM
Vf
TJ ， TSTG
注意事项：
1.非重复性电流脉冲，每个图3及以上每2所示的Ta = 25°C降额。
2.安装在铜焊盘每5所示面积0.8x0.8" （ 20x20mm ） 。
3. 8.3ms单半正弦波，或等效的方波，占空比= 4个脉冲每分钟最多。
8/6/2002
MDE半导体公司
78-150卡莱坦皮科，股210 ，拉昆塔， CA. USA 92253电话： 760-564-8656 传真： 760-564-2414
ICTE5.0土特产品ICTE15C MPTE - 5 MPTE -45
1N6373 1N6381到1N6382和1N6389来
玻璃钝化结瞬态电压抑制器
STANDOFF电压 - 5.0 45.0V
1500瓦峰值功率
反向
最低
STANDOFF击穿
电压
电压
（ VRWM ）
VBR @ 1毫安
(V)
（伏）
最大
反向
泄漏
IR @ VR
(A)
最大
最大
最大
夹紧
夹紧
PEAK
电压
电压
脉冲
（VC ） @
（VC ） @伊普= 1A电流
Ipp=1A
（伏）
IPP （ A）
（伏）
产品编号
ICTE-5*
ICTE-8
ICTE-10
ICTE-12
ICTE-15
ICTE-18
ICTE-22
ICTE-36
ICTE-45
ICTE-8C
ICTE-10C
ICTE-12C
ICTE-15C
ICTE-18C
ICTE-22C
ICTE-36C
ICTE-45C
1N6373
1N6374
1N6375
1N6376
1N6377
1N6378
1N6379
1N6380
1N6381
1N6382
1N6383
1N6384
1N6385
1N6386
1N6387
1N6388
1N6389
MPTE-5*
MPTE-8
MPTE-10
MPTE-12
MPTE-18
MPTE-18
MPTE-22
MPTE-36
MPTE-45
MPTE-8C
MPTE-10C
MPTE-12C
MPTE-15C
MPTE-18C
MPTE-22C
MPTE-36C
MPTE-45C
5*
8.0
10.0
12.0
15.0
18.0
22.0
36.0
45.0
8.0
10.0
12.0
15.0
18.0
22.0
36.0
45.0
6.0
9.4
11.7
14.1
17.6
21.2
25.9
42.4
52.9
9.4
11.7
14.1
17.6
21.2
25.9
42.4
52.9
300.0
25.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
50
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
7.1
11.3
13.7
16.1
20.1
24.2
29.8
50.6
63.3
11.4
14.1
16.7
20.8
24.8
30.8
50.6
63.3
7.5
11.5
14.1
16.5
20.6
25.2
32.0
54.3
70.0
11.6
14.5
17.1
21.4
25.5
32.0
54.3
70.0
160.0
100.0
90.0
70.0
60.0
50.0
40.0
23.0
19.0
100.0
90.0
70.0
60.0
50.0
40.0
23.0
19.0
* ICTE -5不处于双向可用。
后缀“C”表示双向设备。
1N6373 - 1N6381系列
（ ICTE -5 - ICTE -36，
MPTE -5 - MPTE -45）
1500瓦峰值功率
Mosorb 齐纳瞬态
电压抑制器
单向*
Mosorb设备旨在保护电压敏感
组件由高电压，高能量瞬变。他们有
出色的钳位能力，高浪涌能力，低齐纳
阻抗和快速响应时间。这些设备是
安森美半导体专有的，高性价比，高可靠性
Surmetic 轴向引线封装，是理想的适合于用在
通信系统，数控系统，过程控制，
医疗设备，商用机器，电源和许多
其他工业/消费应用，以保护CMOS ， MOS和
双极集成电路。
规格特点：
阴极
阳极
http://onsemi.com
轴向引线
CASE 41A
塑料
L
MPTE
–xx
1N
63xx
YYWW
L
ICTE
–xx
YYWW
L =大会地点
MPTE -XX = ON器件代码
ICTE -XX = ON器件代码
1N63xx = JEDEC器件代码
YY =年
WW =工作周
工作峰值反向电压范围 - 5 V至45 V
峰值功率 - 1500瓦@ 1毫秒
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5
mA
上述10 V
响应时间通常< 1纳秒
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀和导线
随手可焊
最大的铅焊接温度的目的：
230_C ， 1/16“从10秒的情况下
极性：
阴极指示的极性带
安装位置：
任何
最大额定值
等级
峰值功耗（注1 ）
@ T
L
≤
25°C
