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1N4148W-V
威世半导体
小信号的快速开关二极管
特点
这些二极管也可在其他
表壳款式包括DO35例
类型名称1N4148 ，则
e3
MiniMELF情况与型号标识
LL4148 ，并且SOT23情况下与
型号命名IMBD4148 -V 。
硅外延平面二极管
快速开关二极管
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
17431
机械数据
案例：
SOD123塑料外壳
重量：
约。 10.3毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒GS08 / 3
零件表
部分
1N4148W-V
订购代码
1N4148W -V - GS18或1N4148W -V- GS08
记号
A2
备注
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
反向重复峰值电压
平均整流电流的一半
波整流电阻
负载
正向电流浪涌
功耗
注意：
1)
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
f
≥
50赫兹
吨< 1 s和t
j
= 25 °C
测试条件
符号
V
R
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
P
合计
价值
75
100
150
1)
500
350
1)
单位
V
V
mA
mA
mW
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
储存温度
注意：
1)
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
文档编号85748
修订版1.4 ， 14月， 07
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1
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
357
1)
150
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
1N4148W-V
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
V
R
= 20 V
漏电流
V
R
= 75 V
V
R
= 100 V
V
R
= 20 V ，T
J
= 150 °C
二极管电容
切换时，在电压上升
（与50毫安脉冲测试）
反向恢复时间
整流效率
V
F
= V
R
= 0 V
测试了50毫安脉冲，
t
p
= 0.1微秒，上升时间< 30纳秒，
f
p
= （ 5100 ） kHz的
I
F
= 10 mA时，我
R
= 1毫安， V
R
= 6 V,
R
L
= 100
Ω
F = 100兆赫，V
RF
= 2 V
符号
V
F
V
F
I
R
I
R
I
R
I
R
C
D
V
fr
民
典型值。
最大
1000
1200
25
5
100
50
4
2.5
单位
mV
mV
nA
A
A
A
pF
V
t
rr
η½
0.45
4
ns
整流效率测量电路
60
Ω
V
RF
= 2
V
2 nF的
5 kΩ
V
O
17436
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2
文档编号85748
修订版1.4 ， 14月， 07
1N4148W-V
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
10
3
1.1
T
j
= 25 °C
F = 1 MHz的
10
2
T
j
= 100 °C
T
j
= 25 °C
1.0
C
D
(0
V)
I
F
（MA ）
C
D
(V
R
)
10
0.9
1
0.8
10
-1
0.7
10
-2
17437
0
1
2
17440
0
2
4
6
8
10
V
F
(V)
V
R
(V)
图1.正向特性
图4.相对电容与反向电压
10
4
5
2
T
j
= 25 °C
F = 1千赫
10
4
5
2
10
3
5
10
3
5
I
R
（ nA的）
r
f
(Ω)
2
2
10
2
5
2
10
2
5
2
10
5
2
10
5
2
V
R
= 20
V
1
10
-2
17438
10
-1
1
10
10
2
17441
0
100
200
I
F
（MA ）
T
j
(°C)
图2.动态正向电阻与正向电流
图5.漏电流与结温
500
P
合计
- 功耗（MW ）
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
50
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
150
20809
图3.容许功耗与环境温度
文档编号85748
修订版1.4 ， 14月， 07
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3
1N4148W-V
威世半导体
100
5
4
3
2
I
v
= t
P
/T
I
FRM
V
=0
t
P
T
t
T = 1 /女
P
10
I
FRM
(A)
5
4
3
2
0.1
0.2
0.5
1
5
4
3
2
0.1
10
-5
17442
2
5
10
-4
2
5
10
-3
2
5
10
-2
2
5
10
-1
2
5
1
2
5
10
t
P
(s)
图6.容许重复峰值正向电流与脉冲持续时间
包装尺寸
毫米（英寸）
： SOD123
17432
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4
文档编号85748
修订版1.4 ， 14月， 07
1N4148W-V
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每一个客户进行验证
应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何意外或
未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体的所有索赔，费用，损失，
和费用，直接或间接地引起的，人身损害，伤害或死亡的任何索赔相关
与此类意外或未经授权的使用。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
文档编号85748
修订版1.4 ， 14月， 07
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