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场效应晶体管特性曲线

发布时间:2015/2/8 19:26:48 访问次数:1305

   同晶体管一样,场效应管也可用特性曲线来描述性能和工作状态,最常用的是漏极特性曲线和转移特性曲线。

   (1)漏极特性曲线。NEC2561场效应管的漏极特性曲线如图3- 36 (a)所示,它表示在一定的栅偏压Ucs时,ID和UDS的关系。同晶体管输出特性曲线一样,也可将漏极特性曲线分成三个工作区:I区为可变电阻区,或叫沟道欧姆区,在这个区中,沟道特性与电阻类似。因为rc:s -△UDS/AID,当Ucs =OV时,ID随UDS增长较快,而当外加栅偏压增加时,b随Ul:s增长就较慢,所以它的阻值受栅偏压所控制;Ⅱ区为饱和区,在这个区中,Lk增大时,I几乎不再增大,维持某一饱和值,如随栅压UGS或线性变化。这是场效应管的工作区,与晶体管的放大区相似,可以获得较高的增益和良好的恒流特陛;Ⅲ区为击穿区,这时如急剧增大,以致管子损坏。

   图3 - 36场效应管的工作特性曲线


      


   同晶体管一样,场效应管也可用特性曲线来描述性能和工作状态,最常用的是漏极特性曲线和转移特性曲线。

   (1)漏极特性曲线。NEC2561场效应管的漏极特性曲线如图3- 36 (a)所示,它表示在一定的栅偏压Ucs时,ID和UDS的关系。同晶体管输出特性曲线一样,也可将漏极特性曲线分成三个工作区:I区为可变电阻区,或叫沟道欧姆区,在这个区中,沟道特性与电阻类似。因为rc:s -△UDS/AID,当Ucs =OV时,ID随UDS增长较快,而当外加栅偏压增加时,b随Ul:s增长就较慢,所以它的阻值受栅偏压所控制;Ⅱ区为饱和区,在这个区中,Lk增大时,I几乎不再增大,维持某一饱和值,如随栅压UGS或线性变化。这是场效应管的工作区,与晶体管的放大区相似,可以获得较高的增益和良好的恒流特陛;Ⅲ区为击穿区,这时如急剧增大,以致管子损坏。

   图3 - 36场效应管的工作特性曲线


      


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