SENSITRON
半导体
技术参数
数据表874 ， REV 。 B
1N5614/UL
1N5616/UL
1N5618/UL
1N5620/UL
1N5622/UL
JAN
JANTX
JANTXV
SJ
SX
SV
HERMETIC轴向引线/ MELF
通用整流器
描述： 200/400/600/800/1000 VOLT ， 1.0 AMP ，轴向引线/表面贴装
2000 NS玻璃整流器。
最大额定值
等级
峰值反向电压
（ PIV ）
1N5614
1N5616
1N5618
1N5620
1N5622
平均直流输出
电流（I
o
) T
C
= 55
°C
T
C
= 100
°C
峰值单周期浪涌
电流（I
FSM
)
t
p
= 8.3 ms单
半周期正弦
波，
叠加
额定负荷
交界处领导
d = 0.375”
结到封端
-
条件
所有评级ARE AT＆T
A
= 25
o
C除非另有规定ED 。
民
-
典型值
-
200
400
600
800
1000
-
-
1.0
0.75
-
-
30
安培（ PK）
安培
最大
单位
VDC
热阻（
θJL
)
热阻（ θ
JEC
)
工作和存储
温度。 （T
op
＆放大器;牛逼
英镑
)
-
-
-65
-
-
-
36
13
+175
° C / W
° C / W
°C
电气特性
特征
最大正向
电压（V
f
)
最大瞬时
反向电流在额定
（ PIV ）
最大反向
恢复时间
条件
I
F
= 3.0A (300
微秒
脉冲占空比<
2%)
T
A
= 25° C
T
A
= 100° C
I
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A
I
RR
= 0.25A
民
-
典型值
-
最大
1.3
单位
伏
-
-
0.5
25
2000
μAMPS
μAMPS
ns
-
-
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586 7600传真：（ 631 ） 242 9798
万维网 - www.sensitron.com
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SENSITRON
技术参数
数据表874 ， REV 。 B
1N5614/UL
1N5616/UL
1N5618/UL
1N5620/UL
1N5622/UL
JAN
JANTX
JANTXV
SJ
SX
SV
机械尺寸：单位：英寸/毫米
0.033 (.84
0.026 .66)
.110 (2.79
.065 1.65)
.225 (5.72
.130 3.30)
1.30 (33.0
1.00 25.4)
PKG 。 102
.028 (.72
.019 .48)
0.20 R最大
(5.08)
0.003 MIN
(.076)
.128 (3.8
.091 3.4)
.230 (5.9
.168 4.2)
.128 (3.8
.091 3.4 )
MELF-1
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586 7600传真：（ 631 ） 242 9798
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SENSITRON
技术参数
数据表874 ， REV 。 B
1N5614/UL
1N5616/UL
1N5618/UL
1N5620/UL
1N5622/UL
JAN
JANTX
JANTXV
SJ
SX
SV
免责声明：
1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知，以提高产品
的特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售部门的最新版本
数据表（ S） 。
2-在哪里极高的可靠性要求（如核电控制，航空航天，交通设备的使用情况，医疗
设备和安全设备） ，安全性应该通过使用该功能确保安全半导体器件或借助于用户的保证
故障安全防范措施或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或其他原因操作过程中的责任
根据该数据表（多个）用户的单位。 Sensitron半导体公司不承担任何知识产权的索赔或任何不负责
其它问题可能导致的信息，产品或在参数表中描述的电路的应用程序。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或因使用产生任何二次伤害承担责任
值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，而不Sensitron明确的书面许可，
半导体。
7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在他们的应用程序会阻碍
维护国际和平与安全，也不是由他们的直接购买者或任何第三方适用于这一目的。当
出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合国家的有关法律法规。
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证书TH97 / 10561QM
证书TW00 / 17276EM
1N5614 - 1N5622
PRV ： 200 - 1000伏