稳定状态下的功耗
@ T
L
≤
75 ° C，引线长度= 3/8 “
上述牛逼降额
L
= 75°C
热阻，结到铅
正向浪涌电流（注2 ）
@ T
A
= 25°C
工作和存储
温度范围
符号
P
PK
P
D
价值
1500
5.0
20
R
qJL
I
FSM
T
J
, T
英镑
20
200
- 65
+175
单位
瓦
瓦
毫瓦/°C的
° C / W
安培
°C
订购信息
设备
MPTE -XX
MPTE–xxRL4
ICTE -XX
ICTE–xxRL4
1N63xx
1N63xxRL4*
包
轴向引线
轴向引线
轴向引线
轴向引线
轴向引线
轴向引线
航运
500单位/箱
1500 /磁带&卷轴
500单位/箱
1500 /磁带&卷轴
500单位/箱
1500 /磁带&卷轴
*请参阅1N6382 - 1N6389 （ ICTE - 10C - ICTE - 36C ， MPTE - 8C - MPTE -45C ）
对于双向器件
注意事项：
按照图5和der- 1.非重复性电流脉冲
上述牛逼ated
A
= 25 ℃，按照图2 。
2. 1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW =
8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟马克西 -
妈妈。
* 1N6378不可用1500 /磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年6月 - 第2版
出版订单号：
1N6373/D
1N6373 - 1N6381系列（ ICTE -5 - ICTE -36， MPTE -5 - MPTE -45）
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 3.5 V最大。 @我
F
（注3 ） = 100 A）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
QV
BR
I
F
V
F
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
V的最大温度变化
BR
正向电流
正向电压@ I
F
I
PP
V
C
V
BR
V
RWM
I
R
V
F
I
T
V
I
F
I
单向TVS
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 3.5 V最大。 @我
F
（注3 ） = 100 A）
JEDEC
设备
（器件）
1N6373
(MPTE–5)
1N6374
(MPTE–8)
1N6375
(MPTE–10)
1N6376
(MPTE–12)
1N6377
(MPTE–15)
1N6378*
(MPTE–18)
1N6379
(MPTE–22)
1N6380
(MPTE–36)
1N6381
(MPTE–45)
ICTE–5
ICTE–10
ICTE–12
ICTE–15
ICTE–18
ICTE–22
ICTE–36
V
RWM
（注4 ）
（伏）
5.0
8.0
10
12
15
18
22
36
45
5.0
10
12
15
18
22
36
I
R
@
V
RWM
（MA ）
300
25
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
300
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
击穿电压
V
BR
（注5 。
)
（伏）
民
6.0
9.4
11.7
14.1
17.6
21.2
25.9
42.4
52.9
6.0
11.7
14.1
17.6
21.2
25.9
42.4
喃
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
最大
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
@ I
T
（MA ）
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
C
@ I
PP
（注6 ）
V
C
（伏）
9.4
15
16.7
21.2
25
30
37.5
65.2
78.9
9.4
16.7
21.2
25
30
37.5
65.2
I
PP
(A)
160
100
90
70
60
50
40
23
19
160
90
70
60
50
40
23
V
C
（伏）
（注6 ）
@ I
PP
=
1A
7.1
11.3
13.7
16.1
20.1
24.2
29.8
50.6
63.3
7.1
13.7
16.1
20.1
24.2
29.8
50.6
@ I
PP
=
10 A
7.5
11.5
14.1
16.5
20.6
25.2
32
54.3
70
7.5
14.1
16.5
20.6
25.2
32
