PUSCH功控
发布时间:2015/2/4 19:15:13 访问次数:2204
上行功控的目的在于减少小区间的干扰和补偿路径损耗,将IoT稳定在一个较低的水平。 PUSCH对于单小区来讲,上行功控只用于路损补偿,即当一个UE的距离增加导致上行信道质量下降时,eNodeB可以根据该UE的需要指示UE加大发射率。但当考虑多个小区的总频谱效率最大化时,简单地提高小区边缘UE的发射功率,反而会由于小区间干扰的增加造成整个系统容量的下降。因此LTE中使用部分功控的方法,即采用一个小于等于1的系数对链路损耗进行补偿,来限制小区边缘UE功率提升的幅度,以保证整个系统总容量的最大化。
UE根据基站的广播消息中的功率控制参数,如PO PUSCH和a(j)PL以及ATF(/)等,来进行上行发射功率的计算。PUSCH发射功率的调整周期为每个子帧,即1 ms。PUSCH每个子帧f都计算一次发射功率,其计算公式为
PPUSCH(/)=min {PCMAX,lOlog(MPUSCH(/》+PO_PUSCH(j)+aU)PL+ATF(/)+f(/)) dBm其中,PCMAX为UE最大发射功率,MPUSCH(/)为所调度的资源块的数目,PL为链路损耗估算值,PO_PUSCHU)和a0)为用于控制接收功率的参数,ATF(/)为调制和编码方式(MCS)相关的偏移量,以f)是指功率控制调整状态。各参数的意义具体说明如下。
●PCMAX表示小区内所允许的UE的最大发射功率,它用于界定上行功率控制的最大范围。
●Mr,USCH(/)表示所分配的RB资源。由于上行功率以RB为单位进行控制,所以采用MPUSCH(/)来进行功率归一化。
●PO_PUSCH(/)表示抵抗系统干扰与满足系统基本性能需求的基准功率,可以由操作员人工设定。
●PL表示链路损耗,a(j)为链路损耗补偿系数,结合链路损耗进行功率控制,有助于对不同位置上的终端性能进行均衡。
● ATF(/)是与编码速卒和调制方式(MCS)相对应的功率偏移量,以满足不同速率的性能需求。
●J(/)是指功率控制调整状态,表示功率调整方式和幅度。
上述参数中,PO_PUSCHO)、a(j)、ATF(/)都与小区相关,由eNodeB在小区中进行广播,对小区中所有用户来说它们都具有相同的值,链路损耗则只和UE有关,它基于UE所接收到的参考信号接收功率即RSRP来计算。
PUSCH功率控制机制由UE的发射功率谱密度和动态的功率偏移两部分组成,UE发射功率谱密度由两部分组成,即开环功率控制点和动态的功率偏移。
上行功控的目的在于减少小区间的干扰和补偿路径损耗,将IoT稳定在一个较低的水平。 PUSCH对于单小区来讲,上行功控只用于路损补偿,即当一个UE的距离增加导致上行信道质量下降时,eNodeB可以根据该UE的需要指示UE加大发射率。但当考虑多个小区的总频谱效率最大化时,简单地提高小区边缘UE的发射功率,反而会由于小区间干扰的增加造成整个系统容量的下降。因此LTE中使用部分功控的方法,即采用一个小于等于1的系数对链路损耗进行补偿,来限制小区边缘UE功率提升的幅度,以保证整个系统总容量的最大化。
UE根据基站的广播消息中的功率控制参数,如PO PUSCH和a(j)PL以及ATF(/)等,来进行上行发射功率的计算。PUSCH发射功率的调整周期为每个子帧,即1 ms。PUSCH每个子帧f都计算一次发射功率,其计算公式为
PPUSCH(/)=min {PCMAX,lOlog(MPUSCH(/》+PO_PUSCH(j)+aU)PL+ATF(/)+f(/)) dBm其中,PCMAX为UE最大发射功率,MPUSCH(/)为所调度的资源块的数目,PL为链路损耗估算值,PO_PUSCHU)和a0)为用于控制接收功率的参数,ATF(/)为调制和编码方式(MCS)相关的偏移量,以f)是指功率控制调整状态。各参数的意义具体说明如下。
●PCMAX表示小区内所允许的UE的最大发射功率,它用于界定上行功率控制的最大范围。
●Mr,USCH(/)表示所分配的RB资源。由于上行功率以RB为单位进行控制,所以采用MPUSCH(/)来进行功率归一化。
●PO_PUSCH(/)表示抵抗系统干扰与满足系统基本性能需求的基准功率,可以由操作员人工设定。
●PL表示链路损耗,a(j)为链路损耗补偿系数,结合链路损耗进行功率控制,有助于对不同位置上的终端性能进行均衡。
● ATF(/)是与编码速卒和调制方式(MCS)相对应的功率偏移量,以满足不同速率的性能需求。
●J(/)是指功率控制调整状态,表示功率调整方式和幅度。
上述参数中,PO_PUSCHO)、a(j)、ATF(/)都与小区相关,由eNodeB在小区中进行广播,对小区中所有用户来说它们都具有相同的值,链路损耗则只和UE有关,它基于UE所接收到的参考信号接收功率即RSRP来计算。
PUSCH功率控制机制由UE的发射功率谱密度和动态的功率偏移两部分组成,UE发射功率谱密度由两部分组成,即开环功率控制点和动态的功率偏移。
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