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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符1型号页 > 首字符1的型号第750页 > 1N6376
ICTE5通ICTE18C ， 1N6373 1N6386直通
威世通用半导体
T
RANS
Z
ORB
瞬态电压抑制器
特点
玻璃钝化结
=可用
in
单向
和
双向
1500瓦峰值脉冲功率能力
与10/1000微秒波形，重复
率（占空比） ：0.01％
出色的钳位能力
非常快的响应时间
低增量浪涌电阻
浸焊275 °C以下。 10秒，每JESD 22 - B106
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
了解更多有关Vishay的汽车级
产品要求在：
www.vishay.com/applications
典型应用
使用对电压敏感的电子设备保护
诱发感性负载开关瞬变
和照明的芯片， MOSFET ，传感器的信号线
单位消费，计算机，工业和
电信。
机械数据
案例：
环氧树脂成型机身超过钝化路口
塑封料符合UL 94 V- 0阻燃
等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级
底座P / NHE3 - 符合RoHS标准，汽车级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须试验， HE3
后缀符合JESD 201级2晶须测试
极性：
对于单向类型的色带
端为负极，在双向无标记
类型
机箱样式1.5KE
主要特征
V
WM
P
PPM
P
D
I
FSM
T
J
马克斯。
5.0 V至18 V
1500 W
6.5 W
200 A
175 °C
用于双向应用的器件
对于双向类型，用C后缀（如ICTE18C ） 。
电特性的应用中是双向的。
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
峰值脉冲功率耗散与10/1000微秒波形
(1)
（图1）的
峰值脉冲电流具有10/1000 μs的波形
(1)
（图3）的
在无限散热器在T功耗
L
= 75℃ （图8）的
只有峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波单向
(2)
在100 A最大瞬时正向电压仅为单向
工作结存储温度范围
笔记
(1)
非重复电流脉冲，每个图3及以上的牛逼降额
A
= 25 ℃，每图。 2
(2)
8.3ms单一正弦半波，占空比= 4个脉冲每分钟最高
文档编号： 88356
修订： 07 -月- 10
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
符号
P
PPM
I
PPM
P
D
I
FSM
V
F
T
J
, T
英镑
极限
1500
看下表
6.5
200
3.5
- 55 + 175
单位
W
A
W
A
V
°C
ICTE5通ICTE18C ， 1N6373 1N6386直通
威世通用半导体
电气特性（ JEDEC注册的数据）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
JEDEC
类型编号
一般
半导体
产品型号
对峙
电压
V
WM
(V)
最低
击穿
电压
AT 1.0毫安
V
BR
(V)
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D
(μA)
最大
夹紧
电压
在我
PP
= 1.0 A
V
C
(V)
最大
夹紧
电压
I
PP
= 10 A
V
C
(V)
最大
PEAK
脉冲
当前
I
PP
(A)
单向类型
1N6373
(2)
1N6374
1N6375
1N6376
1N6377
1N6378
ICTE5
(2)
ICTE8
ICTE10
ICTE12
ICTE15
ICTE18
5.0
8.0
10.0
12.0
15.0
18.0
6.0
9.4
11.7
14.1
17.6
21.2
300
25.0
2.0
2.0
2.0
2.0
7.1
11.3
13.7
16.1
20.1
24.2
7.5
11.5
14.1
16.5
20.6
25.2
160
100
90
70
60
50
双向类型
1N6382
1N6383
1N6384
1N6385
1N6386
笔记
(1)
(2)
(3)
ICTE8C
ICTE10C
ICTE12C
ICTE15C
ICTE18C
8.0
10.0
12.0
15.0
18.0
9.4
11.7
14.1
17.6
21.2
50.0
2.0
2.0
2.0
2.0
11.4
14.1
16.7
20.8
24.8
11.6
14.5
17.1
21.4
25.5
100
90
70
60
50
“C”后缀表示双向
ICTE5和1N6373不可用作双向
夹紧因素：在全额定功率1.33 ; 1.20在50 ％额定功率;夹紧因子：在实际的V之比
C
（钳位电压）与V
BR
（击穿电压），为测定特定的设备上
订购信息
（例）
首选的P / N
ICTE5-E3/54
ICTE5HE3/54
(1)
记
(1)
单位重量（g ）
0.968
0.968
首选包装代码
54
54
基地数量
1400
1400
配送方式
直径13"纸胶带和卷轴
直径13"纸胶带和卷轴
汽车级
www.vishay.com
2
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文档编号： 88356
修订： 07 -月- 10
ICTE5通ICTE18C ， 1N6373 1N6386直通
威世通用半导体
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
100
100 000
P
PPM
- 峰值脉冲功率（kW ）
C
J
- 结电容（pF ）
非重复脉冲
波形如图。 3
T
A
= 25 °C
10
在测
零偏压
10 000
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50毫伏
p-p
1
1000
测量对峙
电压V
WM
0.1
0.1 μs
1.0 μs
10 μs
100 μs
1.0毫秒
10毫秒
100
1.0
10
100
200
t
d
- 脉冲宽度（S ）
V
BR
- 击穿电压（ V）
图1.额定峰值脉冲功率曲线
图4.典型结电容单向
峰值脉冲功率（P
PP
）或电流（I
PP
)
降额百分比， ％
100
100 000
75
C
J
- 结电容（pF ）
在测
零偏压
双向型
10 000
非重复脉冲
波形如图。 3
T
A
= 25 °C
50
1000
25
测量对峙
电压V
WM
100
1.0
10
100
200
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
J
- 初始温度（ ℃）
V
BR
- 击穿电压（ V）
图2.脉冲功率或电流与初始结温
图5.典型结电容
I
FSM
- 峰值正向浪涌电流（ A）
150
I
PPM
- 峰值脉冲电流， ％I
RSM
t
r
= 10 μs
峰值
I
PPM
T
J
= 25 °C
脉冲宽度（T
d
)
被定义为点
在峰值电流
衰减到第I 50％
PPM
200
T
J
= T
J
马克斯。
8.3ms单一正弦半波
100
100
半值 - 我
PP
I
PPM
2
50
10/1000微秒波形
界定的R.E.A.
