1N5550 THRU 1N5552
玻璃钝化结整流器
反向电压
-
200至1000伏
E
D
*
正向电流
-
3.0安培
特点
P
A
T
E
N
T
机箱样式G4
0.180 (4.6)
0.115 (2.9)
DIA 。
1.0 (25.4)
分钟。
0.300 (7.6)
马克斯。
玻璃钝化内腔无结
高温冶金结合建设
密封包装
能够满足
环境的
标准
MIL-S-19500
媒体转换为
提高工作效率
高温焊接保证：
350 ℃/ 10秒0.375"设计（9.5mm ）引线长度，
5磅。 （ 2.3千克）张力
0.042 (1.07)
0.038 (0.962)
DIA 。
1.0 (25.4)
分钟。
机械数据
案例：
实心玻璃体
终端：
焊接镀轴向引线，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量：
0.037盎司， 1.04克
尺寸以英寸（毫米）
*
钎焊引线组件覆盖专利号3930306
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
1N5550
1N5551
1N5552
单位
*最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
*最大阻断电压DC
*在50μA的最低反向击穿电压
*最大正向平均整流电流
0.375"设计（9.5mm ）引线长度在T
A
=55°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
在9.0A最大正向电压
*最大直流反向电流
在额定阻断电压DC
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=200°C
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
（ BR ）
I
（ AV
)
200
140
200
240
400
280
400
460
3.0
600
420
600
660
伏
伏
伏
伏
安培
I
FSM
V
F
I
R
C
J
t
rr
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
英镑
150
100.0
1.2
1.0
25.0
1500.0
120
2.0
22.0
12.0
-65到+200
100
安培
伏
A
pF
s
° C / W
°C
*最大结电容
（注1
)
*最大反向恢复时间
典型热阻
（注2 ）
（注3
)
*工作和存储温度范围
注意事项：
（ 1 ）测得1.0 MH
Z
并应用了12.0伏的反向电压
（ 2 ）反向恢复测试条件：我
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ，我
rr
=0.25A
结（ 3 ）到环境的热阻和交界处领导在0.375“设计（9.5mm ）引线长度，
与安装散热片之间的两条引线。
* JEDEC注册的价值观
4/98
额定值和特性曲线1N5550 THRU 1N5552
图。 1 - 正向电流降额曲线
平均正向电流，
安培
图。 2 - 最大非重复峰值正向
浪涌电流
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
负载电阻或电感
T
L,
焊接温度
200
平均正向电流，
安培
L = 0.375"设计（9.5mm ）
T
J
=T
J
马克斯。
8.3ms单半
正弦波（ JEDEC的方法）
100
T
A
，环境
温度
P.C.B.安装时，
0.375 QUOT ;设计（9.5mm ）引线长度
0.8 X 0.8 X 0.040"
（ 20 ×20×仅1mm）
铜
HEATSINKS
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
温度，
°C
10
1
10
周期数的AT 60 H
z
100
图。 3 - 典型瞬时
正向特性
图。 4 - 典型反向特性
50
20
10
T
J
=150°C
10
瞬时正向电流，
安培
平均正向电流，
安培
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
T
J
=125°C
1
T
J
=25°C
1
T
J
=75°C
0.1
0.1
0.01
0.2
0.01
0
20
40
60
80
100
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
正向反向电压，
伏
百分比额定峰值反向
电压％
图。 5 - 典型结电容
100
结电容， pF的
T
J
=25°C
F = 1.0 MHz的
Vsig=50mVp-p
10
1
10
反向电压，伏
100
功率分立器件
描述
快速参考数据
V
R
= 200 - 1000V
I
F =
5.0A
t
rr
= 2S
V
F
= 1.0V
1N5550 THRU 1N5554
3SM2 THRU 3SM0
轴向引线密封式
标准恢复整流二极管
特点
低反向漏电流
密封在熔融金属氧化物
良好的抗热震性
低正向压降
