当器件受到光照时（光可从各电极的缝隙间经过S102层射入或经衬底的薄P型硅射人），AD8307ARZ光子的能量被半导体吸收，产生电子一空穴对，这时出现的电子吸引存储在势阱中。光越强势阱中收集的电子越多，光越弱势阱中收集的电子越少。这样就把光的强弱变成电荷的数量，实现了光和电的转换。而势阱中的电子是处于被存储状态，即使停止光照，在一定时间内也不会损失，这就实现了对光照的记忆功能。

   总之，上述结构实质上是个微小的MOS电容，用它构成像素，既可感光又可留下潜影，感光作用是靠光强产生的电子积累电荷，潜影是各个像素留在电容里的电荷不等而形成的。若能设法把各个电容里的电荷依次传送到其他处，再组成行和帧，经过显影就实现了图像的传递。

   电荷转移原理  由于组成一帧图像的像素总数太多，只能用串行方式依次传送，在常规像素的管里是靠电子束扫描的方法工作的，在CCD器件里也需要用扫描实现各信息的串行化。不过CCD器件并不需要复杂昀扫描装置，只需外加如图5-43所示的多相脉冲，依次对并列的各个电极施加电压就能实现。图中的声1、声2、≠3，是相位依次相差120。的三个脉冲源，其波形都是前沿陡峭后沿倾斜。若按时刻tl～t5分别分析其作用，可结合图5-44来

讨论工作原理。在排成直线的一维CCD器件里，电极1～9分别接在三相脉冲源上，将电极之间1～3视为一个像素，在乒1为正电压的tl时刻里受到光照，于是电极1之下出现势阱，并收集到负电荷。同时，电极4和7之下也出现势阱，但因光强不同，所收集到的电荷不等。在时刻t2，电压声1已下降，然而≯2电压最高，所以电极2、5、8下方的势阱最深，原先储存在电极1、4、7下方的电荷将移到2、5、8下方。到时刻t3，上述电荷已全部向右转

移一步。依此类推，到时刻t5已依次转移到电极3、6、9下方。二维的CCD则有多行，在每一行的末端，设置有接电荷并有放大的器件，此器件所接收顺序当然是先收到距离最近的右方像素，依次到来的是左方像素。直到整个一行的各像素都传送完，如果只是一维的，就可以再进行光照，重新传送新的信息。如果是二维的，就开始传送第二行。