1N5550US THRU 1N5554US
表面贴装气密密封
标准恢复整流二极管
功率分立器件
描述
快速参考数据
V
R
= 200 - 1000V
I
F =
5.0A
t
rr
= 2S
V
F
= 1.0V
特点
低反向漏电流
密封在熔融金属氧化物
良好的抗热震性
低正向压降
雪崩能力
这些产品符合MIL -PRF- 420分之19500 。
它们可以提供完全释放JAN ， JANTX ，
和JANTXV版本。
绝对最大额定值
电气规格@ T
A
= 25 ° C除非另有规定ED 。
符号
反向工作电压
平均正向电流
@ 55°C在自由空气中，引线长度
0.375"
重复浪涌电流
@ 55°C在自由空气中，引线长度
0.375"
非重复浪涌电流
（ TP = 8.3ms的@ V
R
＆放大器;牛逼
JMAX
)
（ TP = 8.3ms的， @ V
R
& 25℃）下
存储温度范围
V
RWM
I
F（ AV ）
1N 5550U S 1N 5551U S 1N 5552U S 1N 5553U S
1N 5554U S
单位
V
A
200
400
600
5.0
800
1000
I
FRM
25
A
I
FSM
T
英镑
100
150
-65到+175
A
°C
修订： 2011年8月22日
1
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1N5550US THRU 1N5554US
功率分立器件
电气规格
符号1N5550US 1N5551US 1N5552US
平均正向电流（正弦波）
- 最大。牛逼
A
= 55 °C
- 最大。 L = 8"分之3 ;牛逼
L
= 55 °C
I
2
吨融合（T = 8.3ms的）最大
正向电压降最大。
@ I
F
= 3.0A ，T
j
= 25 °C
反向电流最大。
@ V
RWM
， TJ = 25°C
@ V
RWM
， TJ = 125°C
反向恢复时间最多。
我0.5A
F
到1.0A我
RM
恢复到0.25A我
RM （ REC ）
结电容（典型值） 。
@ V
R
= 5V ， F = 1MHz的
1N 5553U S
1N 5554U S
单位
I
F（ AV ）
I
F（ AV ）
I
2
t
V
F
I
R
I
R
TRR
Cj
3.0
5.0
42
1.0
1.0
60
2.0
92
A
A
2
S
V
A
S
pF
热特性
符号1N5550US 1N5551US 1N5552US
R
JEC
R
JEC
at
L= 0
寸
1N 5553U S
1N 5554U S
单位
6.5
C / W
典型特征
无花果1.典型的结电容为反向电压的函数。
2011升特公司
2
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1N5550US THRU 1N5554US
功率分立器件
订购信息
产品型号
1N5550US
1N5551US
1N5552US
1N5553US
1N5554US
描述
表面贴装气密密封
(1)
注意：
（ 1 ）适用于散装和磁带和卷轴包装。请
咨询工厂的数量。
外形绘图
B
尺寸
英寸
暗淡
D
N
MILLIMETERS
民
5.08
0.48
0.08
最大
6.99
0.86
记
民
0.2
0.019
0.003
0.137
最大
0.275
0.034
C
A
B
C
A
D
-
-
-
D
0.186
3.48
4.72
-
联系信息
升特公司
功率分立产品部
200弗林路，卡马里奥，CA 93012
电话： (805)498-2111 FAX (805)498-3804
2011升特公司
4
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半导体
技术参数
数据表126 ， F版
1N5550/US
1N5551/US
1N5552/US
1N5553/US
1N5554/US
JAN
SJ
JANTX SX
JANTXV SV
HIGH CURRENT轴向引线整流器
说明： 200-1000 VOLT ， 3.0 AMP ， 2000纳秒整流器
-Suffix “美”是指MELF /表面贴装包装
MAX 。额定值/电气特性
等级
峰值反向电压
（ PIV ）
1N5550
1N5551
1N5552
1N5553
1N5554
平均直流输出
电流（I
o
)
峰值单周期浪涌
电流（I
FSM
)
条件
-
所有评级ARE AT＆T
A
= 25
o
C除非另有规定ED 。
民
-
典型值
-
200
400
600
800
1000
T
A
= +55
o
C
t
p
= 8.3 ms单
半周期正弦
波，
叠加
额定负荷
-
I
f
= 9.0A (300
微秒
脉冲占空比<
2%)
-
-
-
-
3.0
150
安培
