1N5615US通1N5623US
表面安装VOIDLESS-
气密密封FAST
回收玻璃整流器
斯科茨代尔区划
描述
这种“快速恢复”表面贴装整流二极管系列军事资格MIL-
PRF -四百二十九分之一万九千五，非常适合高可靠性应用中发生故障不能
可以容忍的。这些行业公认的1.0安培额定整流器的工作高峰期
从200至1000伏的反向电压是密封用无空隙玻璃
建筑使用内部“ I类”的冶金结合。这些设备是
也可在轴向引线封装结构为通孔安装（见
单独的数据表1N5615 1N5623直通） 。 Microsemi的还提供了众多的
其他整流器产品，以满足更高和更低的电流额定值的各种
恢复时间速度的要求，包括在高速和超高速设备类型
通孔和表面贴装封装。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
套餐“A”
或D -5A
特点
表面贴装型封装系列等同于
JEDEC注册1N5615 1N5623到系列
无空隙密封的玻璃封装
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
工作峰值反向电压200到1000伏。
JAN ， JANTX ， JANTXV ，并提供JANS每MIL-
PRF-19500/429
轴向引线当量也可（参见单独的
数据表1N5615 1N5623直通）
应用/优势
快速恢复1安培整流器200 1000 V
军事和其它高可靠性应用
一般整流应用，包括桥梁，半
桥梁，钳位二极管等。
高正向浪涌电流能力
极其坚固的结构
低热阻
控制雪崩峰值反向功率
能力
天生辐射硬
在Microsemi的描述
MicroNote 050
最大额定值
结&存储温度： -65
o
C至+175
o
C
热阻： 7
o
C / W结到端盖
热阻抗： 4.5
o
C / W @ 10毫秒加热时间
正向平均整流电流（I
O
） ： 1.0安培@
T
A
= 55C
正向浪涌电流： 30安培@ 8.3 ms半正弦波
焊接温度： 260℃ 10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封无空隙硬质玻璃
钨蛞蝓
端子的：端盖与铜
锡/铅（Sn / Pb）的表面。注：以前的库存
有实心银端盖与锡/铅（Sn / Pb）的表面。
只有阴极乐队：标记&极性
磁带&卷轴选项：每个标准EIA- 481 -B
重量： 193毫克
请参阅封装尺寸，并建议垫
最后一页布局
反向
当前
（ MAX 。 ）
I
R
@ V
RWM
o
电气特性
TYPE
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
伏
200
400
600
800
1000
最低
击穿
电压
V
BR
@ 50μA
伏
220
440
660
880
1100
平均
纠正
当前
I
O
@ T
A
（注1 ）
安培
o
o
50 C
100 C
1.00
.750
1.00
.750
1.00
.750
1.00
.750
1.00
.750
Forwar
D
电压
（ MAX 。 ）
V
F
@ 3A
伏
0.8 MIN 。
电容
（ MAX 。 ）
3. C @ V
R
=
12 V
F = 1 MHz的
pF
45
35
25
20
15
最大
浪涌
当前
I
FSM
（注2 ）
安培
25
25
25
25
25
反向
恢复
（ MAX 。 ）
（注3）
t
rr
ns
150
150
250
300
500
1N5615US - 1N5623US
1N5615US
1N5617US
1N5619US
1N5621US
1N5623US
1.6
马克斯。
25 C
.5
.5
.5
.5
.5
μA
o
100 C
25
25
25
25
25
注1 ：
从1安培在T
A
= 55
o
C，线性降额在5.56毫安/
o
C到0.75安培在T
A
= 100
o
C.从T
A
= 100
o
C,
线性降额7.5毫安/
o
C到0安培在T
A
= 200
o
C.这些环境的评级是用于PC板，其中热
o
从安装点到环境电阻被充分控制的，其中T
J（下最大）
不超过175 ℃。
注2 ：
T
A
= 100
o
C，F = 60Hz时，我
O
= 750 mA时10 8.3毫秒潮@ 1分钟的时间间隔
注3 ：
I
F
= 0.5A ，我
RM
= 1A ，我
R（ REC ）
= 0.250 A
版权
2007
2007年1月15日修订版D
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N5615US通1N5623US
表面安装VOIDLESS-
气密密封FAST
回收玻璃整流器
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
符号
V
BR
V
RWM
I
O
V
F
I
R
C
t
rr
符号定义&
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流
工作峰值反向电压：可应用在工作的最大峰值电压
温度范围
平均整流输出电流：输出电流平均值在一个完整周期为50 Hz或60 Hz正弦波
输入和一个180度的导通角
最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流
最大泄漏电流：最大漏电流将流过在指定的电压和
温度
电容：在1 MHz和规定电压的频率pF的电容
反向恢复时间：瞬间的电流之间的时间间隔通过零点时
一个反向峰值后，从前进方向向相反的方向并指定衰退点改变
目前发生。
图的
图1
典型的反向电流与V
R
图2
典型正向电压Vs正向电流
1N5615US - 1N5623US
版权
2007
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1N5615US通1N5623US
表面安装VOIDLESS-
气密密封FAST
回收玻璃整流器
斯科茨代尔区划
包装尺寸和PAD布局
WWW .