t
d
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
50
10
1
5
10
50
100
吨 - 时间（ms ）
循环次数在60赫兹
图3.脉冲波形
图6.最大非重复正向浪涌电流
只有单向
文档编号： 88356
修订： 07 -月- 10
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DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
3
ICTE5通ICTE18C ， 1N6373 1N6386直通
威世通用半导体
50
只有单向
T
A
= 25 °C
8.0
7.0
I
PP
- 峰值脉冲电流（ A）
P
D
- 功耗（ W）
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
L = 0.375"毫米（9.5毫米）
导线长度
10
ICTE10
ICTE12
ICTE15
ICTE18
ICTE5
ICTE8
1
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
V
C
- 钳位电压（ V）
T
L
- 焊接温度（ ° C）
图7.典型特征钳位电压
图8.功率降额曲线
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
机箱样式1.5KE
1.0 (25.4)
分钟。
0.210 (5.3)
0.190 (4.8)
DIA 。
0.375 (9.5)
0.285 (7.2)
1.0 (25.4)
分钟。
0.042 (1.07)
0.038 (0.96)
DIA 。
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4
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文档编号： 88356
修订： 07 -月- 10
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前，Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证，声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内， Vishay不承担（ i）任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用， （ ii）任何及所有责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 11 -MAR- 11
www.vishay.com
1
摩托罗拉
半导体
技术参数
1500瓦MOSORB
综合参数适用于所有系列中
本组
1N6373A
系列
1500 WATT
峰值功率
MOSORB
齐纳管
短暂
抑制器
6.2-250伏
1500瓦峰值功率
5瓦稳态
齐纳瞬态电压抑制器
单向和双向
Mosorb设备旨在保护电压敏感元件由高电压
年龄，高能量瞬变。他们有出色的钳位能力，高浪涌capabili-
TY ，低阻抗齐纳和快速响应时间。这些设备是摩托罗拉独家的，
高性价比，高可靠性的Surmetic轴向引线封装，是理想的适合于使用
在通信系统中，数值控制，过程控制，医疗设备，
商用机器，电源和许多其它工业/消费应用，以
保护CMOS ， MOS和双极型集成电路。
规格特点：
标准电压范围 - 6.2 250 V
峰值功率 - 1500瓦@ 1毫秒
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5
A
上述10 V
UL认证
响应时间通常< 1纳秒
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀和信息很容易焊
极性：
阴极指示的极性带。当齐纳二极管模式中操作，将
相对于阳极正
安装位置：
任何
晶圆厂地点：
亚利桑那州凤凰城
装配/测试地点：
墨西哥瓜达拉哈拉
最大额定值
等级
峰值功耗（ 1 ）
@ TL
≤
25°C
稳定状态下的功耗
@ TL
≤
75 ° C，引线长度= 3/8 “
上述TL降额= 75℃
正向浪涌电流（ 2 ）
@ TA = 25°C
工作和存储温度范围
铅的温度不超过1/16以下“从壳体10秒230℃
注：按照图5 1.非重复性电流脉冲及以上按照图2 TA = 25°C降额。
注意事项：
2. 1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟最大。
CASE 41A
塑料
符号
PPK
PD
价值
1500
5
50
单位
瓦
瓦
毫瓦/°C的
安培
°C
IFSM
TJ ， TSTG
200
- 65 +175
粗体，斜体列出的设备是摩托罗拉的首选设备。
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500瓦峰值功率数据表
4-1
*电气特性
（ TA = 25 ° C除非另有说明） VF ＃ = 3.5 V最大， IF ** = 100 A） （C后缀表示的标准
电气特性
背靠背双向的版本。测试两极）
击穿
{{
最大
电压
反向
对峙
电压
VBR
伏@ IT VRWM ***
民
（MA ）
（伏）
最大
反向
电压
最大
@ IRSM
{
M I
最大反向
（夹紧
浪涌
反向
电压）
当前
泄漏
VRSM
IRSM
{
@ VRWM
（伏）
（安培）
IR（ μA ）
钳位电压
峰值脉冲
目前@
Ipp1
{
= 1 A
VC1
（伏特最大值）
峰值脉冲
目前@
Ipp1
{
= 10 A
VC2
（伏特最大值）
JEDEC
设备
注1
设备
注1
1N6373
1N6374
1N6382
1N6375
1N6383
1N6376
1N6384
1N6377
1N6385
1N6378
1N6386
1N6379
1N6387
1N6380
1N6388
1N6381
1N6389
ICTE-5
/MPTE-5
ICTE-8/MPTE-8
ICTE-8C/MPTE-8C
ICTE-10/MPTE-10
ICTE-10C/MPTE-10C
ICTE-12/MPTE-12
ICTE-12C/MPTE-12C
ICTE-15/MPTE-15
ICTE-15C/MPTE-15C
ICTE-18/MPTE-18
ICTE-18C/MPTE-18C
ICTE-22/MPTE-22
ICTE-22C/MPTE-22C
ICTE-36/MPTE-36
ICTE-36C/MPTE-36C
ICTE-45/MPTE-45
ICTE-45C/MPTE-45C
6
9.4
9.4
11.7
11.7
14.1
14.1
17.6
17.6
21.2
21.2
25.9
25.9
42.4
42.4
52.9
52.9
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
5
8
8
10
10
12
12
15
15
18
18
22
22
36
36
45
45
300
25
25
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
160
100
100
90
90
70
70
60
60
50
50
40
40
23
23
19
19
9.4
15
15
16.7
16.7
21.2
21.2
25
25
30
30
37.5
37.5
65.2
65.2
78.9
78.9
7.1
11.3
11.4
13.7
14.1
16.1
16.7
20.1
20.8
24.2
24.8
29.8
30.8
50.6
50.6
63.3
63.3
7.5
11.5
11.6
14.1
14.5
16.5
17.1
20.6
21.4
25.2
25.5
32
32
54.3
54.3
70
70
注1 ：C后缀表示的标准背到背双向的版本。测试两极。 JEDEC的设备类型1N6382 1N6389直通注册为背靠背的双向版本和
不需要一个C后缀。 1N6373 1N6381直通注册为单向设备（不使用双向选择） 。
***
表示JEDEC注册的数据。
***
1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟最大。
***瞬态抑制器通常根据最高反向关态电压（ VRWM ），这应该等于或大于直流或连续峰值工作选
***
电压电平。
{
{
浪涌电流波形按照图5和每个一般数据中的图2的降额 - 在这个组的开始1500 W 。
{ {
VBR处测量脉冲测试电流的IT在25 ℃的环境温度下进行。
＃ VF仅适用于单向的设备。
500瓦峰值功率数据表
4-2
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
100
峰值脉冲降额的％
峰值功率或电流@ TA = 25
°
C
不重复
脉冲波形
如图5中所示
PP ，峰值功率（kw ）
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
TA ，环境温度（ ° C）
10
1
s
0.1
1
s
10
s
100
s
1毫秒
10毫秒
总磷，脉冲宽度
图1.脉冲额定值曲线
图2.脉冲降额曲线
1N6373 ， ICTE - 5 ， MPTE - 5 ，
通过
1N6389 ， ICTE - 45 ，C ， MPTE - 45 ，C
10,000
标准@
零偏压
10,000
1N6267A/1.5KE6.8A
通过
1N6303A/1.5KE200A
标准@
零偏压
C，电容（pF ）
1000
标准@
对峙
电压（ VR ）
C，电容（pF ）
1000
标准@
对峙
电压（ VR ）
100
100
10
1
10
100
1000
BV ，击穿电压（伏）
10
1
10
100
1000
BV ，击穿电压（伏）
图3.电容与击穿电压
PD ，稳态功耗（瓦）
3/8″
5
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100 125 150 175
TL ，焊接温度（ ° C）
200
0
0
3/8″
值（％）
100
tr
峰值 - IRSM
脉冲宽度（ TP）的定义
因为这地步
峰值电流衰减到50 ％
IRSM 。作者：
tr
≤
10
s
IRSM
2
半值 -
50
tP
1
2
吨，时间（ ms）的
3
4
图4.稳态功率降额
粗体，斜体列出的设备是摩托罗拉的首选设备。
图5.脉冲波形
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500瓦峰值功率数据表
4-3
1N6373 ， ICTE - 5 ， MPTE - 5 ，
通过
1N6389 ， ICTE - 45 ，C ， MPTE - 45 ，C
1000
500
I Z ，齐纳电流（ AMPS ）
200
100
50
20
10
5
2
1
0.3
0.5 0.7 1
2
3
5 7 10
20 30
V
Z，瞬加在VZ VZ以上（ NOM ） （伏）