安培（ PK）
最大
单位
VDC
工作和存储
温度。 （T
op
＆放大器;牛逼
英镑
)
最大正向
电压（V
f
)
1N5550
1N5551
1N5552
1N5553
1N5554
最大瞬时
反向电流在额定
（ PIV ）
反向恢复时间
(t
rr
)
热阻（ θ
JL
)
-65
-
-
-
+175
°C
伏
1.2
1.2
1.2
1.3
1.3
-
-
1.0
75
-
-
2000
22
纳秒
° C / W
μAMPS
T
A
= 25° C
T
A
= 100° C
I
f
= 0.5A ，我
r
= 1.0A ，我
rr
= 0.25A
交界处领导
d = 0.375”
热阻（ θ
JEC
)
结到封端
-
-
11
°
C / W
221西工业苑鹿园，NY 11729 （ 631 ） 586 7600 ，传真（ 631 ） 242 9798
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技术参数
数据表126 ， F版
1N5550/US
1N5551/US
1N5552/US
1N5553/US
1N5554/US
外形尺寸（英寸） / （毫米） ，最小/最大。
0.042 (1.07
0.037 0.94)
.180 (4.57
.115 2.92)
.300 (7.62
.130 3.30)
1.30 (33.0
0.90 22.9)
PKG 。 301
注意：
在阴极侧上的二极管体的一侧标有深色条带。
.028 (.72
.019 .48)
0.20 R最大
(5.08)
0.003 MIN
(.076)
.137 (3.4
.148 3.8)
.200 5.0
.225 5.9)
.137 (3.4
.148 3.8 )
MELF -B
注意：
在阴极侧的标记体与暗带。
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1N5551/US
1N5552/US
1N5553/US
1N5554/US
免责声明：
1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知，以提高产品
的特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售部门的最新版本
数据表（ S） 。
2-在哪里极高的可靠性要求（如核电控制，航空航天，交通设备的使用情况，医疗
设备和安全设备） ，安全性应该通过使用该功能确保安全半导体器件或借助于用户的保证
故障安全防范措施或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或其他原因操作过程中的责任
根据该数据表（多个）用户的单位。 Sensitron半导体公司不承担任何知识产权的索赔或任何不负责
其它问题可能导致的信息，产品或在参数表中描述的电路的应用程序。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或因使用产生任何二次伤害承担责任
值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，而不Sensitron明确的书面许可，
半导体。
7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在他们的应用程序会阻碍
维护国际和平与安全，也不是由他们的直接购买者或任何第三方适用于这一目的。当
出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合国家的有关法律法规。
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文档和流程转换
必要的措施以符合本次修订
由2004年7月19日完成。
英制
MIL-PRF-19500/420H
2004年4月19日
取代
MIL-PRF-19500/420G
○○二年十二月三十
性能规格表
*半导体器件，二极管，硅，电源，整流器，
类型1N5550 1N5554 THROUGH ， 1N5550US THROUGH 1N5554US ，
JAN ， JANTX ， JANTXV ， JANS ， JANHCA ， JANHCB ， JANHCC ， JANHCD ，
JANHCE ， JANKCA ， JANKCD ，和JANKCE
本规范由所有部门批准使用
国防部和机构。
*
1.范围
* 1.1范围。该规范涵盖了芯片的性能要求，通用，半导体
二极管。提供给每个封装的器件类型的四个层次的产品保证在规定的
MIL -PRF- 19500 。提供给每个未封装的器件类型两个级别的产品保证。
1.2物理尺寸。见图1 （类似于DO- 41）， 1N5550 1N5554通过图2 1N5550US