54.3
QV
BR
（毫伏/ ° C）
4.0
8.0
12
14
18
21
26
50
60
4.0
8.0
12
14
18
21
26
设备
记号
1N6373
MPTE–5
1N6374
MPTE–8
1N6375
MPTE–10
1N6376
MPTE–12
1N6377
MPTE–15
1N6378*
MPTE–18
1N6379
MPTE–22
1N6380
MPTE–36
1N6381
MPTE–45
ICTE–5
ICTE–10
ICTE–12
ICTE–15
ICTE–18
ICTE–22
ICTE–36
注意事项：
3，方波， PW = 8.3毫秒，不重复的占空比。
4.瞬态抑制器是根据最高工作峰值反向电压通常选择（V
RWM
），这应该等于
或大于直流或连续峰值工作电压电平。
5. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度和最低电压V中
BR
要被控制的。
按照图5和每图1和2减功率6.浪涌电流波形。
*不可用1500 /磁带&卷轴
http://onsemi.com
2
1N6373 - 1N6381系列（ ICTE -5 - ICTE -36， MPTE -5 - MPTE -45）
峰值脉冲降额的％
峰值功率或电流@ TA = 25
°
C
100
不重复
脉冲波形
如图5中所示
PPK ，峰值功率（kw ）
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
T
A
，环境温度（ ° C）
10
1
0.1
ms
1
ms
10
ms
100
ms
1毫秒
10毫秒
t
P
，脉宽
图1.脉冲额定值曲线
图2.脉冲降额曲线
1N6373 ， ICTE - 5 ， MPTE - 5 ，
通过
1N6389 ， ICTE - 45 ，C ， MPTE - 45 ，C
10,000
标准@
零偏压
C，电容（pF ）
1000
测量@ V
RWM
100
10
1
10
100
1000
V
BR
，击穿电压（伏）
图3.电容与击穿电压
PD ，稳态功耗（瓦）
3/8″
IPP ，值（％ ）
5
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100 125 150 175
T
L
，焊接温度（ ° C）
200
0
0
3/8″
100
t
r
≤
10
ms
峰值 - 我
PP
脉冲宽度（T
P
）被定义为
这一点在峰值
电流衰减到我的50 ％
PP
.
半值 -
50
t
P
1
2
I
PP
2
3
4
吨，时间（ ms）的
图4.稳态功率降额
图5.脉冲波形
http://onsemi.com
3
1N6373 - 1N6381系列（ ICTE -5 - ICTE -36， MPTE -5 - MPTE -45）
1N6373 ， ICTE - 5 ， MPTE - 5 ，
通过
1N6389 ， ICTE - 45 ，C ， MPTE - 45 ，C
1000
500
信息技术，测试电流（安培）
200
100
50
20
10
5
2
1
0.3
0.5 0.7 1
2
3
5 7 10
20 30
DV
BR
，瞬加IN V
BR
上述V
BR （ NOM ）
（伏）
T
L
= 25°C
t
P
= 10
ms
V
BR（ MIN）的
= 6.0 11.7 V
19 V
42.4 V
21.2 V
1000
500
信息技术，测试电流（安培）
200
100
50
20
10
5
2
1
0.3
0.5 0.7 1
2
3
5 7 10
20 30
DV
BR
，瞬加IN V
BR
上述V
BR （ NOM ）
（伏）
180 V
120 V
T
L
= 25°C
t
P
= 10
ms
1.5KE6.8CA
通过
1.5KE200CA
V
BR （ NOM ）
= 6.8 13 V
20 V
24 V
43 V
75 V
图6.动态阻抗
1
0.7
0.5
0.3
降额因子
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
10
ms
0.2
0.5
1
2
5
10
D，占空比（ ％ ）
20
50
100
脉冲宽度
10毫秒
1毫秒
100
ms
图7.典型的降额因子的占空比
http://onsemi.com
4
1N6373 - 1N6381系列（ ICTE -5 - ICTE -36， MPTE -5 - MPTE -45）
应用笔记
响应时间
在大多数应用中，瞬变抑制器装置是
平行放置，所述设备或组件是
受保护的。在这种情况下，存在相关联的时间延迟
与器件的电容和过冲
与该装置的电感条件相关联，并且
连接方法的电感。电容
作用是不重要的，在并联保护
方案，因为它只产生的时间延迟，在
从操作电压钳位电压作为过渡
在图8中示出。
在器件中的电感效应是由于实际
开启时间（所需要的设备，从零到时间
到全电流）和引线电感电流。这种感性
效应产生的过冲在整个电压
