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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符1型号页 > 首字符1的型号第664页 > 1N4148WS-V
1N4148WS-V
威世半导体
小信号的快速开关二极管
特点
这些二极管也可在其他
表壳款式包括DO- 35的情况下
同类型指定1N4148 ，则
MiniMELF情况与型号标识
LL4148和SOT-23的情况下与
型号命名IMBD4148 -V
硅外延平面二极管
快速开关二极管
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
20145
机械数据
案例：
SOD-323
重量：
约。 4.3毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒GS08 / 3
零件表
部分
1N4148WS-V
订购代码
1N4148WS -V - GS18或1N4148WS -V- GS08
键入标记
A2
备注
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
反向重复峰值电压
平均整流电流的一半
波整流电阻
负载
正向电流浪涌
功耗
注意：
1)
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
f
≥
50赫兹
吨< 1 s和t
j
= 25 °C
测试条件
符号
V
R
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
P
合计
价值
75
100
150
1)
350
200
1)
单位
V
V
mA
mA
mW
文档编号85751
修订版1.8 ， 12 - 8 - 10
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
1N4148WS-V
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
储存温度
注意：
1)
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
650
1)
150
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
V
R
= 20 V
漏电流
V
R
= 75 V
V
R
= 100 V
V
R
= 20 V ，T
j
= 150 °C
二极管电容
切换时，在电压上升
（与50毫安脉冲测试）
反向恢复时间
整流效率
V
F
= V
R
= 0 V
测试了50毫安脉冲，
t
p
= 0.1微秒，上升时间< 30纳秒，
f
p
= （ 5100 ） kHz的
I
F
= 10 mA时，我
R
= 1毫安， V
R
= 6 V,
R
L
= 100
Ω
F = 100兆赫，V
RF
= 2 V
符号
V
F
V
F
I
R
I
R
I
R
I
R
C
D
V
fr
分钟。
典型值。
马克斯。
1000
1200
25
5
100
50
4
2.5
单位
mV
mV
nA
A
A
A
pF
V
t
rr
η½
0.45
4
ns
整流效率测量电路
60
Ω
V
RF
= 2
V
2 nF的
5 kΩ
V
O
17436
www.vishay.com
2
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DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
修订版1.8 ， 12 - 8 - 10
1N4148WS-V
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
10
3
1.1
T
j
= 25 °C
F = 1 MHz的
10
2
T
j
= 100 °C
T
j
= 25 °C
1.0
C
D
(0
V)
I
F
（MA ）
C
D
(V
R
)
10
0.9
1
0.8
10
-1
0.7
10
-2
0
17437
1
V
F
(V)
2
17440
0
2
4
6
8
10
V
R
(V)
图1.正向特性
图4.相对电容与反向电压
10
4
5
2
T
j
= 25 °C
F = 1千赫
10
4
5
2
10
3
5
10
3
5
2
R
f
(Ω)
10
2
5
2
I
R
（ nA的）
2
10
2
5
2
10
5
2
10
5
2
V
R
= 20
V
1
10
17438
-2
10
-1
1
10
10
2
0
17441
100
200
I
F
（MA ）
T
j
(°C)
图2.动态正向电阻与正向电流
图5.漏电流与结温
250
P
合计
- 功耗（MW ）
200
150
100
50
0
0
50
100
150
200
牛逼 - 环境温度（ ° C）
20324
图3.容许功耗与环境温度
文档编号85751
修订版1.8 ， 12 - 8 - 10
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3
1N4148WS-V
威世半导体
100
5
4
3
2
I
n
= t
P
/T
I
FRM
t
P
T
T = 1 /女
P
10
I
FRM
(A)
n
=0
0.1
0.2
0.5
5
4
3
2
t
1
5
4
3
2
0.1
10
-5
17442
2
5
10
-4
2
5
10
-3
2
5
10
-2
2
5
10
-1
2
5
1
2
5
10
t
P
(s)
图6.容许重复峰值正向电流与脉冲持续时间
包装尺寸
毫米（英寸）
： SOD- 323
1.15 (0.045)
0.8 (0.031)
0.2 (0.008)
0.1 （ 0.004 ）最大。
0.15 (0.006)
0.10 (0.004)
1.1 (0.043)
0.40 (0.016)
0.25 (0.010)
1.95 (0.077)
1.60 (0.063)
阴极棒
0.40 (0.016)
0.20 (0.008)
2.85 (0.112)
2.50 (0.098)
足迹推荐：
0.6 (0.024)
1.5 (0.059)
0° 8
°
0.6 (0.024)
1.6 (0.063)
17443
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4
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：文档编号85751
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
修订版1.8 ， 12 - 8 - 10
0.6 (0.024)
文件编号： S8 -V - 3910.02-001 （ 4 ）
创建 - 日期： 24.August.2004
启5 - 日期： 23.Sept.2009
法律免责声明
www.vishay.com
日前，Vishay
放弃
全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前，Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证，声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内， Vishay不承担（ i）任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用， （ ii）任何及所有责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
材料分类政策
日前，Vishay Intertechnology，Inc.是在此证明，所有被认定为符合RoHS标准的产品符合
定义和限制，根据安理会的指令，欧洲议会的2011/65 / EU和定义
2011年6月8日在使用某些有害物质的电器和电子设备的限制
（EEE ） - 重铸，除非另外指定为不符合要求的。
请注意，某些日前，Vishay文档可能仍然会参考RoHS指令2002/ 95 / EC 。我们确认，