通过1N5554US ，和图3，图4，图5 ，图6和7为JANHC和JANKC死亡。
1.3最大额定值。除非另有规定，T
C
= + 25 ° C和收视率适用于所有情况概述。
歌罗西书1
TYPE
歌罗西书2
V
（ BR ）
歌罗西书3
V
RWM
和
V
（ BR ）分
4上校
I
O1
T
L
= +55°C;
L = .375英寸
(1) (2) (3)
直流
5
5
5
5
5
5上校
I
FSM
I
O
= 2将DC
t
p
= 1/120 s
T
A
= +55°C
A（ PK）
100
100
100
100
100
6上校
T
J
第7栏
I
O2
T
A
=
+55°C
(2) (4)
直流
3
3
3
3
3
第8栏
T
英镑
用于获得在此描述应包括的产品的要求
此规格表和MIL -PRF- 19500 。
V DC
1N5550 ， 1N5550US
1N5551 ， 1N5551US
1N5552 ， 1N5552US
1N5553 ， 1N5553US
1N5554 ， 1N5554US
200
400
600
800
1,000
200
400
600
800
1,000
°C
-65到+200
-65到+200
-65到+200
-65到+200
-65到+200
°C
-65到+175
-65到+175
-65到+175
-65到+175
-65到+175
（ 1 ）线性降额41.6毫安/ ° C以上牛逼
L
= + 55°C ，在L = 0.375英寸（ 9.53毫米） 。
（2）予
O
达6的直流是可允许的，只要适当的散热片或强制空气冷却保持
为证明所结的温升试验最高结温低于+ 200 ° C（见6.5 ） 。
气压降低：
1N5550 ， 1N5551 ， 1N5552 - 8毫米汞柱（100,000英尺） 。
1N5553, 1N5554
- 33毫米汞柱（70,000英尺） 。
（ 3 ）不适用于表面贴装器件。
（ 4 ）线性降额在25毫安/ ° C以上牛逼
A
= +55°C.
*意见，建议，或对本文档的问题应当向国防供应中心，
哥伦布，联系人： DSCC - VAC ， P.O.盒3990 ，哥伦布，俄亥俄州43216-5000 ，或通过电子邮件发送给
Semiconduction@dscc.dla.mil
。由于联系人信息可以更改，你可能要验证的货币
在使用辅助在线数据库这个地址信息
http://www.dodssp.daps.mil 。
美国超导公司N / A
FSC 5961
MIL-PRF-19500/420H
1.4主要电气特性。除非另有规定，T
A
= +25°C.
I
R2
在T
A
= +100°C
TYPE
V
f
在我
f
= 9.0 A（ PK）
1 ％的占空比，
8.3 ms的最大脉冲宽度
闵V（ PK）
1N5550 ， 1N5550US
1N5551 ， 1N5551US
1N5552 ， 1N5552US
1N5553 ， 1N5553US
1N5554 ， 1N5554US
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
MAX V （ PK）
1.2
1.2
1.2
1.3
1.3
I
R1
R
θ
JL
R
θ
JEC
A
DC （最大）在V
R
（ V DC）
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
200
400
600
800
1,000
A
DC （最大）在V
R
（ V DC）
75
75
75
75
75
200
400
600
800
1,000
见（ 1 ）
(1) R
θ
JL
≤
对于L 22 ° C / W = 0.375英寸（ 9.52毫米） 。
R
θ
JEC
≤
为L = 0 （美版） 11 ° C / W 。
2.适用文件
* 2.1一般。在本节中所列出的文件中的第3， 4或5本说明书指定。这
部不包括引用文件在本说明书中的其它部分的或推荐的附加
信息或作为例子。虽然已尽力确保本清单的完整性，文档
用户应注意，它们必须符合文件规定的所有要求引用第3， 4 ，或5本
说明书中，无论它们是否被列出。
2.2政府文件。
* 2.2.1规格，标准和手册。以下规范，标准，和手册形成
此文件在本文中所指定的范围的一部分。除非另有说明，这些文件的问题是
这些引用在招标或合同。
*
防御规格DEPARTMENT
MIL-PRF-19500
*
-
半导体器件，一般规格。
作者防御标准部
MIL-STD-750
-
测试方法半导体器件。
* （可在网上，这些文件的副本
http://assist.daps.dla.mil/quicksearch/
or
www.dodssp.dap.mil
或从标准化文档顺序台， 700罗宾斯大道，大厦4D ，费城，宾夕法尼亚州
19111-5094.)