设备或组件的保护，如图
图9.尽量减少这种过冲是在非常重要
应用中，由于主要目的，用于将瞬时
抑制器是为钳位电压峰值。这些器件具有
良好的反应时间，通常是在皮秒范围
和电感可以忽略不计。但是，外部感应
效果可能会产生不能接受的过冲。正确
电路布局，最小导线长度和放置
抑制装置尽可能接近该设备或
元件被保护将这种过冲最小化。
由Z表示的一些输入阻抗
in
是必不可少的
防止所述保护装置的过应力。这种阻抗
应尽可能地高，而不限制电路
操作。
占空比降额
图1的数据适用于不重复的条件
并在25 ℃的铅温度。如果占空比增大，
由曲线所指示的峰值功率必须减少
图7.平均功耗必须降低为主角或
环境温度上升到高于25 ℃。平均功率
降额曲线上的数据表，通常给出可能
归一化，并用于此目的。
乍一看图7的降额曲线似乎是
错误为10毫秒的脉冲具有比更高的降额系数
10
ms
脉搏。然而，当一降额因子
图7中的给定的脉冲乘以峰值功率值
图1为相同的脉冲，结果按照
预期的趋势。
通常的保护电路
Z
in
V
in
负载
V
L
V
V
in
（瞬态）
V
L
V
过冲DUE TO
电感效应
V
in
（瞬态）
V
L
V
in
t
d
t
D
= TIME DELAY由于电容的影响
t
t
网络连接gure 8 。
图9 。
http://onsemi.com
5
摩托罗拉
半导体
技术参数
1500瓦MOSORB
综合参数适用于所有系列中
本组
1N6373A
系列
1500 WATT
峰值功率
MOSORB
齐纳管
短暂
抑制器
6.2-250伏
1500瓦峰值功率
5瓦稳态
齐纳瞬态电压抑制器
单向和双向
Mosorb设备旨在保护电压敏感元件由高电压
年龄，高能量瞬变。他们有出色的钳位能力，高浪涌capabili-
TY ，低阻抗齐纳和快速响应时间。这些设备是摩托罗拉独家的，
高性价比，高可靠性的Surmetic轴向引线封装，是理想的适合于使用
在通信系统中，数值控制，过程控制，医疗设备，
商用机器，电源和许多其它工业/消费应用，以
保护CMOS ， MOS和双极型集成电路。
规格特点：
标准电压范围 - 6.2 250 V
峰值功率 - 1500瓦@ 1毫秒
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5
A
上述10 V
UL认证
响应时间通常< 1纳秒
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀和信息很容易焊
极性：
阴极指示的极性带。当齐纳二极管模式中操作，将
相对于阳极正
安装位置：
任何
晶圆厂地点：
亚利桑那州凤凰城
装配/测试地点：
墨西哥瓜达拉哈拉
最大额定值
等级
峰值功耗（ 1 ）
@ TL
≤
25°C
稳定状态下的功耗
@ TL
≤
75 ° C，引线长度= 3/8 “
上述TL降额= 75℃
正向浪涌电流（ 2 ）
@ TA = 25°C
工作和存储温度范围
铅的温度不超过1/16以下“从壳体10秒230℃
注：按照图5 1.非重复性电流脉冲及以上按照图2 TA = 25°C降额。
注意事项：
2. 1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟最大。
CASE 41A
塑料
符号
PPK
PD
价值
1500
5
50
单位
瓦
瓦
毫瓦/°C的
安培
°C
IFSM
TJ ， TSTG
200
- 65 +175
粗体，斜体列出的设备是摩托罗拉的首选设备。
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500瓦峰值功率数据表
4-1
*电气特性
（ TA = 25 ° C除非另有说明） VF ＃ = 3.5 V最大， IF ** = 100 A） （C后缀表示的标准
电气特性
背靠背双向的版本。测试两极）
击穿
{{
最大
电压
反向
对峙
电压
VBR
伏@ IT VRWM ***
民
（MA ）
（伏）
最大
反向
电压
最大
@ IRSM
{
M I
最大反向
（夹紧
浪涌
反向
电压）
当前
泄漏
VRSM
IRSM
{
@ VRWM
（伏）
（安培）
IR（ μA ）
钳位电压
峰值脉冲
目前@
Ipp1
{
= 1 A
VC1
（伏特最大值）
峰值脉冲
目前@
Ipp1
{
= 10 A
VC2
（伏特最大值）
JEDEC
设备
注1
设备
注1
1N6373
1N6374
1N6382
1N6375
1N6383
1N6376
1N6384
1N6377
1N6385
1N6378
1N6386
1N6379
1N6387
1N6380
1N6388
1N6381
1N6389
ICTE-5
/MPTE-5
ICTE-8/MPTE-8
ICTE-8C/MPTE-8C
ICTE-10/MPTE-10
ICTE-10C/MPTE-10C
ICTE-12/MPTE-12
ICTE-12C/MPTE-12C
ICTE-15/MPTE-15
ICTE-15C/MPTE-15C