Microsemi的
.C
OM
注：此封装外形也有以前
被确定为“D -5A ”
英寸
民
BD
BL
ECT
S
.097
.185
.019
.003
最大
.103
.200
.028
---
民
2.46
4.70
0.48
0.08
mm
最大
2.62
5.08
0.71
---
A
B
C
焊盘布局
英寸
0.246
0.067
0.105
mm
6.25
1.70
2.67
注意：如果需要安装胶粘剂
从焊料中分离出来，一个附加
0.060英寸直径的接触可以是
放置在焊盘之间的中心
作为水泥的可选点。
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表面安装VOIDLESS-
气密密封FAST
回收玻璃整流器
斯科茨代尔区划
描述
这种“快速恢复”表面贴装整流二极管系列军事资格MIL-
PRF -四百二十九分之一万九千五，非常适合高可靠性应用中发生故障不能
可以容忍的。这些行业公认的1.0安培额定整流器的工作高峰期
从200至1000伏的反向电压是密封用无空隙玻璃
建筑使用内部“ I类”的冶金结合。这些设备是
也可在轴向引线封装结构为通孔安装（见
单独的数据表1N5615 1N5623直通） 。 Microsemi的还提供了众多的
其他整流器产品，以满足更高和更低的电流额定值的各种
恢复时间速度的要求，包括在高速和超高速设备类型
通孔和表面贴装封装。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
套餐“A”
或D -5A
特点
表面贴装型封装系列等同于
JEDEC注册1N5615 1N5623到系列
无空隙密封的玻璃封装
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
工作峰值反向电压200到1000伏。
JAN ， JANTX ， JANTXV ，并提供JANS每MIL-
PRF-19500/429
轴向引线当量也可（参见单独的
数据表1N5615 1N5623直通）
应用/优势
快速恢复1安培整流器200 1000 V
军事和其它高可靠性应用
一般整流应用，包括桥梁，半
桥梁，钳位二极管等。
高正向浪涌电流能力
极其坚固的结构
低热阻
控制雪崩峰值反向功率
能力
天生辐射硬
在Microsemi的描述
MicroNote 050
最大额定值
结&存储温度： -65
o
C至+175
o
C
热电阻： 13
o
C / W结到端盖
热阻抗： 4.5
o
C / W @ 10毫秒加热时间
正向平均整流电流（I
O
） ： 1.0安培@
T
A
= 55C
正向浪涌电流： 30安培@ 8.3 ms半正弦波
焊接温度： 260℃ 10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封无空隙硬质玻璃
钨蛞蝓
端子的：端盖与铜
锡/铅（Sn / Pb）的表面。注：以前的库存
有实心银端盖与锡/铅（Sn / Pb）的表面。
只有阴极乐队：标记&极性
磁带&卷轴选项：每个标准EIA- 481 -B
重量： 193毫克
请参阅封装尺寸，并建议垫
最后一页布局
反向
当前
（ MAX 。 ）
I
R
@ V
RWM
o
电气特性
TYPE
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
伏
200
400
600
800
1000
最低
击穿
电压
V
BR
@ 50μA
伏
220
440
660
880
1100
平均
纠正
当前
I
O
@ T
A
（注1 ）
安培
o
o
50 C
100 C
.750
1.00
.750
1.00
.750
1.00
.750
1.00
.750
1.00
Forwar
D
电压
（ MAX 。 ）
V
F
@ 3A
伏
0.8 MIN 。
电容
（ MAX 。 ）
3. C @ V
R
=
12 V
F = 1 MHz的
pF
45
35
25
20
15
最大
浪涌
当前
I
FSM
（注2 ）
安培
25
25
25
25
25
反向
恢复
（ MAX 。 ）
（注3）
t
rr
ns
150
150
250
300
500
1N5615US - 1N5623US
1N5615US
1N5617US
1N5619US
1N5621US
1N5623US
1.6
马克斯。
25 C
.5
.5
.5
.5
.5
μA
o
100 C
25
25
25
25
25
注1 ：
从1安培在T
A
= 55
o
C，线性降额在5.56毫安/
o
C到0.75安培在T
A
= 100
o
C.从T
A
= 100
o
C,
线性降额7.5毫安/
o
C到0安培在T
A
= 200
o
C.这些环境的评级是用于PC板，其中热
o
从安装点到环境电阻被充分控制的，其中T
J（下最大）
不超过175 ℃。
注2 ：
T
A
= 100
o
C，F = 60Hz时，我
O
= 750 mA时10 8.3毫秒潮@ 1分钟的时间间隔
注3 ：
I
F
= 0.5A ，我
RM
= 1A ，我
R（ REC ）
= 0.250 A
版权
2009
2009年10月6日REV ê ; SD47A.pdf
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8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