1
0.7
0.5
0.3
降额因子
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
10
s
0.01
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
D，占空比（ ％ ）
20
TL = 25°C
TP = 10
s
VZ （ NOM ）= 6.8至13 V
20 V
43 V
24 V
1000
500
I Z ，齐纳电流（ AMPS ）
200
100
50
20
10
5
2
1
TL = 25°C
TP = 10
s
1N6267A/1.5KE6.8A
通过
1N6303A/1.5KE200A
VZ （ NOM ）= 6.8至13 V
20 V
24 V
43 V
75 V
180 V
120 V
0.3
0.5 0.7 1
2
3
5 7 10
20 30
V
Z，瞬加在VZ VZ以上（ NOM ） （伏）
图6.动态阻抗
脉冲宽度
10毫秒
1毫秒
100
s
50
100
图7.典型的降额因子的占空比
应用笔记
响应时间
在大多数应用中，瞬变抑制器装置是
平行放置，所述设备或部件被亲
tected 。在这种情况下，有一个与相关联的时间延迟
该器件的电容和过冲情况─
sociated与所述设备和所述电感器的电感
的连接方法。电容效应是次要的
在并联保护方案的重要性，因为它仅
产生中的时间延迟从所述操作过渡电压
年龄到钳位电压为如图A所示。
在器件中的电感效应是由于实际的导通
所需的设备的时间（时间去从零电流到全
电流）和引线电感。这种诱导效应产生
在两端的电压的设备的过冲或
部件的保护，如图B.最小化
这种过冲是在应用程序中非常重要，因为
用于把一个瞬态抑制器主要目的是夹紧
电压尖峰。这些器件具有优良的响应时间，
通常在皮秒范围和可忽略的电感。
但是，外部感应效果可能会产生不可接受
能过冲。正确的电路布局，最小导线长度
500瓦峰值功率数据表
4-4
及将所述抑制器装置尽可能接近的
设备或部件被保护将最大限度地减少这种
过冲。
由寻代表的一些输入阻抗是必要的
防止所述保护装置的过应力。这种阻抗
应尽可能地高，而不限制电路OP-
累加器。
占空比降额
图1的数据适用于不重复的条件
并在25 ℃的铅温度。如果占空比增大，
通过的曲线所指示的峰值功率必须减少
图7.平均功耗必须降低为主角或
环境温度上升到高于25 ℃。平均功率
降额曲线上的数据表，通常给出可能
归一化，并用于此目的。
乍一看图7的降额曲线似乎是在
误差为10毫秒的脉冲具有比所述较高的降级因数
10
s
脉搏。然而，当给出一个降额因子
脉冲图7的相乘的峰值功率值
图1为相同的脉冲，其结果遵循预期
的趋势。
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
通常的保护电路
寻
VIN
负载
VL
V
VIN（瞬态）
VL
V
过冲DUE TO
电感效应
VIN（瞬态）
VL
VIN
td
TD = TIME DELAY由于电容的影响
t
t
网络连接gure 8 。
图9 。
UL认证*
整个系列拥有
美国保险商实验室认可
为保护下的UL分级（ QVGV2 ）
标准安全497B和文件＃ 116110 。很多竞争者
仅具有一个或两个设备的认可或具有识别
在非保护类别。一些竞争对手都没有
识别的。随着UL497B认可，我们的零件
顺利通过了多次测试，包括触发电压
故障测试，耐力空调，温度测试，
介质耐压试验，排放试验和几
更多。
然而，一些竞争对手只通过了flammabil-
试验性的包装材料，我们已经认识到
更要包括在他们的保护范畴。
*适用于1.5KE6.8A ， CA直通1.5KE250A ， CA
粗体，斜体列出的设备是摩托罗拉的首选设备。
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500瓦峰值功率数据表
4-5
ICTE5.0通ICTE18C ， 1N6373 1N6386直通
威世通用半导体
T
RANS
Z
ORB
瞬态电压抑制器
特点
玻璃钝化结
提供单向和双向
1500瓦峰值脉冲功率能力
10/1000微秒波形，重复率（税
周期） ：0.01％
出色的钳位能力
非常快的响应时间
低增量浪涌电阻
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
使用对电压敏感的电子设备保护
诱发感性负载开关瞬变
和照明的芯片， MOSFET ，传感器的信号线
单位消费，计算机，工业和
电信。
机械数据
案例：
环氧树脂成型机身超过钝化路口
塑封料符合UL 94 V- 0阻燃
等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级
底座P / NHE3 - 符合RoHS标准，高可靠性/
汽车级（ AEC Q101标准）
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须试验， HE3
后缀符合JESD 201级2晶须测试
极性：
对于单向类型的色带
端为负极，在双向无标记
类型
机箱样式1.5KE
主要特征
V
WM
P
PPM
P
D
I
FSM
T
J
马克斯。
5.0 V至18 V
1500 W
6.5 W
200 A
175 °C
用于双向应用的器件
对于双向类型，用C后缀（如ICTE - 18C ） 。
电特性的应用中是双向的。
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
峰值脉冲功率耗散与10/1000微秒波形
(1)
（图1）的
峰值脉冲电流具有10/1000微秒
波形
(1)
（图。
3)
符号
P
PPM
I
PPM
P
D
I
FSM
V
F
T
J
, T
英镑
极限
1500
看下表
6.5
200
3.5
- 55 + 175
单位
W
A
W
A
V
°C
在无限散热器在T功耗
L
= 75℃ （图8）的
只有峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波单向
(2)
在100 A最大瞬时正向电压仅为单向
工作结存储温度范围
注意事项：
（1）非重复性的电流脉冲，每个图3及以上的牛逼降额
A
= 25 ℃，每图。 2
（ 2 ） 8.3ms单一正弦半波，占空比= 4个脉冲每分钟最高
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ICTE5.0通ICTE18C ， 1N6373 1N6386直通
威世通用半导体
电气特性（ JEDEC注册的数据）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
JEDEC TYPE
数
一般
半导体
产品型号
对峙
电压
V
WM
(V)
最低
(3)
击穿
电压
AT 1.0毫安
V
BR
(V)
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D
(A)
最大
夹紧
电压
在我
PP
= 1.0 A
V
C
(V)
最大
夹紧
电压
I
PP
= 10 A
V
C
(V)
最大
PEAK
脉冲
当前
I
PP
(A)
单向类型
1N6373
(2)
1N6374
1N6375
1N6376
1N6377
1N6378
ICTE-5
(2)
ICTE-8
ICTE-10
ICTE-12
ICTE-15
ICTE-18
5.0
8.0
10.0
12.0
15.0
18.0
6.0
9.4
11.7
14.1
17.6
21.2
300
25.0
2.0
2.0
2.0
2.0
7.1
11.3
13.7
16.1
20.1
24.2
7.5
11.5
14.1
16.5
20.6
25.2
160
100
90
70
60
50
双向类型
1N6382
1N6383
1N6384
1N6385
1N6386
注意事项：
（ 1 ） “C”后缀表示双向
（ 2 ） ICTE -5和1N6373不可用作双向
（3）所示的最小击穿电压考虑到对电力供给调整上通常所指明的±1 V耐压
最集成电路制造商的数据手册。请咨询厂家对于需要降低钳位电压，其中更严格的设备
稳压电源电压采用
（ 4 ）夹紧因素：在全额定功率1.33 ; 1.20在50 ％额定功率;夹紧因子：在实际的V之比
C
（钳位电压）到
V
BR
（击穿电压），为测定特定的设备上
ICTE-8C
ICTE-10C
ICTE-12C
ICTE-15C
ICTE-18C
8.0
10.0
12.0
15.0
18.0
9.4
11.7
14.1
17.6
21.2
50.0
2.0
2.0
2.0
2.0
11.4
14.1
16.7
20.8
24.8
11.6
14.5
17.1
21.4
25.5
100
90
70
60
50
订购信息
（例）
首选的P / N
ICTE-5-E3/54
ICTE-5HE3/54
(1)
注意：
（ 1 ）汽车级AEC Q101标准
单位重量（g ）
0.968
0.968
首选包装代码
54
54
基地数量
1400
1400
配送方式
直径13"纸胶带和卷轴
直径13"纸胶带和卷轴
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威世通用半导体
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
100
100 000
P
PPM
- 峰值脉冲功率（kW ）
C
J
- 结电容（pF ）
不重复
脉冲
波形
示于图。 3
T
A
= 25 °C
10
在测
零偏压
10 000
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
1
1000
测量对峙
电压V
WM
0.1
0.1
s
1.0
s
10
s
100
s
1.0毫秒
10毫秒
100
1.0
10
100
200
t
d
- 脉冲
宽度
(s)
V
BR
- 击穿
电压
(V)
图1.额定峰值脉冲功率曲线
图4.典型结电容单向
峰值脉冲功率（P
PP
）或电流（I
PP
)
降容的百分比，
%
100
100 000
75
C
J
- 结电容（pF ）
在测
零偏压
双向型
10 000
不重复
脉冲
波形
示于图。 3
T
A
= 25 °C
50
1000
25
测量对峙
电压V
WM
100
1.0
10
100
200
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
J
- 初始温度（ ℃）
V
BR
- 击穿
电压
(V)
图2.脉冲功率或电流与初始结温
图5.典型结电容
I
FSM
- 峰值正向浪涌电流（ A）
150
I
PPM
- 峰值脉冲电流，
%
I
RSM
t
r
= 10
s
PEAK
价值
I
PPM
T
J
= 25 °C
脉冲
宽度
(t
d
)
被定义为点
哪里
峰值电流
衰减到50
%
我
PPM
200
T
J
= T
J
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
100
100
半
价值
- I
PP
I
PPM
2
50
10/1000
μs的波形
定义
by
R.E.A.