IO： 1.0安培
产品特点：
*
*
*
*
*
*
玻璃钝化芯片
高正向浪涌电流能力
高可靠性
低反向电流
低正向压降
无铅/符合RoHS免费
玻璃钝化结
矽整流器
DO - 41
0.107 (2.7)
0.080 (2.0)
1.00 (25.4)
分钟。
0.205 (5.2)
0.161 (4.1)
机械数据：
*案例： DO- 41模压塑料
*环氧： UL94V -O率阻燃
*铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，
方法208保证
*极性：颜色频带端为负极
*安装位置：任意
*重量： 0.34克
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
等级25
°
C环境温度，除非另有规定。单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
等级
最大工作峰值反向电压
最小击穿电压@ 50
μA
最大平均正向电流在TA = 55℃
在TA = 100℃
峰值正向浪涌电流
（大= 100 ° C，F = 60Hz时，我
F（ AV ）
= 750 mA时10 8.3毫秒
潮@ 1分钟间隔）
最低正向电压在我
F
= 3.0 A
最大正向电压在我
F
= 3.0A
最大反向电流
在V
RWM
， TA = 25℃
在V
RWM
TA = 100℃
最大反向恢复时间（注1 ）
热阻，结到铅（注2 ）
工作结存储温度范围
SYMBOL 1N5614 1N5616 1N5618 1N5620 1N5622
V
RWM
V
BR（ MIN）的
I
F（ AV ）
200
220
400
440
600
660
1.0
0.75
30
0.8
1.3
0.5
25
2.0
38
-65到+175
800
880
1000
1100
单位
V
V
A
I
FSM
V
F（分钟）
V
F（ MAX）的
I
R
I
R（高）
TRR
R
θJL
T
J
, T
英镑
A
V
V
μA
μs
° C / W
°C
注意事项：
（ 1 ）反向恢复测试条件：我
F
= 0.5 A，I
RM
= 1.0 A，I
R（ REC ）
= 0.25 A.
（2）在8"分之3 （ 10mm）的引线长度形式的身体。
第1页1
启示录02 ： 2006年7月24日
1N5614 THRU 1N5622
无空隙，密闭
标准恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
描述
该“标准恢复”整流二极管系列军事符合MIL - PRF-
四百二十七分之一万九千五，是理想的高可靠性应用中发生故障不能
耐受性。这些行业公认的1.0安培额定整流器的工作高峰期
从200至1000伏的反向电压是密封用voidless-
使用内部的“ I类”的冶金结合的玻璃建筑。这些
器件还提供表面贴装MELF封装配置由
添加一个“美”的后缀（见通1N5622US单独的数据表1N5614US ） 。
Microsemi的还提供了许多其他整流器产品，以满足更高和更低
额定电流与各种恢复时间速度的要求，包括快速和
在超快设备类型都通孔和表面安装封装。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
“A”套餐
特点
热门JEDEC注册1N5614 1N5622到系列
无空隙密封的玻璃封装
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
工作峰值反向电压200到1000伏。
JAN ， JANTX ， JANTXV ，并提供JANS每MIL-
PRF-19500/427
表面还可以在一个广场安装当量
端盖与“美”的后缀MELF配置（请参阅
单独的数据表1N5614US直通1N5622US ）
应用/优势
标准恢复1安培整流器200 1000 V
军事和其它高可靠性应用
一般整流应用，包括桥梁，半
桥梁，钳位二极管等。
高正向浪涌电流能力
极其坚固的结构
低热阻
控制雪崩峰值反向功率
能力
天生辐射硬
在Microsemi的描述
MicroNote 050
最大额定值
结&存储温度： -65
o
C至+200
o
C
热电阻： 38
o
C / W交界处领导在3/8
英寸（10毫米）的车身长度铅
热阻抗： 4.5
o
C / W @ 10毫秒加热时间
正向平均整流电流（I
O
） ： 1.0安培@
T
A
= 55℃和0.75安培@ T
A
= 100C
正向浪涌电流： 30安培@ 8.3 ms半正弦波
焊接温度： 260℃ 10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封无空隙硬玻璃
钨蛞蝓（最后一页的封装尺寸）
终端负载：轴向引线铜
锡/铅（Sn / Pb）的表面。注：上JANS
库存有实心银轴向引线，没有终点。
标志：车身油漆和零件号等
极性：负极频带
磁带&卷轴选项：每标准EIA -296
重量： 340毫克
反向
当前
（ MAX 。 ）
I
R
@ V
RWM
μA
25 C
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
o
o
电气特性
TYPE
工作
PEAK
反向
电压V
RWM
伏
1N5614
1N5616
1N5618
1N5620
1N5622
200
400
600
800
1000
最低
击穿
电压
V
BR
@ 50μA
伏
220