所有被确定为符合2002 /95 / EC的产品符合指令2011/65 / EU 。
修订： 12 -MAR- 12
1
文档编号： 91000
1N4148WS-V
威世半导体
小信号的快速开关二极管
特点
这些二极管也可在其他
表壳款式包括DO35情况
e3
同类型指定1N4148 ，则
MiniMELF壳体与类型
指定LL4148 ，并且SOT23情况下与
型号命名IMBD4148 -V
硅外延平面二极管
快速开关二极管
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
20145
机械数据
案例：
SOD323塑料外壳
重量：
约。 4.3毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒GS08 / 3
零件表
部分
1N4148WS-V
订购代码
1N4148WS -V - GS18或1N4148WS -V- GS08
键入标记
A2
备注
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
反向重复峰值电压
平均整流电流的一半
波整流电阻
负载
正向电流浪涌
功耗
注意：
1)
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
f
≥
50赫兹
吨< 1 s和t
j
= 25 °C
测试条件
符号
V
R
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
P
合计
价值
75
100
150
1)
350
200
1)
单位
V
V
mA
mA
mW
文档编号85751
修订版1.7 ， 14月， 07
www.vishay.com
1
1N4148WS-V
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
储存温度
注意：
1)
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
650
1)
150
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
V
R
= 20 V
漏电流
V
R
= 75 V
V
R
= 100 V
V
R
= 20 V ，T
j
= 150 °C
二极管电容
切换时，在电压上升
（与50毫安脉冲测试）
反向恢复时间
整流效率
V
F
= V
R
= 0 V
测试了50毫安脉冲，
t
p
= 0.1微秒，上升时间< 30纳秒，
f
p
= （ 5100 ） kHz的
I
F
= 10 mA时，我
R
= 1毫安， V
R
= 6 V,
R
L
= 100
Ω
F = 100兆赫，V
RF
= 2 V
符号
V
F
V
F
I
R
I
R
I
R
I
R
C
D
V
fr
民
典型值。
最大
1000
1200
25
5
100
50
4
2.5
单位
mV
mV
nA
A
A
A
pF
V
t
rr
η½
0.45
4
ns
整流效率测量电路
60
Ω
V
RF
= 2
V
2 nF的
5 kΩ
V
O
17436
www.vishay.com
2
文档编号85751
修订版1.7 ， 14月， 07
1N4148WS-V
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
10
3
1.1
T
j
= 25 °C
F = 1 MHz的
10
2
T
j
= 100 °C
T
j
= 25 °C
1.0
C
D
(0
V)
I
F
（MA ）
C
D
(V
R
)
10
0.9
1
0.8
10
-1
0.7
10
17437
-2
0
1
2
17440
0
2
4
6
8
10
V
F
(V)
V
R
(V)
图1.正向特性
图4.相对电容与反向电压
10
4
5
2
T
j
= 25 °C
F = 1千赫
10
4
5
2
10
3
5
10
3
5
I
R
（ nA的）
r
f
(Ω)
2
2
10
2
5
2
10
2
5
2
10
5
2
10
5
2
V
R
= 20
V
1
10
-2
17438
10
-1
1
10
10
2
17441
0
100
200
I
F
（MA ）
T
j
(°C)
图2.动态正向电阻与正向电流
图5.漏电流与结温
250
P
合计
- 功耗（MW ）
200
150
100
50
0
0
20324
50
100
150
200
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图3.容许功耗与环境温度
文档编号85751
修订版1.7 ， 14月， 07
www.vishay.com
3
1N4148WS-V
威世半导体
100
5
4
3
2
I
v
= t
P
/T
I
FRM
V
=0
t
P
T
t
T = 1 /女
P
10
I
FRM
(A)
5
4
3
2
0.1
0.2
0.5
1
5
4
3
2
0.1
10
-5
17442
2
5
10
-4
2
5
10
-3
2
5
10
-2
2
5
10
-1
2
5
1
2
5
10
t
P
(s)
图6.容许重复峰值正向电流与脉冲持续时间
包装尺寸
毫米（英寸）
： SOD323
17443
www.vishay.com
4
文档编号85751
修订版1.7 ， 14月， 07
1N4148WS-V
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每一个客户进行验证
应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何意外或
未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体的所有索赔，费用，损失，
和费用，直接或间接地引起的，人身损害，伤害或死亡的任何索赔相关
与此类意外或未经授权的使用。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
文档编号85751
修订版1.7 ， 14月， 07
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1N4148WS-V-GS08
1N4148WS-V-GS18
1N4148WT
1N4148W-T1
1N4148W-T3
1N4148WT-7
1N4148WT-7-F
1N4148W-TP
1N4148W-V
1N4148W-V-G
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    1N4148WS-V
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    -
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电话：0755-82780082
联系人：朱先生
地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
1N4148WS-V
Vishay(威世)
23+
18000
N/A
只做原装 正品现货
德国显周集团有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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√ 欧美㊣品
▲10/11+
9261
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北京显周科技有限公司
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电话：13910052844（微信同步）
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√ 欧美㊣品
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10207
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