t
d
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
50
10
1
5
10
50
100
吨 - 时间（ms ）
数
环，在60赫兹的
图3.脉冲波形
图6.最大非重复正向浪涌电流
只有单向
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威世通用半导体
50
只有单向
T
A
= 25 °C
8.0
7.0
I
PP
- 峰值脉冲电流（ A）
P
D
- 功耗（ W）
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
L = 0.375"毫米（9.5毫米）
导线长度
10
ICTE-15
ICTE-18
ICTE-10
ICTE-12
ICTE-8
ICTE-5
1
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
V
C
- 钳位
电压
(V)
T
L
- 焊接温度（ ° C）
图7.典型特征钳位电压
图8.功率降额曲线
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
机箱样式1.5KE
1.0 (25.4)
分钟。
0.210 (5.3)
0.190 (4.8)
DIA 。
0.375 (9.5)
0.285 (7.2)
1.0 (25.4)
分钟。
0.042 (1.07)
0.038 (0.96)
DIA 。
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应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
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MDE半导体公司
78-150卡莱坦皮科，股210 ，拉昆塔，CA ， USA 92253电话： 760-564-8656 传真： 760-564-2414
1-800-831-4881电子邮件： sales@mdesemiconductor.com网址： www.mdesemiconductor.com
ICTE5.0到ICTE15C MPTE -5至MPTE -45
1N6373 1N6381到1N6382和1N6389来
玻璃钝化结瞬态电压抑制器
STANDOFF电压 - 5.0 45.0V
1500瓦峰值功率
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V-0
玻璃模压塑料封装钝化结
在1ms的1500W浪涌能力
出色的钳位能力
低齐纳inpedance
快速的响应时间：通常小于
从0伏1.0 ps至BV分钟。
典型的IR小于1μA ，高于10V
高温焊接保证：
250 ° C. / 10秒/ 0.375" ，设计（9.5mm ）导线
长度， 5磅，（ 2.3公斤）张力
包括直通1N6385 1N6373
机械数据
案例： JEDEC DO - 201模压塑料
端子：镀轴向引线，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：色环表示正端（阴极）
除双极
安装位置：任意
重量： 0.045盎司， 1.2克
最大额定值和特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
等级
在TA = 25 ° C峰值脉冲功率耗散， TP = 1毫秒
（注1 ）
符号
P
PPM
I
PPM
价值
最低1500
参照表1
5.0
200
3.5
-55 +175
单位
瓦
安培
瓦
安培
伏特
°C
对10/1000微秒波形峰值脉冲电流
（注1 ）
稳态功耗为
T
L
= 75°C
引线长度0.375" ， 9.5毫米
（注2 ）
峰值正向浪涌电流8.3ms单正弦半波
叠加在额定负荷，
（JEDEC的方法） （注3）
最大正向电压在100A的
只有单向的
Operatings和存储温度范围
P
M
（AV）
I
FSM
V
F
T
J
, T
英镑
注意事项：
1.非重复性电流脉冲，每个图3及以上每2所示的Ta = 25°C降额。
2.安装在铜焊盘每5所示面积0.8x0.8" （ 20x20mm ） 。
3. 8.3ms单半正弦波，或等效的方波，占空比= 4个脉冲每分钟最多。
认证符合RoHS
UL文件号： E223026
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ICTE5.0到ICTE15C MPTE -5至MPTE -45
1N6373 1N6381到1N6382和1N6389来
玻璃钝化结瞬态电压抑制器
STANDOFF电压 - 5.0 45.0V
1500瓦峰值功率
最低
反向
最低
最大
夹紧
STANDOFF反向击穿
电压
电压
电压
泄漏
（VC ） @
（ VRWM ）
VBR @ 1毫安
IR @ VR
Ipp=1A
(V)
（伏）
(A)
（伏）
最大
夹紧
电压
（VC ） @
Ipp=1A
（伏）
最大
PEAK
脉冲
当前
IPP （ A）
产品编号
ICTE-5*
ICTE-8
ICTE-10
ICTE-12
ICTE-15
ICTE-18
ICTE-22
ICTE-36
ICTE-45
ICTE-8C
ICTE-10C
ICTE-12C
ICTE-15C
ICTE-18C
ICTE-22C
ICTE-36C
ICTE-45C
1N6373
1N6374
1N6375
1N6376
1N6377
1N6378
1N6379
1N6380
1N6381
1N6382
1N6383
1N6384
1N6385
1N6386
1N6387
1N6388
1N6389
MPTE-5*
MPTE-8
MPTE-10
MPTE-12
MPTE-15
MPTE-18
MPTE-22
MPTE-36
MPTE-45
MPTE-8C
MPTE-10C
MPTE-12C
MPTE-15C
MPTE-18C
MPTE-22C
MPTE-36C
MPTE-45C
5*
8.0
10.0
12.0
15.0
18.0
22.0
36.0
45.0
8.0
10.0
12.0
15.0
18.0
22.0
36.0
45.0
6.0
9.4
11.7
14.1
17.6
21.2
25.9
42.4
52.9
9.4
11.7
14.1
17.6
21.2
25.9
42.4
52.9
300.0
25.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
50
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
7.1
11.3
13.7
16.1
20.1
24.2
29.8
50.6
63.3
11.4
14.1
16.7
20.8
24.8
30.8
50.6
63.3
7.5
11.5
14.1
16.5
20.6
25.2
32.0
54.3
70.0
11.6
14.5
17.1
21.4
25.5
32.0
54.3
70.0
160.0
100.0
90.0
70.0
60.0
50.0
40.0
23.0
19.0
100.0
90.0
70.0
60.0
50.0
40.0
23.0
19.0
* ICTE -5不处于双向可用。
认证符合RoHS
UL文件号： E223026
后缀“C”表示双向设备。
摩托罗拉
半导体
技术参数
1500瓦MOSORB
综合参数适用于所有系列中
本组
1N6373A
系列
1500 WATT
峰值功率
MOSORB
齐纳管
短暂
抑制器
6.2-250伏
1500瓦峰值功率
5瓦稳态
齐纳瞬态电压抑制器
单向和双向
Mosorb设备旨在保护电压敏感元件由高电压
年龄，高能量瞬变。他们有出色的钳位能力，高浪涌capabili-
TY ，低阻抗齐纳和快速响应时间。这些设备是摩托罗拉独家的，
高性价比，高可靠性的Surmetic轴向引线封装，是理想的适合于使用
在通信系统中，数值控制，过程控制，医疗设备，
商用机器，电源和许多其它工业/消费应用，以
保护CMOS ， MOS和双极型集成电路。
规格特点：
标准电压范围 - 6.2 250 V
峰值功率 - 1500瓦@ 1毫秒
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5
A
上述10 V
UL认证
响应时间通常< 1纳秒
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀和信息很容易焊
