基于霍尔效应原理工作的半导体器件称为霍尔元件。按照结构可以分为体型和薄膜型两种，STV9427如图3-37所示。由于GaAs、InAs材料的禁带宽度Eg较大，性能稳定，且迁移率岸较大的特点，使得灵敏度系数较大，加之离子注入技术的发展，可将Si注入GaAs中，制成N型GaAs，采用低温沉积S102包封，经光刻、腐蚀及焊引线即可。一般加工出几何结构长宽比为2:1的材料，做四个电极，a、b为输入端，c、d为输出端，如图3-37(a)所示。

为了克服a、b电极的短路中和作用，加工为图3-37(b)结构。另外依据前面理论得知，元件的厚度越小，灵敏度越大，所以制备成薄膜型器件，如图3-37(c)所示。一般采用蒸发法制备半导体硅薄膜时，多数产品为多晶硅而不是单晶硅，其原因是单晶硅肚很小，因此这种工艺不适合制备霍尔元件，通常采用外延法生长单晶硅来制备薄膜型霍尔元件，目前也能制备出熔点低、肛大的InAs薄膜型高灵敏器件。它的外形、结构和符号如图3-38历示，它由霍尔片、四根引线和壳体组成。霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片(一般为4mm×2mm×0. Imm)，在它的长度方向两个端面上有两根引线（图中a、b线），称为控制电流端引线，通常用红色导线，在薄片的另两个端面的中间，以点的形式对称焊接两根霍尔输出引线（图中c、d线），通常用绿色导线。霍尔元件的壳体是用非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装。霍尔元件在电路中可用图3-38(c)的两种符号表示。