雪崩能力
这些产品符合MIL -PRF- 420分之19500 。
它们可以提供完全释放JAN ， JANTX ，并
JANTXV版本。
绝对最大额定值
电气规格@ T
A
= 25 ° C除非另有规定ED 。
符号
反向工作电压
平均正向电流
@ 55°C在自由空气中，引线长度
0.375"
重复浪涌电流
@ 55°C在自由空气中，引线长度
0.375"
非重复浪涌电流
（ TP = 8.3ms的@ V
R
＆放大器;牛逼
JMAX
)
（ TP = 8.3ms的， @ V
R
& 25℃）下
存储温度范围
V
RWM
I
F（ AV ）
1N 5550
3SM2
200
1N 5551
3SM4
400
1N 5552
3SM6
600
5.0
1N 5553
3SM8
800
1N 5554
3SM0
1000
单位
V
A
I
FRM
25
A
I
FSM
T
英镑
100
150
-65到+175
A
°C
修订： 2007年10月4日
1
www.semtech.com
1N5550 THRU 1N5554
3SM2 THRU 3SM0
功率分立器件
订购信息
产品型号
1N5550
1N5551
1N5552
1N5553
1N5554
3SM2
3SM4
3SM6
3SM8
3SM0
描述
轴向引线密封式
(1)
注意：
（ 1 ）适用于散装和磁带和卷轴包装。请
咨询工厂的数量。
外形绘图
G4
尺寸
英寸
暗淡
A
B
C
D
E
N
MILLIMETERS
民
3.43
22.86
3.3
-
0.92
最大
4.57
33.02
4.32
0.8
1.07
记
民
0.135
0.9
0.13
-
0.036
最大
0.18
1.3
0.17
0.03
0.042
-
-
-
1
-
注意：
（ 1 ）铅直径不受控制了这一地区。
重量= 0.039盎司
联系信息
升特公司
功率分立产品部
200弗林路，卡马里奥，CA 93012
电话： (805)498-2111 FAX (805)498-3804
2007 Semtech公司公司
4
www.semtech.com
SPICE模型
1N5552
电气特性和最大额定值
部分
工作
号码反向
电压
（ VRWM ）
平均
纠正
当前
（ IO）
反向
当前
@ VRWM
（IR）的
前锋
电压
1周期重复反向
浪涌
浪涌恢复
当前
当前
时间
tp=8.3ms
(3)
（ IFSM ）
（ IFRM ）
（ TRR ）
25°C
安培
25°C
安培
25°C
ns
热
阻抗
连接点
帽。
@50VDC
@ 1kHz时
（ CJ ）
25°C
pF
（ Vf）的
25°C
伏
安培
θ
J-升
L=.125 L=.375 L=.500
° C / W
° C / W
° C / W
55°C(1) 100°C(2) 25°C 100°C
伏
1N5552
安培
安培
A
A
600
5.0
2.0
1.0
25
1.2
9.0
150
25
2000
9
20
25
35
.180(4.57)
.185(4.7)
1.30(33.02)
.042(1.07)
名字
I
S
N
T
RS
TT
C
J0
VJ
M
EG
X TI
KF
AF
FC
BV
IBV
参数
反向漏电流
排放系数
温度
二极管串联电阻
运输时间
零偏压结
电容
批量接界电势
分级系数
能带间隙
温度COEF网络cient
闪烁噪声系数
闪烁噪声指数
系数的电容
二极管的击穿电压
二极管的击穿电流
价值
5.00E-07
2.1
25
0.01
500
122.20
0.80
0.5
1.11
3
0
1
0.5
880
100
单位
安培
C
欧姆
nS
pF
伏
伏
伏
uAmps
外形尺寸：在。 （毫米） *所有的温度均为室温，除非另有说明。改变*数据恕不另行通知。
电压乘法器公司
8711 W.罗斯福大道。
维塞利亚， CA 93291
电话
(559) 651-1402
传真
(559) 651-0740
www.voltagemultipliers.com
SENSITRON
_____
半导体
技术参数
数据表126 ， F版
1N5550/US
1N5551/US
1N5552/US
1N5553/US
1N5554/US
JAN
SJ
JANTX SX
JANTXV SV
HIGH CURRENT轴向引线整流器
说明： 200-1000 VOLT ， 3.0 AMP ， 2000纳秒整流器
-Suffix “美”是指MELF /表面贴装包装
MAX 。额定值/电气特性
等级
峰值反向电压
（ PIV ）
1N5550
1N5551
1N5552
1N5553
1N5554
平均直流输出
电流（I
o
)
峰值单周期浪涌
电流（I
FSM
)
条件
-
所有评级ARE AT＆T
A
= 25
o
C除非另有规定ED 。
民
-
典型值
-
200
400
600
800
1000
T
A
= +55
o
C
t
p
= 8.3 ms单
半周期正弦
波，
叠加
额定负荷
-
I
f
= 9.0A (300
微秒
脉冲占空比<
2%)
-
-
-
-
3.0
150
安培
安培（ PK）
最大
单位
VDC
工作和存储
温度。 （T
op
＆放大器;牛逼
英镑
)
