位置：51电子网 » 技术资料 » D　S　P

基于DSP芯片PNX1501的NandFlash在线烧录系统

发布时间:2007/8/28 0:00:00 访问次数:630

来源：电子元器件应用  作者：于浩杰


0 引言


随着电子产品市场的不断扩大，闪存器无疑将获得极大的增长。这种增长在很大程度上取决于存储器的非易失性、低功耗、高密度和重量轻等特点。多项优点集于一身使得闪存器在移动电子和嵌入式领域中得到了极大的应用。而nand-Flash价格便宜量又足，性价比也很高，且十分轻便，抗震性也很不错，很适合用来做数码产品，现在的单片NandFlash芯片的存储容量已经可以做到4 GB。很难想像，在一个大小只有12×20×1.2mm的芯片里可以做到如此的容量。然而，由于Flash管脚多、体积小、一但使用后拆卸很不方便，因此，开发在线烧录系统也就成为嵌入式开发领域不可缺少的一步。


1 NandFlash简介


NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，该结构强调降低每比特的成本




来源：电子元器件应用  作者：于浩杰


0 引言


随着电子产品市场的不断扩大，闪存器无疑将获得极大的增长。这种增长在很大程度上取决于存储器的非易失性、低功耗、高密度和重量轻等特点。多项优点集于一身使得闪存器在移动电子和嵌入式领域中得到了极大的应用。而nand-Flash价格便宜量又足，性价比也很高，且十分轻便，抗震性也很不错，很适合用来做数码产品，现在的单片NandFlash芯片的存储容量已经可以做到4 GB。很难想像，在一个大小只有12×20×1.2mm的芯片里可以做到如此的容量。然而，由于Flash管脚多、体积小、一但使用后拆卸很不方便，因此，开发在线烧录系统也就成为嵌入式开发领域不可缺少的一步。


1 NandFlash简介


NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，该结构强调降低每比特的成本




相关技术资料
4-30高通​舱驾融合控制器SA8775P SoC
4-30​Oryon CPU、Adreno GPU核心模块​技术
4-30​骁龙Snapdragon Ride平台应用探究
4-30LED驱动器、隔离驱动器市场应用前景
4-30​MemryX MX3 AI 芯片应用简介
4-30​信号链和电源管理芯片市场应用详解
4-29​3kV SBD嵌入式SiC MOSFET模块应用概述
4-29​工业用GaN晶体管产品系列CoolGaN G5研究
4-29​全球首款集成SBD（肖特基二极管）详解
4-29​NVIDIA DRIVE Thor SoC芯片数据参数设计
4-29​Orin-X芯片L4级全场景解决方案
4-29全球首发新一代Robotaxi探究
相关IC型号

热门点击

 

推荐技术资料

业余条件下PCM2702
    PGM2702采用SSOP28封装，引脚小而密，EP3... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线：13692101218  13751165337
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功！