极性：
阴极指示的极性带。当齐纳二极管模式中操作，将
相对于阳极正
安装位置：
任何
晶圆厂地点：
亚利桑那州凤凰城
装配/测试地点：
墨西哥瓜达拉哈拉
最大额定值
等级
峰值功耗（ 1 ）
@ TL
≤
25°C
稳定状态下的功耗
@ TL
≤
75 ° C，引线长度= 3/8 “
上述TL降额= 75℃
正向浪涌电流（ 2 ）
@ TA = 25°C
工作和存储温度范围
铅的温度不超过1/16以下“从壳体10秒230℃
注：按照图5 1.非重复性电流脉冲及以上按照图2 TA = 25°C降额。
注意事项：
2. 1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟最大。
CASE 41A
塑料
符号
PPK
PD
价值
1500
5
50
单位
瓦
瓦
毫瓦/°C的
安培
°C
IFSM
TJ ， TSTG
200
- 65 +175
粗体，斜体列出的设备是摩托罗拉的首选设备。
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500瓦峰值功率数据表
4-1
*电气特性
（ TA = 25 ° C除非另有说明） VF ＃ = 3.5 V最大， IF ** = 100 A） （C后缀表示的标准
电气特性
背靠背双向的版本。测试两极）
击穿
{{
最大
电压
反向
对峙
电压
VBR
伏@ IT VRWM ***
民
（MA ）
（伏）
最大
反向
电压
最大
@ IRSM
{
M I
最大反向
（夹紧
浪涌
反向
电压）
当前
泄漏
VRSM
IRSM
{
@ VRWM
（伏）
（安培）
IR（ μA ）
钳位电压
峰值脉冲
目前@
Ipp1
{
= 1 A
VC1
（伏特最大值）
峰值脉冲
目前@
Ipp1
{
= 10 A
VC2
（伏特最大值）
JEDEC
设备
注1
设备
注1
1N6373
1N6374
1N6382
1N6375
1N6383
1N6376
1N6384
1N6377
1N6385
1N6378
1N6386
1N6379
1N6387
1N6380
1N6388
1N6381
1N6389
ICTE-5
/MPTE-5
ICTE-8/MPTE-8
ICTE-8C/MPTE-8C
ICTE-10/MPTE-10
ICTE-10C/MPTE-10C
ICTE-12/MPTE-12
ICTE-12C/MPTE-12C
ICTE-15/MPTE-15
ICTE-15C/MPTE-15C
ICTE-18/MPTE-18
ICTE-18C/MPTE-18C
ICTE-22/MPTE-22
ICTE-22C/MPTE-22C
ICTE-36/MPTE-36
ICTE-36C/MPTE-36C
ICTE-45/MPTE-45
ICTE-45C/MPTE-45C
6
9.4
9.4
11.7
11.7
14.1
14.1
17.6
17.6
21.2
21.2
25.9
25.9
42.4
42.4
52.9
52.9
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
5
8
8
10
10
12
12
15
15
18
18
22
22
36
36
45
45
300
25
25
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
160
100
100
90
90
70
70
60
60
50
50
40
40
23
23
19
19
9.4
15
15
16.7
16.7
21.2
21.2
25
25
30
30
37.5
37.5
65.2
65.2
78.9
78.9
7.1
11.3
11.4
13.7
14.1
16.1
16.7
20.1
20.8
24.2
24.8
29.8
30.8
50.6
50.6
63.3
63.3
7.5
11.5
11.6
14.1
14.5
16.5
17.1
20.6
21.4
25.2
25.5
32
32
54.3
54.3
70
70
注1 ：C后缀表示的标准背到背双向的版本。测试两极。 JEDEC的设备类型1N6382 1N6389直通注册为背靠背的双向版本和
不需要一个C后缀。 1N6373 1N6381直通注册为单向设备（不使用双向选择） 。
***
表示JEDEC注册的数据。
***
1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟最大。
***瞬态抑制器通常根据最高反向关态电压（ VRWM ），这应该等于或大于直流或连续峰值工作选
***
电压电平。
{
{
浪涌电流波形按照图5和每个一般数据中的图2的降额 - 在这个组的开始1500 W 。
{ {
VBR处测量脉冲测试电流的IT在25 ℃的环境温度下进行。
＃ VF仅适用于单向的设备。
500瓦峰值功率数据表
4-2
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
100
峰值脉冲降额的％
峰值功率或电流@ TA = 25
°
C
不重复
脉冲波形
如图5中所示
PP ，峰值功率（kw ）
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
TA ，环境温度（ ° C）
10
1
s
0.1
1
s
10
s
100
s
1毫秒
10毫秒
总磷，脉冲宽度
图1.脉冲额定值曲线
图2.脉冲降额曲线
1N6373 ， ICTE - 5 ， MPTE - 5 ，
通过
1N6389 ， ICTE - 45 ，C ， MPTE - 45 ，C
10,000
标准@
零偏压
10,000
1N6267A/1.5KE6.8A
通过
1N6303A/1.5KE200A
标准@
零偏压
C，电容（pF ）
1000
标准@
对峙
电压（ VR ）
C，电容（pF ）
1000
标准@
对峙
电压（ VR ）
100
100
10
1
10
100
1000
BV ，击穿电压（伏）
10
1
10
100
1000
BV ，击穿电压（伏）
图3.电容与击穿电压
PD ，稳态功耗（瓦）
3/8″
5
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100 125 150 175
TL ，焊接温度（ ° C）
200
0
0
3/8″
值（％）
100
tr
峰值 - IRSM
脉冲宽度（ TP）的定义
因为这地步
峰值电流衰减到50 ％
IRSM 。作者：
tr
≤
10
s
IRSM
2
半值 -
50
tP
1
2
吨，时间（ ms）的
3
4
图4.稳态功率降额
粗体，斜体列出的设备是摩托罗拉的首选设备。
图5.脉冲波形
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500瓦峰值功率数据表
4-3
1N6373 ， ICTE - 5 ， MPTE - 5 ，
通过
1N6389 ， ICTE - 45 ，C ， MPTE - 45 ，C
1000
500
I Z ，齐纳电流（ AMPS ）
200
100
50
20
10
5
2
1
0.3
0.5 0.7 1
2
3
5 7 10
20 30
V
Z，瞬加在VZ VZ以上（ NOM ） （伏）
1
0.7
0.5
0.3
降额因子
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
10
s
0.01
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
D，占空比（ ％ ）
20
TL = 25°C
TP = 10
s
VZ （ NOM ）= 6.8至13 V
20 V
43 V
24 V
1000
500
I Z ，齐纳电流（ AMPS ）
200
100
50
20
10
5
2
1
TL = 25°C
TP = 10
s
1N6267A/1.5KE6.8A
通过
1N6303A/1.5KE200A
VZ （ NOM ）= 6.8至13 V
20 V
24 V
43 V
75 V
180 V
120 V
0.3
0.5 0.7 1
2
3
5 7 10
20 30
V
Z，瞬加在VZ VZ以上（ NOM ） （伏）
图6.动态阻抗
脉冲宽度
10毫秒
1毫秒
100
s
50
100
图7.典型的降额因子的占空比
应用笔记
响应时间
在大多数应用中，瞬变抑制器装置是
平行放置，所述设备或部件被亲
tected 。在这种情况下，有一个与相关联的时间延迟