最大正向
电压（V
f
)
1N5550
1N5551
1N5552
1N5553
1N5554
最大瞬时
反向电流在额定
（ PIV ）
反向恢复时间
(t
rr
)
热阻（ θ
JL
)
-65
-
-
-
+175
°C
伏
1.2
1.2
1.2
1.3
1.3
-
-
1.0
75
-
-
2000
22
纳秒
° C / W
μAMPS
T
A
= 25° C
T
A
= 100° C
I
f
= 0.5A ，我
r
= 1.0A ，我
rr
= 0.25A
交界处领导
d = 0.375”
热阻（ θ
JEC
)
结到封端
-
-
11
°
C / W
221西工业苑鹿园，NY 11729 （ 631 ） 586 7600 ，传真（ 631 ） 242 9798
万维网 - www.sensitron.com
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SENSITRON
_____
半导体
技术参数
数据表126 ， F版
1N5550/US
1N5551/US
1N5552/US
1N5553/US
1N5554/US
外形尺寸（英寸） / （毫米） ，最小/最大。
0.042 (1.07
0.037 0.94)
.180 (4.57
.115 2.92)
.300 (7.62
.130 3.30)
1.30 (33.0
0.90 22.9)
PKG 。 301
注意：
在阴极侧上的二极管体的一侧标有深色条带。
.028 (.72
.019 .48)
0.20 R最大
(5.08)
0.003 MIN
(.076)
.137 (3.4
.148 3.8)
.200 5.0
.225 5.9)
.137 (3.4
.148 3.8 )
MELF -B
注意：
在阴极侧的标记体与暗带。
221西工业苑鹿园，NY 11729 （ 631 ） 586 7600 ，传真（ 631 ） 242 9798
万维网 - www.sensitron.com
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SENSITRON
_____
半导体
技术参数
数据表126 ， F版
1N5550/US
1N5551/US
1N5552/US
1N5553/US
1N5554/US
免责声明：
1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知，以提高产品
的特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售部门的最新版本
数据表（ S） 。
2-在哪里极高的可靠性要求（如核电控制，航空航天，交通设备的使用情况，医疗
设备和安全设备） ，安全性应该通过使用该功能确保安全半导体器件或借助于用户的保证
故障安全防范措施或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或其他原因操作过程中的责任
根据该数据表（多个）用户的单位。 Sensitron半导体公司不承担任何知识产权的索赔或任何不负责
其它问题可能导致的信息，产品或在参数表中描述的电路的应用程序。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或因使用产生任何二次伤害承担责任
值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，而不Sensitron明确的书面许可，
半导体。
7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在他们的应用程序会阻碍
维护国际和平与安全，也不是由他们的直接购买者或任何第三方适用于这一目的。当
出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合国家的有关法律法规。
221西工业苑鹿园，NY 11729 （ 631 ） 586 7600 ，传真（ 631 ） 242 9798
万维网 - www.sensitron.com
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SENSITRON
_____
半导体
技术参数
数据表126 ， REV ê
1N5550/US
1N5551/US
1N5552/US
1N5553/US
1N5554/US
JAN
JANTX
JANTXV
HIGH CURRENT轴向引线整流器
说明： 200-1000 VOLT ， 3.0 AMP ， 2000纳秒整流器
-Suffix “美”是指MELF /表面贴装包装
MAX 。额定值/电气特性
等级
峰值反向电压
（ PIV ）
1N5550
1N5551
1N5552
1N5553
1N5554
平均直流输出
电流（I
o
)
峰值单周期浪涌
电流（I
FSM
)
条件
-
所有评级ARE AT＆T
A
= 25
o
C除非另有规定ED 。
民
-
典型值
-
200
400
600
800
1000
T
A
= +55
o
C
t
p
= 8.3 ms单
半周期正弦
波，
叠加
额定负荷