ICTE-18/MPTE-18
ICTE-18C/MPTE-18C
ICTE-22/MPTE-22
ICTE-22C/MPTE-22C
ICTE-36/MPTE-36
ICTE-36C/MPTE-36C
ICTE-45/MPTE-45
ICTE-45C/MPTE-45C
6
9.4
9.4
11.7
11.7
14.1
14.1
17.6
17.6
21.2
21.2
25.9
25.9
42.4
42.4
52.9
52.9
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
5
8
8
10
10
12
12
15
15
18
18
22
22
36
36
45
45
300
25
25
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
160
100
100
90
90
70
70
60
60
50
50
40
40
23
23
19
19
9.4
15
15
16.7
16.7
21.2
21.2
25
25
30
30
37.5
37.5
65.2
65.2
78.9
78.9
7.1
11.3
11.4
13.7
14.1
16.1
16.7
20.1
20.8
24.2
24.8
29.8
30.8
50.6
50.6
63.3
63.3
7.5
11.5
11.6
14.1
14.5
16.5
17.1
20.6
21.4
25.2
25.5
32
32
54.3
54.3
70
70
注1 ：C后缀表示的标准背到背双向的版本。测试两极。 JEDEC的设备类型1N6382 1N6389直通注册为背靠背的双向版本和
不需要一个C后缀。 1N6373 1N6381直通注册为单向设备（不使用双向选择） 。
***
表示JEDEC注册的数据。
***
1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟最大。
***瞬态抑制器通常根据最高反向关态电压（ VRWM ），这应该等于或大于直流或连续峰值工作选
***
电压电平。
{
{
浪涌电流波形按照图5和每个一般数据中的图2的降额 - 在这个组的开始1500 W 。
{ {
VBR处测量脉冲测试电流的IT在25 ℃的环境温度下进行。
＃ VF仅适用于单向的设备。
500瓦峰值功率数据表
4-2
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
100
峰值脉冲降额的％
峰值功率或电流@ TA = 25
°
C
不重复
脉冲波形
如图5中所示
PP ，峰值功率（kw ）
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
TA ，环境温度（ ° C）
10
1
s
0.1
1
s
10
s
100
s
1毫秒
10毫秒
总磷，脉冲宽度
图1.脉冲额定值曲线
图2.脉冲降额曲线
1N6373 ， ICTE - 5 ， MPTE - 5 ，
通过
1N6389 ， ICTE - 45 ，C ， MPTE - 45 ，C
10,000
标准@
零偏压
10,000
1N6267A/1.5KE6.8A
通过
1N6303A/1.5KE200A
标准@
零偏压
C，电容（pF ）
1000
标准@
对峙
电压（ VR ）
C，电容（pF ）
1000
标准@
对峙
电压（ VR ）
100
100
10
1
10
100
1000
BV ，击穿电压（伏）
10
1
10
100
1000
BV ，击穿电压（伏）
图3.电容与击穿电压
PD ，稳态功耗（瓦）
3/8″
5
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100 125 150 175
TL ，焊接温度（ ° C）
200
0
0
3/8″
值（％）
100
tr
峰值 - IRSM
脉冲宽度（ TP）的定义
因为这地步
峰值电流衰减到50 ％
IRSM 。作者：
tr
≤
10
s
IRSM
2
半值 -
50
tP
1
2
吨，时间（ ms）的
3
4
图4.稳态功率降额
粗体，斜体列出的设备是摩托罗拉的首选设备。
图5.脉冲波形
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500瓦峰值功率数据表
4-3
1N6373 ， ICTE - 5 ， MPTE - 5 ，
通过
1N6389 ， ICTE - 45 ，C ， MPTE - 45 ，C
1000
500
I Z ，齐纳电流（ AMPS ）
200
100
50
20
10
5
2
1
0.3
0.5 0.7 1
2
3
5 7 10
20 30
V
Z，瞬加在VZ VZ以上（ NOM ） （伏）
1
0.7
0.5
0.3
降额因子
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
10
s
0.01