该器件的电容和过冲情况─
sociated与所述设备和所述电感器的电感
的连接方法。电容效应是次要的
在并联保护方案的重要性，因为它仅
产生中的时间延迟从所述操作过渡电压
年龄到钳位电压为如图A所示。
在器件中的电感效应是由于实际的导通
所需的设备的时间（时间去从零电流到全
电流）和引线电感。这种诱导效应产生
在两端的电压的设备的过冲或
部件的保护，如图B.最小化
这种过冲是在应用程序中非常重要，因为
用于把一个瞬态抑制器主要目的是夹紧
电压尖峰。这些器件具有优良的响应时间，
通常在皮秒范围和可忽略的电感。
但是，外部感应效果可能会产生不可接受
能过冲。正确的电路布局，最小导线长度
500瓦峰值功率数据表
4-4
及将所述抑制器装置尽可能接近的
设备或部件被保护将最大限度地减少这种
过冲。
由寻代表的一些输入阻抗是必要的
防止所述保护装置的过应力。这种阻抗
应尽可能地高，而不限制电路OP-
累加器。
占空比降额
图1的数据适用于不重复的条件
并在25 ℃的铅温度。如果占空比增大，
通过的曲线所指示的峰值功率必须减少
图7.平均功耗必须降低为主角或
环境温度上升到高于25 ℃。平均功率
降额曲线上的数据表，通常给出可能
归一化，并用于此目的。
乍一看图7的降额曲线似乎是在
误差为10毫秒的脉冲具有比所述较高的降级因数
10
s
脉搏。然而，当给出一个降额因子
脉冲图7的相乘的峰值功率值
图1为相同的脉冲，其结果遵循预期
的趋势。
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
通常的保护电路
寻
VIN
负载
VL
V
VIN（瞬态）
VL
V
过冲DUE TO
电感效应
VIN（瞬态）
VL
VIN
td
TD = TIME DELAY由于电容的影响
t
t
网络连接gure 8 。
图9 。
UL认证*
整个系列拥有
美国保险商实验室认可
为保护下的UL分级（ QVGV2 ）
标准安全497B和文件＃ 116110 。很多竞争者
仅具有一个或两个设备的认可或具有识别
在非保护类别。一些竞争对手都没有
识别的。随着UL497B认可，我们的零件
顺利通过了多次测试，包括触发电压
故障测试，耐力空调，温度测试，
介质耐压试验，排放试验和几
更多。
然而，一些竞争对手只通过了flammabil-
试验性的包装材料，我们已经认识到
更要包括在他们的保护范畴。
*适用于1.5KE6.8A ， CA直通1.5KE250A ， CA
粗体，斜体列出的设备是摩托罗拉的首选设备。
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500瓦峰值功率数据表
4-5
MDE半导体公司
78-150卡莱坦皮科，股210 ，拉昆塔， CA. USA 92253电话： 760-564-8656 传真： 760-564-2414
ICTE5.0到ICTE15C MPTE -5至MPTE -45
1N6373 1N6381到1N6382和1N6389来
玻璃钝化结瞬态电压抑制器
STANDOFF电压 - 5.0 45.0V
1500瓦峰值功率
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V-0
玻璃模压塑料封装钝化结
在1ms的1500W浪涌能力
出色的钳位能力
低齐纳inpedance
快速的响应时间：通常小于
从0伏1.0 ps至BV分钟。
典型的IR小于1μA ，高于10V
高温焊接保证：
250 ° C. / 10秒/ 0.375" ，设计（9.5mm ）导线
长度， 5磅，（ 2.3公斤）张力
包括直通1N6385 1N6373
机械数据
案例： JEDEC DO - 201模压塑料
端子：镀轴向引线，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：色环表示正端（阴极）
除双极
安装位置：任意
重量： 0.045盎司， 1.2克
最大额定值和特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
等级
在TA = 25 ° C峰值脉冲功率耗散， TP = 1毫秒
（注1 ）
符号
P
PPM
IPPM
价值
最低1500
参照表1
5.0
200
3.5
-55 +175
单位
瓦
安培
瓦
安培
伏特
°C
对10/1000微秒波形峰值脉冲电流
（注1 ）
稳态功耗为
T
L
= 75°C
引线长度0.375" ， 9.5毫米
（注2 ）
峰值正向浪涌电流8.3ms单正弦半波
叠加在额定负荷，
（JEDEC的方法） （注3）
最大正向电压在100A的
只有单向的
Operatings和存储温度范围
P
M（ AV）在
I
FSM
Vf
TJ ， TSTG
注意事项：
1.非重复性电流脉冲，每个图3及以上每2所示的Ta = 25°C降额。
2.安装在铜焊盘每5所示面积0.8x0.8" （ 20x20mm ） 。
3. 8.3ms单半正弦波，或等效的方波，占空比= 4个脉冲每分钟最多。
8/6/2002
MDE半导体公司
78-150卡莱坦皮科，股210 ，拉昆塔， CA. USA 92253电话： 760-564-8656 传真： 760-564-2414
ICTE5.0土特产品ICTE15C MPTE - 5 MPTE -45
1N6373 1N6381到1N6382和1N6389来
玻璃钝化结瞬态电压抑制器
STANDOFF电压 - 5.0 45.0V
1500瓦峰值功率
反向
最低
STANDOFF击穿
电压
电压
（ VRWM ）
VBR @ 1毫安
(V)
（伏）
最大
反向
泄漏
IR @ VR
(A)
最大
最大
最大
夹紧
夹紧
PEAK
电压
电压
脉冲
（VC ） @
（VC ） @伊普= 1A电流
Ipp=1A
（伏）
IPP （ A）
（伏）
产品编号
ICTE-5*
ICTE-8
ICTE-10
ICTE-12
ICTE-15
ICTE-18
ICTE-22
ICTE-36
ICTE-45
ICTE-8C
ICTE-10C
ICTE-12C
ICTE-15C
ICTE-18C
ICTE-22C
ICTE-36C
ICTE-45C
1N6373
1N6374
1N6375
1N6376
1N6377
1N6378
1N6379
1N6380
1N6381
1N6382
1N6383
1N6384
1N6385
1N6386
1N6387
1N6388
1N6389
MPTE-5*
MPTE-8
MPTE-10
MPTE-12
MPTE-18
MPTE-18
MPTE-22
MPTE-36
MPTE-45
MPTE-8C
MPTE-10C
MPTE-12C
MPTE-15C
MPTE-18C
MPTE-22C
MPTE-36C
MPTE-45C
5*
8.0
10.0
12.0
15.0
18.0
22.0
36.0
45.0
8.0
10.0
12.0
15.0
18.0
22.0
36.0
45.0
6.0
9.4
11.7
14.1
17.6
21.2
25.9
42.4
52.9
9.4
11.7
14.1
17.6
21.2
25.9
42.4
52.9
300.0
25.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
50
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
7.1
11.3
13.7
16.1
20.1
24.2
29.8
50.6
63.3
11.4
14.1
16.7
20.8
24.8
30.8
50.6
63.3
7.5
11.5
14.1
16.5
20.6
25.2
32.0
54.3
70.0
11.6
14.5
17.1
21.4
25.5
32.0
54.3
70.0
160.0
100.0
90.0
70.0
60.0
50.0
40.0
23.0
19.0
100.0
90.0
70.0
60.0
50.0
40.0
23.0
19.0
* ICTE -5不处于双向可用。
后缀“C”表示双向设备。
1N6373 - 1N6381系列
（ ICTE -5 - ICTE -36，
MPTE -5 - MPTE -45）
1500瓦峰值功率
Mosorb 齐纳瞬态
电压抑制器
单向*
Mosorb设备旨在保护电压敏感
组件由高电压，高能量瞬变。他们有
出色的钳位能力，高浪涌能力，低齐纳
阻抗和快速响应时间。这些设备是
安森美半导体专有的，高性价比，高可靠性
Surmetic 轴向引线封装，是理想的适合于用在
通信系统，数控系统，过程控制，
医疗设备，商用机器，电源和许多