440
660
880
1100
平均
纠正
当前
I
O
@ T
A
（注1 ）
安培
o
o
55 C
100 C
1.00
.750
1.00
.750
1.00
.750
1.00
.750
1.00
.750
前锋
电压
（ MAX 。 ）
V
F
@ 3A
伏
最大
浪涌
当前
I
FSM
（注2 ）
安培
30
30
30
30
30
反向
恢复
（注3）
t
rr
μs
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
1N5614 – 1N5622
0.8分钟。
1.3最大。
100 C
25
25
25
25
25
注1 ：
从1安培在T
A
= 55
o
C，线性降额在5.56毫安/
o
C到0.75安培在T
A
= 100
o
C.从T
A
= 100
o
C,
线性降额7.5毫安/
o
C到0安培在T
A
= 200
o
C.这些环境的评级是用于PC板，其中热
从安装点到环境电阻被充分控制的，其中T
J（下最大）
不超过175
o
C.
注2 ：
T
A
= 100
o
C，F = 60Hz时，我
O
= 750 mA时10 8.3毫秒潮@ 1分钟的时间间隔
注3 ：
I
F
= 0.5A ，我
RM
= 1A ，我
R（ REC ）
= 0.250A
版权
2007
2007年1月15日REV C
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N5614 THRU 1N5622
无空隙，密闭
标准恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
符号
V
BR
V
RWM
I
O
V
F
I
R
C
t
rr
符号定义&
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流
工作峰值反向电压：可应用在工作的最大峰值电压
温度范围
平均整流输出电流：输出电流平均值在一个完整周期为50 Hz或60 Hz正弦波
输入和一个180度的导通角
最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流
最大泄漏电流：最大漏电流将流过在指定的电压和
温度
电容：在1 MHz和规定电压的频率pF的电容
反向恢复时间：瞬间的电流之间的时间间隔通过零点时
一个反向峰值后，从前进方向向相反的方向并指定衰退点改变
目前发生。
图的
1N5614 – 1N5622
图1
典型正向电压Vs正向电流
图2
典型的反向电流与PIV
版权
2007
2007年1月15日REV C
Microsemi的
斯科茨代尔区划
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第2页
1N5614 THRU 1N5622
无空隙，密闭
标准恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
科幻gure 3
最大功率耗散
VS引脚温度
图4
最大电流与焊接温度
包装尺寸
1N5614 – 1N5622
外形尺寸：英寸/ [MM ]
注：铅容差= + 0.003 / -0.004英寸
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2007
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Microsemi的
斯科茨代尔区划
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第3页
1N5614 THRU 1N5622
无空隙，密闭
标准恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
描述
该“标准恢复”整流二极管系列军事符合MIL - PRF-
四百二十七分之一万九千五，是理想的高可靠性应用中发生故障不能
耐受性。这些行业公认的1.0安培额定整流器的工作高峰期
从200至1000伏的反向电压是密封用voidless-
使用内部的“ I类”的冶金结合的玻璃建筑。这些
器件还提供表面贴装MELF封装配置由
添加一个“美”的后缀（见通1N5622US单独的数据表1N5614US ） 。
Microsemi的还提供了许多其他整流器产品，以满足更高和更低
额定电流与各种恢复时间速度的要求，包括快速和
在超快设备类型都通孔和表面安装封装。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
“A”套餐
特点
热门JEDEC注册1N5614 1N5622到系列
无空隙密封的玻璃封装
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
工作峰值反向电压200到1000伏。
JAN ， JANTX ， JANTXV ，并提供JANS每MIL-
PRF-19500/427
表面还可以在一个广场安装当量
端盖与“美”的后缀MELF配置（请参阅
单独的数据表1N5614US直通1N5622US ）
应用/优势
标准恢复1安培整流器200 1000 V
军事和其它高可靠性应用
一般整流应用，包括桥梁，半
桥梁，钳位二极管等。
高正向浪涌电流能力
极其坚固的结构
低热阻
控制雪崩峰值反向功率
能力
天生辐射硬
在Microsemi的描述
MicroNote 050
最大额定值