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
D，占空比（ ％ ）
20
TL = 25°C
TP = 10
s
VZ （ NOM ）= 6.8至13 V
20 V
43 V
24 V
1000
500
I Z ，齐纳电流（ AMPS ）
200
100
50
20
10
5
2
1
TL = 25°C
TP = 10
s
1N6267A/1.5KE6.8A
通过
1N6303A/1.5KE200A
VZ （ NOM ）= 6.8至13 V
20 V
24 V
43 V
75 V
180 V
120 V
0.3
0.5 0.7 1
2
3
5 7 10
20 30
V
Z，瞬加在VZ VZ以上（ NOM ） （伏）
图6.动态阻抗
脉冲宽度
10毫秒
1毫秒
100
s
50
100
图7.典型的降额因子的占空比
应用笔记
响应时间
在大多数应用中，瞬变抑制器装置是
平行放置，所述设备或部件被亲
tected 。在这种情况下，有一个与相关联的时间延迟
该器件的电容和过冲情况─
sociated与所述设备和所述电感器的电感
的连接方法。电容效应是次要的
在并联保护方案的重要性，因为它仅
产生中的时间延迟从所述操作过渡电压
年龄到钳位电压为如图A所示。
在器件中的电感效应是由于实际的导通
所需的设备的时间（时间去从零电流到全
电流）和引线电感。这种诱导效应产生
在两端的电压的设备的过冲或
部件的保护，如图B.最小化
这种过冲是在应用程序中非常重要，因为
用于把一个瞬态抑制器主要目的是夹紧
电压尖峰。这些器件具有优良的响应时间，
通常在皮秒范围和可忽略的电感。
但是，外部感应效果可能会产生不可接受
能过冲。正确的电路布局，最小导线长度
500瓦峰值功率数据表
4-4
及将所述抑制器装置尽可能接近的
设备或部件被保护将最大限度地减少这种
过冲。
由寻代表的一些输入阻抗是必要的
防止所述保护装置的过应力。这种阻抗
应尽可能地高，而不限制电路OP-
累加器。
占空比降额
图1的数据适用于不重复的条件
并在25 ℃的铅温度。如果占空比增大，
通过的曲线所指示的峰值功率必须减少
图7.平均功耗必须降低为主角或
环境温度上升到高于25 ℃。平均功率
降额曲线上的数据表，通常给出可能
归一化，并用于此目的。
乍一看图7的降额曲线似乎是在
误差为10毫秒的脉冲具有比所述较高的降级因数
10
s
脉搏。然而，当给出一个降额因子
脉冲图7的相乘的峰值功率值
图1为相同的脉冲，其结果遵循预期
的趋势。
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
通常的保护电路
寻
VIN
负载
VL
V
VIN（瞬态）
VL
V
过冲DUE TO
电感效应
VIN（瞬态）
VL
VIN
td
TD = TIME DELAY由于电容的影响
t
t
网络连接gure 8 。
图9 。
UL认证*
整个系列拥有
美国保险商实验室认可
为保护下的UL分级（ QVGV2 ）
标准安全497B和文件＃ 116110 。很多竞争者
仅具有一个或两个设备的认可或具有识别
在非保护类别。一些竞争对手都没有
识别的。随着UL497B认可，我们的零件
顺利通过了多次测试，包括触发电压
故障测试，耐力空调，温度测试，
介质耐压试验，排放试验和几
更多。
然而，一些竞争对手只通过了flammabil-
试验性的包装材料，我们已经认识到
更要包括在他们的保护范畴。
*适用于1.5KE6.8A ， CA直通1.5KE250A ， CA
粗体，斜体列出的设备是摩托罗拉的首选设备。
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500瓦峰值功率数据表
4-5
MDE半导体公司
78-150卡莱坦皮科，股210 ，拉昆塔，CA ， USA 92253电话： 760-564-8656 传真： 760-564-2414
1-800-831-4881电子邮件： sales@mdesemiconductor.com网址： www.mdesemiconductor.com
ICTE5.0到ICTE15C MPTE -5至MPTE -45
1N6373 1N6381到1N6382和1N6389来
玻璃钝化结瞬态电压抑制器
STANDOFF电压 - 5.0 45.0V
1500瓦峰值功率
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V-0
玻璃模压塑料封装钝化结
在1ms的1500W浪涌能力
出色的钳位能力
低齐纳inpedance
快速的响应时间：通常小于
从0伏1.0 ps至BV分钟。
典型的IR小于1μA ，高于10V
高温焊接保证：
250 ° C. / 10秒/ 0.375" ，设计（9.5mm ）导线
长度， 5磅，（ 2.3公斤）张力
包括直通1N6385 1N6373
机械数据
案例： JEDEC DO - 201模压塑料
端子：镀轴向引线，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：色环表示正端（阴极）