2.3优先顺序。在本文档的文本和参考文献之间有冲突的引用的事件
这里，这个文档的文本优先。本文件的内容，但是，取代适用法律
并规定除非特定豁免已获得。
2
MIL-PRF-19500/420H
尺寸
LTR
英寸
民
BL
BD
LD
LL
LU
.130
.115
.037
.900
最大
.300
.180
.042
1.300
.050
MILLIMETERS
民
3.30
2.92
0.94
22.86
最大
7.62
4.57
1.07
33.02
1.27
3
3, 4
笔记
注意事项：
1.
尺寸为英寸。
2.
毫米给出的只是一般信息。
3.
尺寸的BL和BD包括二极管周边的所有组件
除了引线在其上的直径被控制的部分。
4.
维BD应在最大直径进行测量。
5.
尺寸卢应在包括引线的部分
其直径是不受控制的。这种不受控制的领域
被定义为二极管体的边缘之间的区域
并延伸0.050英寸（1.27 MM）上线。
6.
按照ASME Y14.5M ，直径
相当于
φx
符号。
*图二极管1N5550通过1N5554 1.物理尺寸， （类似DO- 41 ） 。
3
MIL-PRF-19500/420H
尺寸
LTR
英寸
民
BL
BD
ECT
S
.200
.137
.019
.003
最大
.275
.180
.034
MILLIMETERS
民
5.08
3.48
0.48
0.08
最大
6.99
4.57
0.86
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.毫米给出的只是一般信息。
3.尺寸是预先浸焊。
玻璃体4.最小间隙在所有方位安装面。
5.根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
*的1N5550US图2.通过1N5554US物理尺寸。
4
MIL-PRF-19500/420H
LTR
尺寸
英寸
民
最大
.091
.078
.014
MILLIMETERS
民
2.16
1.83
0.20
最大
2.31
1.98
0.36
A
B
C
.085
.072
.008
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.毫米给出的只是一般信息。
3.物理特性是：
顶（阴极）的Au厚度= 10,000A最低，
背（阳极）的Au厚度= 4,000最小。
4.根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
*图3. JANHCA和JANKCA （ A版）模具尺寸。
5
SENSITRON
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半导体
技术参数
数据表126 ， REV ê
1N5550/US
1N5551/US
1N5552/US
1N5553/US
1N5554/US
JAN
JANTX
JANTXV
HIGH CURRENT轴向引线整流器
说明： 200-1000 VOLT ， 3.0 AMP ， 2000纳秒整流器
-Suffix “美”是指MELF /表面贴装包装
MAX 。额定值/电气特性
等级
峰值反向电压
（ PIV ）
1N5550
1N5551
1N5552
1N5553
1N5554
平均直流输出
电流（I
o
)
峰值单周期浪涌
电流（I
FSM
)
条件
-
所有评级ARE AT＆T
A
= 25
o
C除非另有规定ED 。
民
-
典型值
-
200
400
600
800
1000
T
A
= +55
o
C
t
p
= 8.3 ms单
半周期正弦
波，
叠加
额定负荷
-
I
f
= 9.0A (300
微秒
脉冲占空比<
2%)
-
-
-
-
3.0
150
安培
安培（ PK）
最大
单位
VDC
工作和存储
温度。 （T
op
＆放大器;牛逼
英镑
)
最大正向
电压（V
f
)
1N5550
1N5551
1N5552
1N5553
1N5554
最大瞬时
反向电流在额定
（ PIV ）
反向恢复时间
(t
rr
)
热阻（ θ
JL
)
-65
-
-
-
+175
°C
伏
1.2
1.2
1.2
1.3
1.3
-
-
1.0
75
-
-
2000
22
纳秒
° C / W
μAMPS
T
A
= 25° C
T
A
= 100° C
I
f
= 0.5A ，我
r
= 1.0A ，我
