图4 - 68 (a)是由单结晶体管组成的脉冲产生电路，由它产生的脉冲，可以用来触晶闸管。IRFP250MPBF在图4 - 68 (a)中，单结晶体管和RC元件组成充放电回路，其中，Ri是负载电阻，R2是温度补偿电阻。接通电源后，在电容C两端可以获得连续的锯齿波电压，在电阻R．两端可以输出正的触发脉冲，图(b)是输出脉冲的波形，这种脉冲单元电路又叫弛张振荡器。图(c)是单结晶体管的负阻特性图。当UE上升到UP时产生电流IP，UP是单结晶体管所加的最高电压，称为峰点电压，与此对应的昂称为峰点电流。

   此后，进入负阻区，UP迅速降低，耳逐渐增大。当电压降至U。时，称为谷点，Uu称为谷点电压，J。称为谷点电流。UP、I，和U。、J。，是单结晶体管的重要参数，它决定了单结体管的工作状态。

   脉冲振荡电路的脉冲形成的分析为，接通电源开关K，则有两路电流流通。一路为电流工R，该电流经电阻R对电容C充电，起始充电电流为I。。=EBB／R，充电时间常数r—RC，电容C上的电压U。按指数规律上升。另一路电流IBB，该电流从R2经Bz、B，流向R，其数值为

   IBB一EBB／(R2 +RBB  +R1)

   IBB -般只有几mA。在电容上的电压上升到管子的峰值电压UP以前，单结晶体管截止，在图4 - 68 (b)的波形图上表现为U。处于充电过程，Ri两端没有脉冲输出。

   当U。上升到等于UP时，管子E-B．结突然导通，电容C通过E-Bi结和Ri回路放电，由于管子导通后RB1急剧减小，R．又很小（一般只有几十到几百欧姆），所以起始放电电流很大，IE由几微安跃变到几十毫安，使Ri两端的电压UR1产生正跳变。

   随着电容的放电，U。按指数规律迅速下降，当降到谷点电压U。时．管子又重新截止，放电过程结束，IE≈OA，Ri两端的电压出现负跳变，完成了一个脉冲过程。

   就在放电过程结束的瞬间，电源EBB又开始向电容C重新充电，开始了第二次充放电过程，产生第二个输出脉冲。这样周而复始地重复振荡，就得到了如图4 - 68 (a)所示的电容C上电压U。的连续锯齿波和负载电阻R，上电压UR，的间断尖顶脉冲波。