除双极
安装位置：任意
重量： 0.045盎司， 1.2克
最大额定值和特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
等级
在TA = 25 ° C峰值脉冲功率耗散， TP = 1毫秒
（注1 ）
符号
P
PPM
I
PPM
价值
最低1500
参照表1
5.0
200
3.5
-55 +175
单位
瓦
安培
瓦
安培
伏特
°C
对10/1000微秒波形峰值脉冲电流
（注1 ）
稳态功耗为
T
L
= 75°C
引线长度0.375" ， 9.5毫米
（注2 ）
峰值正向浪涌电流8.3ms单正弦半波
叠加在额定负荷，
（JEDEC的方法） （注3）
最大正向电压在100A的
只有单向的
Operatings和存储温度范围
P
M
（AV）
I
FSM
V
F
T
J
, T
英镑
注意事项：
1.非重复性电流脉冲，每个图3及以上每2所示的Ta = 25°C降额。
2.安装在铜焊盘每5所示面积0.8x0.8" （ 20x20mm ） 。
3. 8.3ms单半正弦波，或等效的方波，占空比= 4个脉冲每分钟最多。
认证符合RoHS
UL文件号： E223026
MDE半导体公司
78-150卡莱坦皮科，股210 ，拉昆塔，CA ， USA 92253电话： 760-564-8656 传真： 760-564-2414
1-800-831-4881电子邮件： sales@mdesemiconductor.com网址： www.mdesemiconductor.com
ICTE5.0到ICTE15C MPTE -5至MPTE -45
1N6373 1N6381到1N6382和1N6389来
玻璃钝化结瞬态电压抑制器
STANDOFF电压 - 5.0 45.0V
1500瓦峰值功率
最低
反向
最低
最大
夹紧
STANDOFF反向击穿
电压
电压
电压
泄漏
（VC ） @
（ VRWM ）
VBR @ 1毫安
IR @ VR
Ipp=1A
(V)
（伏）
(A)
（伏）
最大
夹紧
电压
（VC ） @
Ipp=1A
（伏）
最大
PEAK
脉冲
当前
IPP （ A）
产品编号
ICTE-5*
ICTE-8
ICTE-10
ICTE-12
ICTE-15
ICTE-18
ICTE-22
ICTE-36
ICTE-45
ICTE-8C
ICTE-10C
ICTE-12C
ICTE-15C
ICTE-18C
ICTE-22C
ICTE-36C
ICTE-45C
1N6373
1N6374
1N6375
1N6376
1N6377
1N6378
1N6379
1N6380
1N6381
1N6382
1N6383
1N6384
1N6385
1N6386
1N6387
1N6388
1N6389
MPTE-5*
MPTE-8
MPTE-10
MPTE-12
MPTE-15
MPTE-18
MPTE-22
MPTE-36
MPTE-45
MPTE-8C
MPTE-10C
MPTE-12C
MPTE-15C
MPTE-18C
MPTE-22C
MPTE-36C
MPTE-45C
5*
8.0
10.0
12.0
15.0
18.0
22.0
36.0
45.0
8.0
10.0
12.0
15.0
18.0
22.0
36.0
45.0
6.0
9.4
11.7
14.1
17.6
21.2
25.9
42.4
52.9
9.4
11.7
14.1
17.6
21.2
25.9
42.4
52.9
300.0
25.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
50
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
7.1
11.3
13.7
16.1
20.1
24.2
29.8
50.6
63.3
11.4
14.1
16.7
20.8
24.8
30.8
50.6
63.3
7.5
11.5
14.1
16.5
20.6
25.2
32.0
54.3
70.0
11.6
14.5
17.1
21.4
25.5
32.0
54.3
70.0
160.0
100.0
90.0
70.0
60.0
50.0
40.0
23.0
19.0
100.0
90.0
70.0
60.0
50.0
40.0
23.0
19.0
* ICTE -5不处于双向可用。
认证符合RoHS
UL文件号： E223026
后缀“C”表示双向设备。
MDE半导体公司
78-150卡莱坦皮科，股210 ，拉昆塔， CA. USA 92253电话： 760-564-8656 传真： 760-564-2414
ICTE5.0到ICTE15C MPTE -5至MPTE -45
1N6373 1N6381到1N6382和1N6389来
玻璃钝化结瞬态电压抑制器
STANDOFF电压 - 5.0 45.0V
1500瓦峰值功率