-
I
f
= 9.0A (300
微秒
脉冲占空比<
2%)
-
-
-
-
3.0
150
安培
安培（ PK）
最大
单位
VDC
工作和存储
温度。 （T
op
＆放大器;牛逼
英镑
)
最大正向
电压（V
f
)
1N5550
1N5551
1N5552
1N5553
1N5554
最大瞬时
反向电流在额定
（ PIV ）
反向恢复时间
(t
rr
)
热阻（ θ
JL
)
-65
-
-
-
+175
°C
伏
1.2
1.2
1.2
1.3
1.3
-
-
1.0
75
-
-
2000
22
纳秒
° C / W
μAMPS
T
A
= 25° C
T
A
= 100° C
I
f
= 0.5A ，我
r
= 1.0A ，我
rr
= 0.25A
交界处领导
d = 0.375”
热阻（ θ
JEC
)
结到封端
-
-
11
°
C / W
221西工业苑鹿园，NY 11729 （ 631 ） 586 7600 ，传真（ 631 ） 242 9798
万维网 - www.sensitron.com
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SENSITRON
_____
半导体
技术参数
数据表126 ， REV ê
1N5550/US
1N5551/US
1N5552/US
1N5553/US
1N5554/US
外形尺寸（英寸） / （毫米） ，最小/最大。
0.042 (1.07
0.037 0.94)
.180 (4.57
.115 2.92)
.300 (7.62
.130 3.30)
1.30 (33.0
0.90 22.9)
PKG 。 301
注意：
在阴极侧上的二极管体的一侧标有深色条带。
.028 (.72
.019 .48)
0.20 R最大
(5.08)
0.003 MIN
(.076)
.137 (3.4
.148 3.8)
.200 5.0
.225 5.9)
.137 (3.4
.148 3.8 )
MELF -B
注意：
在阴极侧的标记体与暗带。
221西工业苑鹿园，NY 11729 （ 631 ） 586 7600 ，传真（ 631 ） 242 9798
万维网 - www.sensitron.com
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SENSITRON
_____
半导体
技术参数
数据表126 ， REV ê
1N5550/US
1N5551/US
1N5552/US
1N5553/US
1N5554/US
免责声明：
1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知，以提高产品
的特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售部门的最新版本
数据表（ S） 。
2-在哪里极高的可靠性要求（如核电控制，航空航天，交通设备的使用情况，医疗
设备和安全设备） ，安全性应该通过使用该功能确保安全半导体器件或借助于用户的保证
故障安全防范措施或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或其他原因操作过程中的责任
根据该数据表（多个）用户的单位。 Sensitron半导体公司不承担任何知识产权的索赔或任何不负责
其它问题可能导致的信息，产品或在参数表中描述的电路的应用程序。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或因使用产生任何二次伤害承担责任
值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，而不Sensitron明确的书面许可，
半导体。
7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在他们的应用程序会阻碍
维护国际和平与安全，也不是由他们的直接购买者或任何第三方适用于这一目的。当
出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合国家的有关法律法规。
221西工业苑鹿园，NY 11729 （ 631 ） 586 7600 ，传真（ 631 ） 242 9798
万维网 - www.sensitron.com
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
文档和流程转换
必要的措施以符合本次修订
由2004年7月19日完成。
英制
MIL-PRF-19500/420H
2004年4月19日
取代
MIL-PRF-19500/420G
○○二年十二月三十
性能规格表
*半导体器件，二极管，硅，电源，整流器，
类型1N5550 1N5554 THROUGH ， 1N5550US THROUGH 1N5554US ，
JAN ， JANTX ， JANTXV ， JANS ， JANHCA ， JANHCB ， JANHCC ， JANHCD ，
JANHCE ， JANKCA ， JANKCD ，和JANKCE
本规范由所有部门批准使用
国防部和机构。