1N5615US通1N5623US
表面安装VOIDLESS-
气密密封FAST
回收玻璃整流器
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
符号
V
BR
V
RWM
I
O
V
F
I
R
C
t
rr
符号定义&
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流
工作峰值反向电压：可应用在工作的最大峰值电压
温度范围
平均整流输出电流：输出电流平均值在一个完整周期为50 Hz或60 Hz正弦波
输入和一个180度的导通角
最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流
最大泄漏电流：最大漏电流将流过在指定的电压和
温度
电容：在1 MHz和规定电压的频率pF的电容
反向恢复时间：瞬间的电流之间的时间间隔通过零点时
一个反向峰值后，从前进方向向相反的方向并指定衰退点改变
目前发生。
图的
图1
典型的反向电流与V
R
图2
典型正向电压Vs正向电流
1N5615US - 1N5623US
版权
2009
2009年10月6日REV ê ; SD47A.pdf
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1N5615US通1N5623US
表面安装VOIDLESS-
气密密封FAST
回收玻璃整流器
斯科茨代尔区划
包装尺寸和PAD布局
WWW .
Microsemi的
.C
OM
注：此封装外形也有以前
被确定为“D -5A ”
英寸
民
BD
BL
ECT
S
.097
.185
.019
.003
最大
.103
.200
.028
---
民
2.46
4.70
0.48
0.08
mm
最大
2.62
5.08
0.71
---
A
B
C
焊盘布局
英寸
0.246
0.067
0.105
mm
6.25
1.70
2.67
注意：如果需要安装胶粘剂
从焊料中分离出来，一个附加
0.060英寸直径的接触可以是
放置在焊盘之间的中心
作为水泥的可选点。
1N5615US - 1N5623US
版权
2009
2009年10月6日REV ê ; SD47A.pdf
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SENSITRON
_
半导体
技术参数
数据表5081 ， REV 。 -
1N5615 /美通1N5623 / US
SJ
SX
SV
快速恢复整流
全封闭，无腔体的玻璃封装
冶金结合
o
o
工作和存储温度： -65℃至+175
TYPE
数
PEAK
逆
电压
MAX 。 AVG 。
DC输出
当前
最大
反向
当前
@ PIV
μAMPS
25°C
100°C
马克斯。高峰
前锋
电压
（脉冲的）
PEAK
1周
浪涌
当前
安培
伏
200
400
600
800
1000
55°C
100°C
V
A
安培
1N5615
1N5617
1N5619
1N5621
1N5623
1.0
.75
0.5
25
1.6
3.0
25
最大
反向
恢复
时间
TRR
I
F
=0.5A
I
RM
=1A
I
R（ REC （
=0.25A
纳秒
150
150
250
300
500
THERM
RESIS
R
θJL
d=.375
° C / W
38
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586 7600传真：（ 631 ） 242 9798
万维网网站 - http://www.sensitron.com
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SENSITRON
_
半导体
技术参数
数据表5081 ， REV 。 -
1N5615 /美通1N5623 / US
外形尺寸（英寸） / （毫米）
轴向
MELF
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586 7600传真：（ 631 ） 242 9798
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SENSITRON
半导体
技术参数
数据表5081 ， REV 。 -
1N5615 /美通1N5623 / US
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值超过绝对最大额定值。
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6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，而不Sensitron明确的书面许可，
半导体。
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出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合国家的有关法律法规。
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