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V-0
玻璃模压塑料封装钝化结
在1ms的1500W浪涌能力
出色的钳位能力
低齐纳inpedance
快速的响应时间：通常小于
从0伏1.0 ps至BV分钟。
典型的IR小于1μA ，高于10V
高温焊接保证：
250 ° C. / 10秒/ 0.375" ，设计（9.5mm ）导线
长度， 5磅，（ 2.3公斤）张力
包括直通1N6385 1N6373
机械数据
案例： JEDEC DO - 201模压塑料
端子：镀轴向引线，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：色环表示正端（阴极）
除双极
安装位置：任意
重量： 0.045盎司， 1.2克
最大额定值和特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
等级
在TA = 25 ° C峰值脉冲功率耗散， TP = 1毫秒
（注1 ）
符号
P
PPM
IPPM
价值
最低1500
参照表1
5.0
200
3.5
-55 +175
单位
瓦
安培
瓦
安培
伏特
°C
对10/1000微秒波形峰值脉冲电流
（注1 ）
稳态功耗为
T
L
= 75°C
引线长度0.375" ， 9.5毫米
（注2 ）
峰值正向浪涌电流8.3ms单正弦半波
叠加在额定负荷，
（JEDEC的方法） （注3）
最大正向电压在100A的
只有单向的
Operatings和存储温度范围
P
M（ AV）在
I
FSM
Vf
TJ ， TSTG
注意事项：
1.非重复性电流脉冲，每个图3及以上每2所示的Ta = 25°C降额。
2.安装在铜焊盘每5所示面积0.8x0.8" （ 20x20mm ） 。
3. 8.3ms单半正弦波，或等效的方波，占空比= 4个脉冲每分钟最多。
8/6/2002
MDE半导体公司
78-150卡莱坦皮科，股210 ，拉昆塔， CA. USA 92253电话： 760-564-8656 传真： 760-564-2414
ICTE5.0土特产品ICTE15C MPTE - 5 MPTE -45
1N6373 1N6381到1N6382和1N6389来
玻璃钝化结瞬态电压抑制器
STANDOFF电压 - 5.0 45.0V
1500瓦峰值功率
反向
最低
STANDOFF击穿
电压
电压
（ VRWM ）
VBR @ 1毫安
(V)
（伏）
最大
反向
泄漏
IR @ VR
(A)
最大
最大
最大
夹紧
夹紧
PEAK
电压
电压
脉冲
（VC ） @
（VC ） @伊普= 1A电流
Ipp=1A
（伏）
IPP （ A）
（伏）
产品编号
ICTE-5*
ICTE-8
ICTE-10
ICTE-12
ICTE-15
ICTE-18
ICTE-22
ICTE-36
ICTE-45
ICTE-8C
ICTE-10C
ICTE-12C
ICTE-15C
ICTE-18C
ICTE-22C
ICTE-36C
ICTE-45C
1N6373
1N6374
1N6375
1N6376
1N6377
1N6378
1N6379
1N6380
1N6381
1N6382
1N6383
1N6384
1N6385
1N6386
1N6387
1N6388
1N6389
MPTE-5*
MPTE-8
MPTE-10
MPTE-12
MPTE-18
MPTE-18
MPTE-22
MPTE-36
MPTE-45
MPTE-8C
MPTE-10C
MPTE-12C
MPTE-15C
MPTE-18C
MPTE-22C
MPTE-36C
MPTE-45C
5*
8.0
10.0
12.0
15.0
18.0
22.0
36.0
45.0
8.0
10.0
12.0
15.0
18.0
22.0
36.0
45.0
6.0
9.4
11.7
14.1
17.6
21.2
25.9
42.4
52.9
9.4
11.7
14.1
17.6
21.2
25.9
42.4
52.9
300.0
25.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
50
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
7.1
11.3
13.7
16.1
20.1
24.2
29.8
50.6
63.3
11.4
14.1
16.7
20.8
24.8
30.8
50.6
63.3
7.5
11.5
14.1
16.5
20.6
25.2
32.0
54.3
70.0
11.6
14.5
17.1
21.4
25.5
32.0
54.3
70.0
160.0
100.0
90.0
70.0
60.0
50.0
40.0
23.0
19.0
100.0
90.0
70.0
60.0
50.0
40.0
23.0
19.0
* ICTE -5不处于双向可用。
后缀“C”表示双向设备。
QQ：2881677436 复制