rr
= 0.25A
交界处领导
d = 0.375”
热阻（ θ
JEC
)
结到封端
-
-
11
°
C / W
221西工业苑鹿园，NY 11729 （ 631 ） 586 7600 ，传真（ 631 ） 242 9798
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数据表126 ， REV ê
1N5550/US
1N5551/US
1N5552/US
1N5553/US
1N5554/US
外形尺寸（英寸） / （毫米） ，最小/最大。
0.042 (1.07
0.037 0.94)
.180 (4.57
.115 2.92)
.300 (7.62
.130 3.30)
1.30 (33.0
0.90 22.9)
PKG 。 301
注意：
在阴极侧上的二极管体的一侧标有深色条带。
.028 (.72
.019 .48)
0.20 R最大
(5.08)
0.003 MIN
(.076)
.137 (3.4
.148 3.8)
.200 5.0
.225 5.9)
.137 (3.4
.148 3.8 )
MELF -B
注意：
在阴极侧的标记体与暗带。
221西工业苑鹿园，NY 11729 （ 631 ） 586 7600 ，传真（ 631 ） 242 9798
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1N5551/US
1N5552/US
1N5553/US
1N5554/US
免责声明：
1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知，以提高产品
的特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售部门的最新版本
数据表（ S） 。
2-在哪里极高的可靠性要求（如核电控制，航空航天，交通设备的使用情况，医疗
设备和安全设备） ，安全性应该通过使用该功能确保安全半导体器件或借助于用户的保证
故障安全防范措施或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或其他原因操作过程中的责任
根据该数据表（多个）用户的单位。 Sensitron半导体公司不承担任何知识产权的索赔或任何不负责
其它问题可能导致的信息，产品或在参数表中描述的电路的应用程序。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或因使用产生任何二次伤害承担责任
值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，而不Sensitron明确的书面许可，
半导体。
7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在他们的应用程序会阻碍
维护国际和平与安全，也不是由他们的直接购买者或任何第三方适用于这一目的。当
出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合国家的有关法律法规。
221西工业苑鹿园，NY 11729 （ 631 ） 586 7600 ，传真（ 631 ） 242 9798
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电子邮件地址 - sales@sensitron.com
1N5550US THRU 1N5554US
无空隙隐形封闭
表面贴装标准
回收玻璃整流器
斯科茨代尔区划
描述
该“标准恢复”表面贴装整流二极管系列军事资格
MIL -PRF-四百二分之一万九千五，非常适合高可靠性应用中发生故障不能
可以容忍的。这些行业公认的5.0安培额定整流器的工作高峰期
从200至1000伏的反向电压是密封用无空隙玻璃
建筑使用内部“ I类”的冶金结合。这些设备是
也可在轴向引线封装的通孔安装（参见单独的数据
片1N5550 1N5554直通） 。 Microsemi的还提供了许多其他整流器
产品，以满足更高和更低的电流额定值与各种恢复时间速度。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
包“ E”
或D -5B
特点
表面贴装型封装系列等同于
JEDEC注册1N5550 1N5554到系列
无空隙密封的玻璃封装