*
1.范围
* 1.1范围。该规范涵盖了芯片的性能要求，通用，半导体
二极管。提供给每个封装的器件类型的四个层次的产品保证在规定的
MIL -PRF- 19500 。提供给每个未封装的器件类型两个级别的产品保证。
1.2物理尺寸。见图1 （类似于DO- 41）， 1N5550 1N5554通过图2 1N5550US
通过1N5554US ，和图3，图4，图5 ，图6和7为JANHC和JANKC死亡。
1.3最大额定值。除非另有规定，T
C
= + 25 ° C和收视率适用于所有情况概述。
歌罗西书1
TYPE
歌罗西书2
V
（ BR ）
歌罗西书3
V
RWM
和
V
（ BR ）分
4上校
I
O1
T
L
= +55°C;
L = .375英寸
(1) (2) (3)
直流
5
5
5
5
5
5上校
I
FSM
I
O
= 2将DC
t
p
= 1/120 s
T
A
= +55°C
A（ PK）
100
100
100
100
100
6上校
T
J
第7栏
I
O2
T
A
=
+55°C
(2) (4)
直流
3
3
3
3
3
第8栏
T
英镑
用于获得在此描述应包括的产品的要求
此规格表和MIL -PRF- 19500 。
V DC
1N5550 ， 1N5550US
1N5551 ， 1N5551US
1N5552 ， 1N5552US
1N5553 ， 1N5553US
1N5554 ， 1N5554US
200
400
600
800
1,000
200
400
600
800
1,000
°C
-65到+200
-65到+200
-65到+200
-65到+200
-65到+200
°C
-65到+175
-65到+175
-65到+175
-65到+175
-65到+175
（ 1 ）线性降额41.6毫安/ ° C以上牛逼
L
= + 55°C ，在L = 0.375英寸（ 9.53毫米） 。
（2）予
O
达6的直流是可允许的，只要适当的散热片或强制空气冷却保持
为证明所结的温升试验最高结温低于+ 200 ° C（见6.5 ） 。
气压降低：
1N5550 ， 1N5551 ， 1N5552 - 8毫米汞柱（100,000英尺） 。
1N5553, 1N5554
- 33毫米汞柱（70,000英尺） 。
（ 3 ）不适用于表面贴装器件。
（ 4 ）线性降额在25毫安/ ° C以上牛逼
A
= +55°C.
*意见，建议，或对本文档的问题应当向国防供应中心，
哥伦布，联系人： DSCC - VAC ， P.O.盒3990 ，哥伦布，俄亥俄州43216-5000 ，或通过电子邮件发送给
Semiconduction@dscc.dla.mil
。由于联系人信息可以更改，你可能要验证的货币
在使用辅助在线数据库这个地址信息
http://www.dodssp.daps.mil 。
美国超导公司N / A
FSC 5961
MIL-PRF-19500/420H
1.4主要电气特性。除非另有规定，T
A
= +25°C.
I
R2
在T
A
= +100°C
TYPE
V
f
在我
f
= 9.0 A（ PK）
1 ％的占空比，
8.3 ms的最大脉冲宽度
闵V（ PK）
1N5550 ， 1N5550US
1N5551 ， 1N5551US
1N5552 ， 1N5552US
1N5553 ， 1N5553US
1N5554 ， 1N5554US
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
MAX V （ PK）
1.2
1.2
1.2
1.3
1.3
I
R1
R
θ
JL
R
θ
JEC
A
DC （最大）在V
R
（ V DC）
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
200
400
600
800
1,000
A
DC （最大）在V
R
（ V DC）
75
75
75
75
75
200
400
600
800
1,000
见（ 1 ）
(1) R
θ
JL
≤
对于L 22 ° C / W = 0.375英寸（ 9.52毫米） 。
R
θ
JEC
≤
为L = 0 （美版） 11 ° C / W 。
2.适用文件
* 2.1一般。在本节中所列出的文件中的第3， 4或5本说明书指定。这
部不包括引用文件在本说明书中的其它部分的或推荐的附加
信息或作为例子。虽然已尽力确保本清单的完整性，文档
用户应注意，它们必须符合文件规定的所有要求引用第3， 4 ，或5本
说明书中，无论它们是否被列出。
2.2政府文件。
* 2.2.1规格，标准和手册。以下规范，标准，和手册形成
此文件在本文中所指定的范围的一部分。除非另有说明，这些文件的问题是
这些引用在招标或合同。
*
防御规格DEPARTMENT
MIL-PRF-19500
*
-
半导体器件，一般规格。
作者防御标准部
MIL-STD-750
-
测试方法半导体器件。
* （可在网上，这些文件的副本
http://assist.daps.dla.mil/quicksearch/
or
www.dodssp.dap.mil
或从标准化文档顺序台， 700罗宾斯大道，大厦4D ，费城，宾夕法尼亚州
19111-5094.)