其他工业/消费应用，以保护CMOS ， MOS和
双极集成电路。
规格特点：
阴极
阳极
http://onsemi.com
轴向引线
CASE 41A
塑料
L
MPTE
–xx
1N
63xx
YYWW
L
ICTE
–xx
YYWW
L =大会地点
MPTE -XX = ON器件代码
ICTE -XX = ON器件代码
1N63xx = JEDEC器件代码
YY =年
WW =工作周
工作峰值反向电压范围 - 5 V至45 V
峰值功率 - 1500瓦@ 1毫秒
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5
mA
上述10 V
响应时间通常< 1纳秒
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀和导线
随手可焊
最大的铅焊接温度的目的：
230_C ， 1/16“从10秒的情况下
极性：
阴极指示的极性带
安装位置：
任何
最大额定值
等级
峰值功耗（注1 ）
@ T
L
≤
25°C
稳定状态下的功耗
@ T
L
≤
75 ° C，引线长度= 3/8 “
上述牛逼降额
L
= 75°C
热阻，结到铅
正向浪涌电流（注2 ）
@ T
A
= 25°C
工作和存储
温度范围
符号
P
PK
P
D
价值
1500
5.0
20
R
qJL
I
FSM
T
J
, T
英镑
20
200
- 65
+175
单位
瓦
瓦
毫瓦/°C的
° C / W
安培
°C
订购信息
设备
MPTE -XX
MPTE–xxRL4
ICTE -XX
ICTE–xxRL4
1N63xx
1N63xxRL4*
包
轴向引线
轴向引线
轴向引线
轴向引线
轴向引线
轴向引线
航运
500单位/箱
1500 /磁带&卷轴
500单位/箱
1500 /磁带&卷轴
500单位/箱
1500 /磁带&卷轴
*请参阅1N6382 - 1N6389 （ ICTE - 10C - ICTE - 36C ， MPTE - 8C - MPTE -45C ）
对于双向器件
注意事项：
按照图5和der- 1.非重复性电流脉冲
上述牛逼ated
A
= 25 ℃，按照图2 。
2. 1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW =
8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟马克西 -
妈妈。
* 1N6378不可用1500 /磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年6月 - 第2版
出版订单号：
1N6373/D
1N6373 - 1N6381系列（ ICTE -5 - ICTE -36， MPTE -5 - MPTE -45）
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 3.5 V最大。 @我
F
（注3 ） = 100 A）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
QV
BR
I
F
V
F
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
V的最大温度变化
BR
正向电流
正向电压@ I
F
I
PP
V
C
V
BR
V
RWM
I
R
V
F
I
T
V
I
F
I
单向TVS
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 3.5 V最大。 @我
F
（注3 ） = 100 A）
JEDEC
设备
（器件）
1N6373
(MPTE–5)
1N6374
(MPTE–8)
1N6375
(MPTE–10)
1N6376
(MPTE–12)
1N6377
(MPTE–15)
1N6378*
(MPTE–18)
1N6379
(MPTE–22)
1N6380
(MPTE–36)
1N6381
(MPTE–45)
ICTE–5
ICTE–10
ICTE–12
ICTE–15
ICTE–18
ICTE–22
ICTE–36
V
RWM
（注4 ）
（伏）
5.0
8.0
10
12
15
18
22
36
45
5.0
10
12
15
18
22
36
I
R
@
V
RWM
（MA ）
300
25
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
300
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
击穿电压
V
BR
（注5 。
)
（伏）
民
6.0
9.4
11.7
14.1
17.6
21.2
25.9
42.4
52.9
6.0
11.7
14.1
17.6
21.2
25.9
42.4
喃
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
最大
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
@ I
T
（MA ）
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
C
@ I
PP
（注6 ）
V
C
（伏）
9.4
15
16.7
21.2
25
30
37.5
65.2
78.9
9.4
16.7
21.2
25
30
37.5
65.2
I
PP
(A)
160
100
90
70
60
50
40
23
19
160
90
70
60
50
40
23
V
C
（伏）
（注6 ）
@ I
PP
=
1A
7.1
11.3
13.7
16.1
20.1
24.2
29.8
50.6
63.3
7.1
13.7
16.1
20.1
24.2
29.8
50.6
@ I
PP
=
10 A
7.5
11.5
14.1
16.5
20.6
25.2
32
54.3
70
7.5
14.1
16.5
20.6
25.2
32
54.3
QV
BR
（毫伏/ ° C）
4.0
8.0
12
14
18
21
26
50
60
4.0
8.0
12
14
18
21
26
设备
记号
1N6373
MPTE–5
1N6374
MPTE–8
1N6375
MPTE–10
1N6376
MPTE–12
1N6377
MPTE–15
1N6378*
MPTE–18
1N6379
MPTE–22
1N6380
MPTE–36
1N6381
MPTE–45
ICTE–5
ICTE–10
ICTE–12
ICTE–15
ICTE–18
ICTE–22
ICTE–36
注意事项：
3，方波， PW = 8.3毫秒，不重复的占空比。
4.瞬态抑制器是根据最高工作峰值反向电压通常选择（V
RWM
），这应该等于
或大于直流或连续峰值工作电压电平。
5. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度和最低电压V中
BR
要被控制的。
按照图5和每图1和2减功率6.浪涌电流波形。
*不可用1500 /磁带&卷轴
http://onsemi.com
2
1N6373 - 1N6381系列（ ICTE -5 - ICTE -36， MPTE -5 - MPTE -45）
峰值脉冲降额的％
峰值功率或电流@ TA = 25
°
C
100
不重复
脉冲波形
如图5中所示
PPK ，峰值功率（kw ）
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
T
A
，环境温度（ ° C）
10
1
0.1
ms
1
ms
10
ms
100
ms
1毫秒
10毫秒
t
P
，脉宽
图1.脉冲额定值曲线
图2.脉冲降额曲线
1N6373 ， ICTE - 5 ， MPTE - 5 ，
通过
1N6389 ， ICTE - 45 ，C ， MPTE - 45 ，C
10,000
标准@
零偏压
C，电容（pF ）
1000
测量@ V
RWM
100
10
1
10
100
1000
V
BR
，击穿电压（伏）
图3.电容与击穿电压
PD ，稳态功耗（瓦）
3/8″
IPP ，值（％ ）
5
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100 125 150 175
T
L
，焊接温度（ ° C）
200
0
0
3/8″
100
t
r
≤
10
ms
峰值 - 我
PP
脉冲宽度（T
P
）被定义为
这一点在峰值
电流衰减到我的50 ％
PP
.