极其坚固的结构
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
JAN ， JANTX ， JANTXV ，并提供JANS每MIL-
PRF-19500/420
轴向引线当量也可（参见单独的
数据表1N5550 1N5554直通）
应用/优势
标准恢复5安培整流器200 1000 V
军事和其它高可靠性应用
一般整流应用，包括桥梁，半
桥梁，钳位二极管等。
高正向浪涌电流能力
低热阻
控制雪崩峰值反向功率
能力
天生辐射硬
在Microsemi的描述
MicroNote 050
最大额定值
结温： -65
o
C至+200
o
C
存储温度： -65
o
C至+175
o
C
热电阻： 11
o
C / W结到封端
热阻抗： 1.5
o
C / W @ 10毫秒加热时间
正向平均整流电流（I
O
） ： 5安培@
T
EC
= 55°C （见注1 ）
正向浪涌电流（ 8.3 ms半正弦） ：百安培
焊接温度： 260
o
下10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封无空隙硬玻璃
钨蛞蝓
端子：端盖铜与锡/铅
（锡/铅）完成。注：以前的库存有实
银端盖与锡/铅（Sn / Pb）的表面。
只有阴极乐队：标记
极性：负极指示的带
磁带&卷轴选项：每个标准EIA- 481 -B
重量： 539毫克
请参阅封装尺寸，并建议垫
最后一页布局
平均
纠正
当前
I
O2
@
o
T
A
=+55 C
注2
安培
电气特性
TYPE
最低
击穿
电压
V
BR
@50μA
伏
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
伏
平均
纠正
当前
I
O1
@
o
T
EC
=+55
C
正向电压
V
F
@ 9A（ PK）
分钟。
伏
马克斯。
伏
反向
当前
I
R
@ V
RWM
μA
反向
恢复
t
rr
注3
μs
1N5550US - 1N5554US
注1
安培
1N5550US
220
200
5
3
0.6V （ PK）
1.2V （ PK）
1.0
2.0
1N5551US
440
400
5
3
0.6V （ PK）
1.2V （ PK）
1.0
2.0
1N5552US
660
600
5
3
0.6V （ PK）
1.2V （ PK）
1.0
2.0
1N5553US
880
800
5
3
0.6V （ PK）
1.3V （ PK）
1.0
2.0
1N5554US
1100
1000
5
3
0.6V （ PK）
1.3V （ PK）
1.0
2.0
注1 ：
线性降额66.6毫安/ C以上牛逼
EC
= 100℃ 。我的
O
高达6安培是允许的，只要适当的散热片或
强制空气冷却保持结温度在或低于+ 200℃。
注2 ：
线性降额在25毫安/ C以上牛逼
A
= 55℃ 。该评级是典型的PC板，其中热阻从安装点
环境是足够的控制，其中T
J（下最大）
等级不超过。
注3 ：
I
F
= 0.5 A，I
RM
= 1.0 A，I
R（ REC ）
= .250 A
版权
2006
2006年11月27日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N5550US THRU 1N5554US
无空隙隐形封闭
表面贴装标准
回收玻璃整流器
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
符号
V
BR
V
RWM
I
O
V
F
I
R
t
rr
符号定义&
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流。
工作峰值反向电压：可应用在工作的最大峰值电压
温度范围不包括所有的瞬态电压（参见JESD282 -B ） 。
平均整流输出电流：输出电流平均值在一个完整周期为50 Hz或60 Hz正弦波
输入和一个180度的导通角
最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流。
最大泄漏电流：最大漏电流将流过在指定的电压和
温度。
反向恢复时间：瞬间的电流之间的时间间隔通过零点时
从向前方向转换到相反的方向，然后在指定的恢复衰退点后一
反向峰值电流发生。
包装尺寸和PAD布局
注：此封装外形也有以前
被确定为“D -5B ”