2.3优先顺序。在本文档的文本和参考文献之间有冲突的引用的事件
这里，这个文档的文本优先。本文件的内容，但是，取代适用法律
并规定除非特定豁免已获得。
2
MIL-PRF-19500/420H
尺寸
LTR
英寸
民
BL
BD
LD
LL
LU
.130
.115
.037
.900
最大
.300
.180
.042
1.300
.050
MILLIMETERS
民
3.30
2.92
0.94
22.86
最大
7.62
4.57
1.07
33.02
1.27
3
3, 4
笔记
注意事项：
1.
尺寸为英寸。
2.
毫米给出的只是一般信息。
3.
尺寸的BL和BD包括二极管周边的所有组件
除了引线在其上的直径被控制的部分。
4.
维BD应在最大直径进行测量。
5.
尺寸卢应在包括引线的部分
其直径是不受控制的。这种不受控制的领域
被定义为二极管体的边缘之间的区域
并延伸0.050英寸（1.27 MM）上线。
6.
按照ASME Y14.5M ，直径
相当于
φx
符号。
*图二极管1N5550通过1N5554 1.物理尺寸， （类似DO- 41 ） 。
3
MIL-PRF-19500/420H
尺寸
LTR
英寸
民
BL
BD
ECT
S
.200
.137
.019
.003
最大
.275
.180
.034
MILLIMETERS
民
5.08
3.48
0.48
0.08
最大
6.99
4.57
0.86
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.毫米给出的只是一般信息。
3.尺寸是预先浸焊。
玻璃体4.最小间隙在所有方位安装面。
5.根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
*的1N5550US图2.通过1N5554US物理尺寸。
4
MIL-PRF-19500/420H
LTR
尺寸
英寸
民
最大
.091
.078
.014
MILLIMETERS
民
2.16
1.83
0.20
最大
2.31
1.98
0.36
A
B
C
.085
.072
.008
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.毫米给出的只是一般信息。
3.物理特性是：
顶（阴极）的Au厚度= 10,000A最低，
背（阳极）的Au厚度= 4,000最小。
4.根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
*图3. JANHCA和JANKCA （ A版）模具尺寸。
5
文档和流程转换
必要的措施以符合本次修订
由2004年7月19日完成。
英制
MIL-PRF-19500/420H
2004年4月19日
取代
MIL-PRF-19500/420G
○○二年十二月三十
性能规格表
*半导体器件，二极管，硅，电源，整流器，
类型1N5550 1N5554 THROUGH ， 1N5550US THROUGH 1N5554US ，
JAN ， JANTX ， JANTXV ， JANS ， JANHCA ， JANHCB ， JANHCC ， JANHCD ，
JANHCE ， JANKCA ， JANKCD ，和JANKCE
本规范由所有部门批准使用
国防部和机构。
*
1.范围
* 1.1范围。该规范涵盖了芯片的性能要求，通用，半导体
二极管。提供给每个封装的器件类型的四个层次的产品保证在规定的
MIL -PRF- 19500 。提供给每个未封装的器件类型两个级别的产品保证。
1.2物理尺寸。见图1 （类似于DO- 41）， 1N5550 1N5554通过图2 1N5550US
通过1N5554US ，和图3，图4，图5 ，图6和7为JANHC和JANKC死亡。
1.3最大额定值。除非另有规定，T
C
= + 25 ° C和收视率适用于所有情况概述。
歌罗西书1
TYPE
歌罗西书2
V
（ BR ）
歌罗西书3
V
RWM
和
V
（ BR ）分
4上校
I
O1
T
L
= +55°C;
L = .375英寸
(1) (2) (3)
直流
5
5
5
5
5
5上校
I
FSM
I
O
= 2将DC
t
p
= 1/120 s
T
A
= +55°C
A（ PK）
100
100
100
100
100
6上校
T
J
第7栏
I
O2
T
A
=
+55°C
(2) (4)
直流
3
3
3
3
3
第8栏
T
英镑
用于获得在此描述应包括的产品的要求
此规格表和MIL -PRF- 19500 。
V DC
