电磁屏蔽对低频磁通干扰的屏蔽效果是很差的，因此当存在低频磁通干扰时，AIC1747-18GU3TR要采用高导磁材料做屏蔽层，以便将干扰磁通限制在磁阻很小的磁屏蔽体的内部，防止其干扰作用。为了有效地进行低频磁屏蔽，屏蔽层的材料要选用诸如坡莫合金之类对低磁通密度有高磁导率的铁磁材料，同时要有一定的厚度，以减小磁阻。

   驱动屏蔽  驱动屏蔽就是用被屏蔽导体的电位，通过1:1电压跟随器来驱动屏蔽层导体的电位，其原理如图9-54所示。若1:1电压跟随器是理想的，即在工作中导体B与屏蔽层C之间的绝缘电阻为无穷大，并且等电位，那么，在B导体之外与屏蔽层内侧之间的空间无电力线，各点等电位。这说明，导体A噪声源的电场影响不到导体B，这时，尽管导体B与屏蔽层C之间有寄生电容存在，但是，因B与C等电位，故此寄生电容也不起作用。因此，驱动屏蔽能有效地抑制通过寄生电容的耦合干扰。应指出的是，在驱

动屏蔽中所采用的1:1电压跟随器，不仅要求输出电压与输入电压的幅值相同，另一方面，此电压跟随嚣的输入阻抗与Z．相并联，为减小并联作用，则要求跟随器的输入阻抗无穷大。实际上，这些要求只能在一定程度上得到满足。驱动屏蔽属于有源屏蔽，只有当高质量的线性集成电路出现以后，这种屏蔽才达到了真正实用阶段。