三极管有两个结，c集e发b基极，
    文字符号为VT，锗硅两结四形式，
    NPN型射向外，射极向内PNP。
    频率特性有三项，截止、特征、振荡率，
    极限参数又四项，反压、反流与功率，
    还有c极大电流，实用要小更合适。
    工作状态分三种，放大、饱和与截止，
    电流放大线性区，截止、饱和信号失。
    晶体三极管（简称晶体管或三极管）是由2个PN结构成，NAND02GW3B2DN6E这两个PN结分别称为发射结和集电结。三极管分为NPN型与PNP型
两大类，无论是NPN型或PNP型三极管，都分三个区域，有三个电极。三个区域分别叫做集电区、基区、发射区。每个区域分别引出一根导线作为电极，它们分别叫做集电极c、基极b、发射极e。发射区的掺杂浓度远远大于集电区；集电结的面积比发射结的面积大，有利于发射区发射载流子和集电区吸收载流子；基区的特点是掺杂浓度特别低，而且基区也很薄。这才能使三极管具有较大的电流放大作用。三极管的文字符号为VT，其内部结构、图形符号和部分三极管外形如图2-56所示。
         

    三极管的主要参数有电流放大系数、频率特性参数写极限参数，极限参数包括集电极最大电流、最大反向电压、反向电流、耗散功率等。