1N5550 ， 1N5550US
1N5551 ， 1N5551US
1N5552 ， 1N5552US
1N5553 ， 1N5553US
1N5554 ， 1N5554US
200
400
600
800
1,000
200
400
600
800
1,000
°C
-65到+200
-65到+200
-65到+200
-65到+200
-65到+200
°C
-65到+175
-65到+175
-65到+175
-65到+175
-65到+175
（ 1 ）线性降额41.6毫安/ ° C以上牛逼
L
= + 55°C ，在L = 0.375英寸（ 9.53毫米） 。
（2）予
O
达6的直流是可允许的，只要适当的散热片或强制空气冷却保持
为证明所结的温升试验最高结温低于+ 200 ° C（见6.5 ） 。
气压降低：
1N5550 ， 1N5551 ， 1N5552 - 8毫米汞柱（100,000英尺） 。
1N5553, 1N5554
- 33毫米汞柱（70,000英尺） 。
（ 3 ）不适用于表面贴装器件。
（ 4 ）线性降额在25毫安/ ° C以上牛逼
A
= +55°C.
*意见，建议，或对本文档的问题应当向国防供应中心，
哥伦布，联系人： DSCC - VAC ， P.O.盒3990 ，哥伦布，俄亥俄州43216-5000 ，或通过电子邮件发送给
Semiconduction@dscc.dla.mil
。由于联系人信息可以更改，你可能要验证的货币
在使用辅助在线数据库这个地址信息
http://www.dodssp.daps.mil 。
美国超导公司N / A
FSC 5961
MIL-PRF-19500/420H
1.4主要电气特性。除非另有规定，T
A
= +25°C.
I
R2
在T
A
= +100°C
TYPE
V
f
在我
f
= 9.0 A（ PK）
1 ％的占空比，
8.3 ms的最大脉冲宽度
闵V（ PK）
1N5550 ， 1N5550US
1N5551 ， 1N5551US
1N5552 ， 1N5552US
1N5553 ， 1N5553US
1N5554 ， 1N5554US
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
MAX V （ PK）
1.2
1.2
1.2
1.3
1.3
I
R1
R
θ
JL
R
θ
JEC
A
DC （最大）在V
R
（ V DC）
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
200
400
600
800
1,000
A
DC （最大）在V
R
（ V DC）
75
75
75
75
75
200
400
600
800
1,000
见（ 1 ）
(1) R
θ
JL
≤
对于L 22 ° C / W = 0.375英寸（ 9.52毫米） 。
R
θ
JEC
≤
为L = 0 （美版） 11 ° C / W 。
2.适用文件
* 2.1一般。在本节中所列出的文件中的第3， 4或5本说明书指定。这
部不包括引用文件在本说明书中的其它部分的或推荐的附加
信息或作为例子。虽然已尽力确保本清单的完整性，文档
用户应注意，它们必须符合文件规定的所有要求引用第3， 4 ，或5本
说明书中，无论它们是否被列出。
2.2政府文件。
* 2.2.1规格，标准和手册。以下规范，标准，和手册形成
此文件在本文中所指定的范围的一部分。除非另有说明，这些文件的问题是
这些引用在招标或合同。
*
防御规格DEPARTMENT
MIL-PRF-19500
*
-
半导体器件，一般规格。
作者防御标准部
MIL-STD-750
-
测试方法半导体器件。
* （可在网上，这些文件的副本
http://assist.daps.dla.mil/quicksearch/
or
www.dodssp.dap.mil
或从标准化文档顺序台， 700罗宾斯大道，大厦4D ，费城，宾夕法尼亚州
19111-5094.)
2.3优先顺序。在本文档的文本和参考文献之间有冲突的引用的事件
这里，这个文档的文本优先。本文件的内容，但是，取代适用法律
并规定除非特定豁免已获得。
2
MIL-PRF-19500/420H
尺寸
LTR
英寸
民
BL
BD
LD
LL
LU
.130
.115
.037
.900
最大
.300
.180
.042
1.300
.050
MILLIMETERS
民
3.30
2.92
0.94
22.86
最大
7.62
4.57
1.07
33.02
1.27
3
3, 4
笔记
注意事项：
1.