结&存储温度： -65
o
C至+200
o
C
热电阻： 38
o
C / W交界处领导在3/8
英寸（10毫米）的车身长度铅
热阻抗： 4.5
o
C / W @ 10毫秒加热时间
正向平均整流电流（I
O
） ： 1.0安培@
T
A
= 55℃和0.75安培@ T
A
= 100C
正向浪涌电流： 30安培@ 8.3 ms半正弦波
焊接温度： 260℃ 10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封无空隙硬玻璃
钨蛞蝓（最后一页的封装尺寸）
终端负载：轴向引线铜
锡/铅（Sn / Pb）的表面。注：上JANS
库存有实心银轴向引线，没有终点。
标志：车身油漆和零件号等
极性：负极频带
磁带&卷轴选项：每标准EIA -296
重量： 340毫克
反向
当前
（ MAX 。 ）
I
R
@ V
RWM
μA
25 C
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
o
o
电气特性
TYPE
工作
PEAK
反向
电压V
RWM
伏
1N5614
1N5616
1N5618
1N5620
1N5622
200
400
600
800
1000
最低
击穿
电压
V
BR
@ 50μA
伏
220
440
660
880
1100
平均
纠正
当前
I
O
@ T
A
（注1 ）
安培
o
o
55 C
100 C
1.00
.750
1.00
.750
1.00
.750
1.00
.750
1.00
.750
前锋
电压
（ MAX 。 ）
V
F
@ 3A
伏
最大
浪涌
当前
I
FSM
（注2 ）
安培
30
30
30
30
30
反向
恢复
（注3）
t
rr
μs
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
1N5614 – 1N5622
0.8分钟。
1.3最大。
100 C
25
25
25
25
25
注1 ：
从1安培在T
A
= 55
o
C，线性降额在5.56毫安/
o
C到0.75安培在T
A
= 100
o
C.从T
A
= 100
o
C,
线性降额7.5毫安/
o
C到0安培在T
A
= 200
o
C.这些环境的评级是用于PC板，其中热
从安装点到环境电阻被充分控制的，其中T
J（下最大）
不超过175
o
C.
注2 ：
T
A
= 100
o
C，F = 60Hz时，我
O
= 750 mA时10 8.3毫秒潮@ 1分钟的时间间隔
注3 ：
I
F
= 0.5A ，我
RM
= 1A ，我
R（ REC ）
= 0.250A
版权
2007
2007年1月15日REV C
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N5614 THRU 1N5622
无空隙，密闭
标准恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
符号
V
BR
V
RWM
I
O
V
F
I
R
C
t
rr
符号定义&
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流
工作峰值反向电压：可应用在工作的最大峰值电压
温度范围
平均整流输出电流：输出电流平均值在一个完整周期为50 Hz或60 Hz正弦波
输入和一个180度的导通角
最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流
最大泄漏电流：最大漏电流将流过在指定的电压和
温度
电容：在1 MHz和规定电压的频率pF的电容
反向恢复时间：瞬间的电流之间的时间间隔通过零点时
一个反向峰值后，从前进方向向相反的方向并指定衰退点改变
目前发生。
图的
1N5614 – 1N5622
图1
典型正向电压Vs正向电流
图2
典型的反向电流与PIV
版权
2007
2007年1月15日REV C
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斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
1N5614 THRU 1N5622
无空隙，密闭
标准恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
科幻gure 3
最大功率耗散
VS引脚温度
图4
最大电流与焊接温度
包装尺寸
1N5614 – 1N5622
外形尺寸：英寸/ [MM ]
注：铅容差= + 0.003 / -0.004英寸
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斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第3页
1N5614 THRU 1N5622
玻璃钝化介质交换结整流器
反向电压
- 200到1000伏
ED
*
DO-204AP
正向电流
- 1.0 。安培
特点
T
PA
T
N
E
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
DIA 。
1.0 (25.4)
分钟。
0.240 (6.1)
马克斯。
高温冶金结合建设
1.0安培操作
在T
A
= 55 ℃，
无热失控
典型的我
R
小于0.1μA
密封包装
能够满足环境标准
MIL-S-19500
