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晶体管的偏置

发布时间:2013/11/3 16:01:38 访问次数:1180

      为了使晶体管作为放大器正确地工作,P87C52EBAA必须利用外部直流电压对两个pn结进行正确的偏置。图17.3给m了npn和pnp两种晶体管的正确偏置方案。注意,在两种情况下,B-E结都是正向偏置,而B-C结均为反向偏置。这种偏置称为正向反向偏置( forward-reverse bias)。
    图17.3-个BJT的正向一反向偏置

           
    晶体管的电流
    npn型和pnp型晶体管中的电流的方向分别如图17. 4(a)和17. 4(b)所示。电流是集电极电流和基极电流之和,表达式如下:
     如前所述,和IE与IC、相比,IB非常小。大写字母下标表示是直流值。这些直流屯流(发射极、基极和集电
极)也是通过两个参数相联系的:直流a(aDC)和直流p(pDC),aDe是IC/IE的比值,pDC是IC/IE的比值。触为直流电流增益,在晶体管数据表上通常标记为HFE。
    集电极电流等于发射极电流的aDc倍:
    集电极电流等于prx,乘以基极电流:

         

      为了使晶体管作为放大器正确地工作,P87C52EBAA必须利用外部直流电压对两个pn结进行正确的偏置。图17.3给m了npn和pnp两种晶体管的正确偏置方案。注意,在两种情况下,B-E结都是正向偏置,而B-C结均为反向偏置。这种偏置称为正向反向偏置( forward-reverse bias)。
    图17.3-个BJT的正向一反向偏置

           
    晶体管的电流
    npn型和pnp型晶体管中的电流的方向分别如图17. 4(a)和17. 4(b)所示。电流是集电极电流和基极电流之和,表达式如下:
     如前所述,和IE与IC、相比,IB非常小。大写字母下标表示是直流值。这些直流屯流(发射极、基极和集电
极)也是通过两个参数相联系的:直流a(aDC)和直流p(pDC),aDe是IC/IE的比值,pDC是IC/IE的比值。触为直流电流增益,在晶体管数据表上通常标记为HFE。
    集电极电流等于发射极电流的aDc倍:
    集电极电流等于prx,乘以基极电流:

         

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