日本半导体器件的命名法有如下特点。

     (1)型号中的第一部分是数字， 0603CT-24NX_LW表示器件的类型和有效电极数。例如，用“1”表示二极管，用“2”表示三极管。屏蔽用的接地电极不是有效电路。

     (2)第二部分均为字母S，表示日本电子工业协会注册产品，而不表示材料和极性。

     (3)第三部分表示器件的极性和类型。例如，用A表示PNP型高频管，用J表示P沟道场效应三极管。但是，第三部分既不表示材料，也不表示功率的大小。

      (4)第四部分只表示在日本电子工业协会(EIAJ)注册登记的顺序号，并不反映器件的性能。顺序号相邻的两个器件的某一性能可能相差很远。例如，2SC2680朐最大额定耗散功率为200mW，而2SC2681型的最大额定耗散功率为100W。但是，顺序号能反映产品投产时间的先后。登记顺序号的数字越大，越是近期产品。

      (5)第六、七两部分的符号和含义各公司不完全相同。

      (6)日本有些半导体分立器件在外壳上标注型号时，常采用省略掉“2S”的简化标记方法，如2SD764简化为D764。

      (7)在低频管类型（2SB和2SD）中，也有工作频率很高的管子。例如，2SD355的特征频率为100MHz，因此，不要误认为ZSB型和ZSD型管都只能做低频用。其实，fT（或fa、fb）很高的管子也可以做高频用。

     (8)日本通常习惯把Pcm等于或大于1W的管子称为大功率管。