高温焊接保证：
350 ℃/ 10秒0.375“设计（9.5mm ）引线长度，
5磅。 （ 2.3千克）张力
0.150 (3.8)
0.100 (2.5)
DIA 。
机械数据
1.0 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
*
钎焊引线组件覆盖专利号3930306
案例：
JEDEC DO - 204AP实心玻璃体
终端：
焊接镀轴向引线，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量：
0.02盎司， 0.56克
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
1N5614
1N5616
1N5618
1N5620
1N5622
单位
*最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
*最大阻断电压DC
*在50μA的最低反向击穿电压
最大正向平均整流电流
0.375“设计（9.5mm ）引线长度在T
A
=55°C
*峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
*在1.0A最大正向电压
*最大直流反向电流
在额定阻断电压DC
*最大反向恢复时间
典型热阻
（注1 ）
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
BR
I
（AV）
200
140
200
220
400
280
400
440
600
420
600
660
1.0
800
560
800
880
1000
700
1000
1100
伏
伏
伏
伏
AMP
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θJA
T
J
T
英镑
45
35
50.0
1.2
0.5
25.0
1500
2.0
25
55.0
-65到+175
-65到+200
20
15
安培
伏
A
s
pF
° C / W
°C
°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=200°C
最大结电容
（注2 ）
（注3）
*工作结温范围
*储存温度范围
注意事项：
（ 1 ）反向恢复测试条件：我
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ， IRR = 0.25A
（ 2 ）测得1.0 MHz和应用12伏的反向电压
（ 3 ）从结点到环境的热阻为0.375“设计（9.5mm ）引线长度PCB安装
* JEDEC注册的价值观
4/98
额定值和特性曲线1N5614 THRU 1N5622
图。 1 - 正向电流降额曲线
图。 2 - 最大非重复峰值
正向浪涌电流
1.0
正向平均整流
当前，安培
50
峰值正向浪涌电流，
安培
60 H
Z
电阻或
感性负载
0.375"设计（9.5mm ）
导线长度
T
J
=T
J
马克斯。
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
40
0.75
30
0.5
20
0.25
10
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
10
周期数的AT 60 H
Z
100
环境温度， ℃，
图。 3 - 典型瞬时
正向特性
图。 4 - 典型的反向特性
10
瞬时反向电流，
微安
10
瞬时正向电流，
安培
T
J
=150°C
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
T
J
=125°C
1
1
T
J
=25°C
T
J
=75°C
0.1
0.1
T
J
= 25°C
0.01
0
20
40
60
80
100
百分之额定峰值反向电压， ％
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
正向电压，伏
图。 5 - 典型结电容
30
T
J
=25°C
F = 1.0 MHz的
Vsig=50mVp-p
结电容， pF的
10
1
1
10
反向电压，伏
100
整流器，高达1kV的， 2A ，为2μs
1N5614
1N5616
1N5618
1N5620
1N5622
S2M
S4M
S6M
S8M
S0M
1998年1月7日
电话： 805-498-2111传真： 805-498-3804网址： HTTP ： //www.semtech.com
1997 SEMTECH CORP 。
652 MITCHELL ROAD Newbury Park的CA 91320
整流器，高达1kV的， 2A ，为2μs
1N5614
1N5616
1N5618
1N5620
1N5622
S2M
S4M
S6M
S8M
S0M
1998年1月7日
1997 SEMTECH CORP 。
652 MITCHELL ROAD Newbury Park的CA 91320
整流器，高达1kV的， 2A ，为2μs
1N5614
1N5616
1N5618
1N5620
1N5622
S2M
S4M
S6M
S8M
S0M
1998年1月7日
1997 SEMTECH CORP 。
652 MITCHELL ROAD Newbury Park的CA 91320
QQ：2880707522 复制
