BTG晶闸管的伏安特性如图7-14所示。W78E51B图中标示出了它的几个主要参数。坼为峰点电压，是BTG晶闸管开始出现负阻特性时阳极A与阴极K之间的电压。昂为峰点电流，是阳极A与阴极K之间电压达到UP时的A、K之间的电流，J、，通常为1～21.t,A。Uv是谷点电压，是BTG晶闸，A鲁篆餮盒矗开始进入饱和区时阳极A与阴极K之间的电图7-14 BTG晶闸管的伏安特性压。凡为谷点电流，是A、K之间电压达到Uv值时的阳极电流。

   BTG晶闸管的伏安特性曲线和单结晶体管基本相同，但二者参数有差异。单结晶体管( UJT)的两个基极电阻值Rbl和Rb2是由器件内部的结构所决定的，器件一经制成，其分压比便固定不变。由于生产工艺上的原因，分压比一般在0.3～0.8之间。鉴于BTG晶闸管的门极对地等效电阻RC=RIR2/ (R1+R2)自由可调，只需在外部改变风、R2的电阻比，即可调整参数值，使应用更加灵活，所以称其为程控单结晶体管。BTG晶闸管与单结晶体管的另一个区别是前者的内部结构采用N门极，与传统的P门极不同，这种结枸不仅使BTG晶闸管可作为单结晶体管使用，还可作为晶闸管使用，所以，BTG晶闸管具有参数可调、触发灵敏度高、脉冲上升时间短（约60ns）、漏电流小、输出功率大等突出优点，被广泛用来构成可编程脉冲或锯齿波发生器、长延时器和过压保护器及大功率晶体管的触发电路。