半值 -
50
t
P
1
2
I
PP
2
3
4
吨，时间（ ms）的
图4.稳态功率降额
图5.脉冲波形
http://onsemi.com
3
1N6373 - 1N6381系列（ ICTE -5 - ICTE -36， MPTE -5 - MPTE -45）
1N6373 ， ICTE - 5 ， MPTE - 5 ，
通过
1N6389 ， ICTE - 45 ，C ， MPTE - 45 ，C
1000
500
信息技术，测试电流（安培）
200
100
50
20
10
5
2
1
0.3
0.5 0.7 1
2
3
5 7 10
20 30
DV
BR
，瞬加IN V
BR
上述V
BR （ NOM ）
（伏）
T
L
= 25°C
t
P
= 10
ms
V
BR（ MIN）的
= 6.0 11.7 V
19 V
42.4 V
21.2 V
1000
500
信息技术，测试电流（安培）
200
100
50
20
10
5
2
1
0.3
0.5 0.7 1
2
3
5 7 10
20 30
DV
BR
，瞬加IN V
BR
上述V
BR （ NOM ）
（伏）
180 V
120 V
T
L
= 25°C
t
P
= 10
ms
1.5KE6.8CA
通过
1.5KE200CA
V
BR （ NOM ）
= 6.8 13 V
20 V
24 V
43 V
75 V
图6.动态阻抗
1
0.7
0.5
0.3
降额因子
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
10
ms
0.2
0.5
1
2
5
10
D，占空比（ ％ ）
20
50
100
脉冲宽度
10毫秒
1毫秒
100
ms
图7.典型的降额因子的占空比
http://onsemi.com
4
1N6373 - 1N6381系列（ ICTE -5 - ICTE -36， MPTE -5 - MPTE -45）
应用笔记
响应时间
在大多数应用中，瞬变抑制器装置是
平行放置，所述设备或组件是
受保护的。在这种情况下，存在相关联的时间延迟
与器件的电容和过冲
与该装置的电感条件相关联，并且
连接方法的电感。电容
作用是不重要的，在并联保护
方案，因为它只产生的时间延迟，在
从操作电压钳位电压作为过渡
在图8中示出。
在器件中的电感效应是由于实际
开启时间（所需要的设备，从零到时间
到全电流）和引线电感电流。这种感性
效应产生的过冲在整个电压
设备或组件的保护，如图
图9.尽量减少这种过冲是在非常重要
应用中，由于主要目的，用于将瞬时
抑制器是为钳位电压峰值。这些器件具有
良好的反应时间，通常是在皮秒范围
和电感可以忽略不计。但是，外部感应
效果可能会产生不能接受的过冲。正确
电路布局，最小导线长度和放置
抑制装置尽可能接近该设备或
元件被保护将这种过冲最小化。
由Z表示的一些输入阻抗
in
是必不可少的
防止所述保护装置的过应力。这种阻抗
应尽可能地高，而不限制电路
操作。
占空比降额
图1的数据适用于不重复的条件
并在25 ℃的铅温度。如果占空比增大，
由曲线所指示的峰值功率必须减少
图7.平均功耗必须降低为主角或
环境温度上升到高于25 ℃。平均功率
降额曲线上的数据表，通常给出可能
归一化，并用于此目的。
乍一看图7的降额曲线似乎是
错误为10毫秒的脉冲具有比更高的降额系数
10
ms
脉搏。然而，当一降额因子
图7中的给定的脉冲乘以峰值功率值
图1为相同的脉冲，结果按照
预期的趋势。
通常的保护电路
Z
in
V
in
负载
V
L
V
V
in
（瞬态）
V
L
V
过冲DUE TO
电感效应
V
in
（瞬态）
V
L
V
in
t
d
t
D
= TIME DELAY由于电容的影响
t
t
网络连接gure 8 。
图9 。
http://onsemi.com
5
MDE半导体公司
78-150卡莱坦皮科，股210 ，拉昆塔， CA. USA 92253电话： 760-564-8656 传真： 760-564-2414
ICTE5.0到ICTE15C MPTE -5至MPTE -45
1N6373 1N6381到1N6382和1N6389来
玻璃钝化结瞬态电压抑制器
STANDOFF电压 - 5.0 45.0V
1500瓦峰值功率
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V-0
玻璃模压塑料封装钝化结
在1ms的1500W浪涌能力
出色的钳位能力
低齐纳inpedance
快速的响应时间：通常小于
从0伏1.0 ps至BV分钟。
典型的IR小于1μA ，高于10V
高温焊接保证：
250 ° C. / 10秒/ 0.375" ，设计（9.5mm ）导线
长度， 5磅，（ 2.3公斤）张力
包括直通1N6385 1N6373
机械数据
案例： JEDEC DO - 201模压塑料
端子：镀轴向引线，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：色环表示正端（阴极）
除双极
安装位置：任意
重量： 0.045盎司， 1.2克
最大额定值和特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
等级
在TA = 25 ° C峰值脉冲功率耗散， TP = 1毫秒
（注1 ）
符号
P
PPM
IPPM
价值
最低1500
参照表1
5.0
200
3.5
-55 +175
单位
瓦
安培
瓦
安培
伏特
°C
对10/1000微秒波形峰值脉冲电流
（注1 ）
稳态功耗为
T
L
= 75°C
引线长度0.375" ， 9.5毫米
（注2 ）
峰值正向浪涌电流8.3ms单正弦半波
叠加在额定负荷，
（JEDEC的方法） （注3）
最大正向电压在100A的
只有单向的
Operatings和存储温度范围
P
M（ AV）在
I
FSM
Vf
TJ ， TSTG
注意事项：
1.非重复性电流脉冲，每个图3及以上每2所示的Ta = 25°C降额。
2.安装在铜焊盘每5所示面积0.8x0.8" （ 20x20mm ） 。
3. 8.3ms单半正弦波，或等效的方波，占空比= 4个脉冲每分钟最多。
8/6/2002
MDE半导体公司
78-150卡莱坦皮科，股210 ，拉昆塔， CA. USA 92253电话： 760-564-8656 传真： 760-564-2414
ICTE5.0土特产品ICTE15C MPTE - 5 MPTE -45
1N6373 1N6381到1N6382和1N6389来
玻璃钝化结瞬态电压抑制器
STANDOFF电压 - 5.0 45.0V
1500瓦峰值功率
反向
最低
STANDOFF击穿
电压
电压
（ VRWM ）
VBR @ 1毫安
(V)
（伏）
最大
反向
泄漏
IR @ VR
(A)
最大
最大
最大
夹紧
夹紧
PEAK
电压
电压
脉冲
（VC ） @
（VC ） @伊普= 1A电流
Ipp=1A
（伏）
IPP （ A）
（伏）
产品编号
ICTE-5*
ICTE-8
ICTE-10
ICTE-12
ICTE-15
ICTE-18
ICTE-22
ICTE-36
ICTE-45
ICTE-8C
ICTE-10C
ICTE-12C
ICTE-15C
ICTE-18C
ICTE-22C
ICTE-36C
ICTE-45C
1N6373
1N6374
1N6375
1N6376
1N6377
1N6378
1N6379
1N6380
1N6381
1N6382
1N6383
1N6384
1N6385
1N6386
1N6387
1N6388
1N6389
MPTE-5*
MPTE-8
MPTE-10
MPTE-12
MPTE-18
MPTE-18
MPTE-22
MPTE-36
MPTE-45
MPTE-8C
MPTE-10C
MPTE-12C
MPTE-15C
MPTE-18C
MPTE-22C
MPTE-36C
MPTE-45C
5*
8.0
10.0
12.0
15.0
18.0
22.0
36.0
45.0
8.0
10.0
12.0
15.0
18.0
22.0
36.0
45.0
6.0
9.4
11.7
14.1
17.6
21.2
25.9
42.4
52.9
9.4
11.7
14.1
17.6
21.2
25.9
42.4
52.9
300.0
25.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
50
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
7.1
11.3
13.7
16.1
20.1
24.2
29.8
50.6
63.3
11.4
14.1
16.7
20.8
24.8
30.8
50.6
63.3
7.5
11.5
14.1
16.5
20.6
25.2
32.0
54.3
70.0
11.6
14.5
17.1
21.4
25.5
32.0
54.3
70.0
160.0
100.0
90.0
70.0
60.0
50.0
40.0
23.0
19.0
100.0
90.0
70.0
60.0
50.0
40.0
23.0
19.0
* ICTE -5不处于双向可用。
后缀“C”表示双向设备。
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1N6373RL4G
1N6374
1N6374G
1N6374RL4
1N6374RL4G
1N6375
1N6375G
1N6375RL4
1N6375RL4G
1N6376G
1N6376RL4
1N6376RL4G
1N6377
1N6377G
1N6377RL4
1N6377RL4G
1N6378
1N6379
1N6379G
供货商
型号
厂家
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数量
封装
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操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    1N6376
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市欧和宁电子有限公司
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电话：0755-29275935
联系人：李小姐
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1N6376
VISHAY
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DO-201AA
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1N6376
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24+
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授权分销 现货热卖
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电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
1N6376
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24+
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联系人：朱先生／公司可以开13％的税
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ON
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