尺寸为英寸。
2.
毫米给出的只是一般信息。
3.
尺寸的BL和BD包括二极管周边的所有组件
除了引线在其上的直径被控制的部分。
4.
维BD应在最大直径进行测量。
5.
尺寸卢应在包括引线的部分
其直径是不受控制的。这种不受控制的领域
被定义为二极管体的边缘之间的区域
并延伸0.050英寸（1.27 MM）上线。
6.
按照ASME Y14.5M ，直径
相当于
φx
符号。
*图二极管1N5550通过1N5554 1.物理尺寸， （类似DO- 41 ） 。
3
MIL-PRF-19500/420H
尺寸
LTR
英寸
民
BL
BD
ECT
S
.200
.137
.019
.003
最大
.275
.180
.034
MILLIMETERS
民
5.08
3.48
0.48
0.08
最大
6.99
4.57
0.86
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.毫米给出的只是一般信息。
3.尺寸是预先浸焊。
玻璃体4.最小间隙在所有方位安装面。
5.根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
*的1N5550US图2.通过1N5554US物理尺寸。
4
MIL-PRF-19500/420H
LTR
尺寸
英寸
民
最大
.091
.078
.014
MILLIMETERS
民
2.16
1.83
0.20
最大
2.31
1.98
0.36
A
B
C
.085
.072
.008
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.毫米给出的只是一般信息。
3.物理特性是：
顶（阴极）的Au厚度= 10,000A最低，
背（阳极）的Au厚度= 4,000最小。
4.根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
*图3. JANHCA和JANKCA （ A版）模具尺寸。
5
功率分立器件
描述
快速参考数据
V
R
= 200 - 1000V
I
F =
5.0A
t
rr
= 2S
V
F
= 1.0V
1N5550 THRU 1N5554
3SM2 THRU 3SM0
轴向引线密封式
标准恢复整流二极管
特点
低反向漏电流
密封在熔融金属氧化物
良好的抗热震性
低正向压降
雪崩能力
这些产品符合MIL -PRF- 420分之19500 。
它们可以提供完全释放JAN ， JANTX ，
JANTXV和JANS版本。
绝对最大额定值
电气规格@ T
A
= 25 ° C除非另有规定ED 。
符号
反向工作电压
平均正向电流
@ 55°C在自由空气中，引线长度
0.375"
重复浪涌电流
@ 55°C在自由空气中，引线长度
0.375"
非重复浪涌电流
（ TP = 8.3ms的@ V
R
＆放大器;牛逼
JMAX
)
（ TP = 8.3ms的， @ V
R
& 25℃）下
存储温度范围
V
RWM
I
F（ AV ）
1N 5550
3SM2
200
1N 5551
3SM4
400
1N 5552
3SM6
600
5.0
1N 5553
3SM8
800
1N 5554
3SM0
1000
单位
V
A
I
FRM
25
A
I
FSM
T
英镑
100
150
-65到+175
A
°C
修订： 2008年9月22日
1
www.semtech.com
1N5550 THRU 1N5554
3SM2 THRU 3SM0
功率分立器件
订购信息
产品型号
1N5550
1N5551
1N5552
1N5553
1N5554
3SM2
3SM4
3SM6
3SM8
3SM0
描述
轴向引线密封式
(1)
注意：
（ 1 ）适用于散装和磁带和卷轴包装。请
咨询工厂的数量。
外形绘图
G4
尺寸
英寸
暗淡
A
B
C
D
E
N
MILLIMETERS
民
2.92
22.86
3.3
-
0.92
最大
4.57
33.02
7.62
0.8
1.07
记
民
0.115
0.9
0.13
-
0.036
最大
0.18
1.3
0.3
0.03
0.042
-
-
-
1
-
注意：
（ 1 ）铅直径不受控制了这一地区。
重量= 0.039盎司
联系信息
升特公司
功率分立产品部
200弗林路，卡马里奥，CA 93012
电话： (805)498-2111 FAX (805)498-3804
2008 Semtech公司公司
4
www.semtech.com
QQ：2880707522 复制