英寸
民
BL
BD
ECT
S
.205
.137
.019
.003
最大
.225
.142
.028
---
民
5.21
3.48
0.48
0.08
mm
最大
5.72
3.61
0.711
---
A
B
C
焊盘布局
英寸
0.288
0.070
0.155
mm
7.32
1.78
3.94
1N5550US - 1N5554US
注意：如果需要安装胶粘剂
从焊料中分离出来，一个附加
0.080英寸直径的接触可以是
放置在焊盘之间的中心
作为水泥的可选点。
版权
2006
2006年11月27日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
文档和流程转换
必要的措施以符合本次修订
由2004年7月19日完成。
英制
MIL-PRF-19500/420H
2004年4月19日
取代
MIL-PRF-19500/420G
○○二年十二月三十
性能规格表
*半导体器件，二极管，硅，电源，整流器，
类型1N5550 1N5554 THROUGH ， 1N5550US THROUGH 1N5554US ，
JAN ， JANTX ， JANTXV ， JANS ， JANHCA ， JANHCB ， JANHCC ， JANHCD ，
JANHCE ， JANKCA ， JANKCD ，和JANKCE
本规范由所有部门批准使用
国防部和机构。
*
1.范围
* 1.1范围。该规范涵盖了芯片的性能要求，通用，半导体
二极管。提供给每个封装的器件类型的四个层次的产品保证在规定的
MIL -PRF- 19500 。提供给每个未封装的器件类型两个级别的产品保证。
1.2物理尺寸。见图1 （类似于DO- 41）， 1N5550 1N5554通过图2 1N5550US
通过1N5554US ，和图3，图4，图5 ，图6和7为JANHC和JANKC死亡。
1.3最大额定值。除非另有规定，T
C
= + 25 ° C和收视率适用于所有情况概述。
歌罗西书1
TYPE
歌罗西书2
V
（ BR ）
歌罗西书3
V
RWM
和
V
（ BR ）分
4上校
I
O1
T
L
= +55°C;
L = .375英寸
(1) (2) (3)
直流
5
5
5
5
5
5上校
I
FSM
I
O
= 2将DC
t
p
= 1/120 s
T
A
= +55°C
A（ PK）
100
100
100
100
100
6上校
T
J
第7栏
I
O2
T
A
=
+55°C
(2) (4)
直流
3
3
3
3
3
第8栏
T
英镑
用于获得在此描述应包括的产品的要求
此规格表和MIL -PRF- 19500 。
V DC
1N5550 ， 1N5550US
1N5551 ， 1N5551US
1N5552 ， 1N5552US
1N5553 ， 1N5553US
1N5554 ， 1N5554US
200
400
600
800
1,000
200
400
600
800
1,000
°C
-65到+200
-65到+200
-65到+200
-65到+200
-65到+200
°C
-65到+175
-65到+175
-65到+175
-65到+175
-65到+175
（ 1 ）线性降额41.6毫安/ ° C以上牛逼
L
= + 55°C ，在L = 0.375英寸（ 9.53毫米） 。
（2）予
O
达6的直流是可允许的，只要适当的散热片或强制空气冷却保持
为证明所结的温升试验最高结温低于+ 200 ° C（见6.5 ） 。
气压降低：
1N5550 ， 1N5551 ， 1N5552 - 8毫米汞柱（100,000英尺） 。
1N5553, 1N5554
- 33毫米汞柱（70,000英尺） 。
（ 3 ）不适用于表面贴装器件。
（ 4 ）线性降额在25毫安/ ° C以上牛逼
A
= +55°C.
*意见，建议，或对本文档的问题应当向国防供应中心，
哥伦布，联系人： DSCC - VAC ， P.O.盒3990 ，哥伦布，俄亥俄州43216-5000 ，或通过电子邮件发送给
Semiconduction@dscc.dla.mil
。由于联系人信息可以更改，你可能要验证的货币
在使用辅助在线数据库这个地址信息
http://www.dodssp.daps.mil 。
美国超导公司N / A
FSC 5961
MIL-PRF-19500/420H
1.4主要电气特性。除非另有规定，T
A
= +25°C.
I
R2
在T
A
= +100°C
TYPE
V
f
在我
f
= 9.0 A（ PK）
1 ％的占空比，
8.3 ms的最大脉冲宽度
闵V（ PK）
1N5550 ， 1N5550US
1N5551 ， 1N5551US
1N5552 ， 1N5552US
1N5553 ， 1N5553US
1N5554 ， 1N5554US
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
MAX V （ PK）
1.2
1.2
1.2
1.3
1.3
I
R1
R
θ
JL
R
θ
JEC
A
DC （最大）在V
R
（ V DC）
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
200
400
600
800
1,000
A
DC （最大）在V
R
（ V DC）
75
75
75
75
75
200
400
600
800
1,000
见（ 1 ）
(1) R
θ
JL
≤
对于L 22 ° C / W = 0.375英寸（ 9.52毫米） 。
R
θ
JEC
≤
为L = 0 （美版） 11 ° C / W 。
2.适用文件
* 2.1一般。在本节中所列出的文件中的第3， 4或5本说明书指定。这
部不包括引用文件在本说明书中的其它部分的或推荐的附加
信息或作为例子。虽然已尽力确保本清单的完整性，文档
用户应注意，它们必须符合文件规定的所有要求引用第3， 4 ，或5本
说明书中，无论它们是否被列出。
2.2政府文件。
* 2.2.1规格，标准和手册。以下规范，标准，和手册形成
此文件在本文中所指定的范围的一部分。除非另有说明，这些文件的问题是
这些引用在招标或合同。
*
防御规格DEPARTMENT
MIL-PRF-19500
*
-
半导体器件，一般规格。
作者防御标准部
MIL-STD-750
-
测试方法半导体器件。
* （可在网上，这些文件的副本
http://assist.daps.dla.mil/quicksearch/
or
www.dodssp.dap.mil
或从标准化文档顺序台， 700罗宾斯大道，大厦4D ，费城，宾夕法尼亚州
19111-5094.)
2.3优先顺序。在本文档的文本和参考文献之间有冲突的引用的事件
这里，这个文档的文本优先。本文件的内容，但是，取代适用法律
并规定除非特定豁免已获得。
2
MIL-PRF-19500/420H
尺寸
LTR
英寸
民
BL
BD
LD
LL
LU
.130
.115
.037
.900
最大
.300
.180
.042
1.300
.050
MILLIMETERS
民
3.30
2.92
0.94
22.86
最大
7.62
4.57
1.07
33.02
1.27
3
3, 4
笔记
注意事项：
1.
尺寸为英寸。
2.
毫米给出的只是一般信息。
3.
尺寸的BL和BD包括二极管周边的所有组件
除了引线在其上的直径被控制的部分。
4.
维BD应在最大直径进行测量。
5.
尺寸卢应在包括引线的部分
其直径是不受控制的。这种不受控制的领域
被定义为二极管体的边缘之间的区域
并延伸0.050英寸（1.27 MM）上线。
6.
按照ASME Y14.5M ，直径
相当于
φx
符号。
*图二极管1N5550通过1N5554 1.物理尺寸， （类似DO- 41 ） 。
3
MIL-PRF-19500/420H
尺寸
LTR
英寸
民
BL
BD
ECT
S
.200
.137
.019
.003
最大
.275
.180
.034
MILLIMETERS
民
5.08
3.48
0.48
0.08
最大
6.99
4.57
0.86
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.毫米给出的只是一般信息。
3.尺寸是预先浸焊。
玻璃体4.最小间隙在所有方位安装面。
5.根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
*的1N5550US图2.通过1N5554US物理尺寸。
4
MIL-PRF-19500/420H
LTR
尺寸
英寸
民
最大
.091
.078
.014
MILLIMETERS
民
2.16
1.83
0.20
最大
2.31
1.98
0.36
A
B
C
.085
.072
.008
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.毫米给出的只是一般信息。
3.物理特性是：
顶（阴极）的Au厚度= 10,000A最低，
背（阳极）的Au厚度= 4,000最小。
4.根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
*图3. JANHCA和JANKCA （ A版）模具尺寸。
5
QQ：2880707522 复制
