LDO电路架构简单、外部组件很少。一般的LDO架构为：DS1200DC-3-001一个误差放大器驱动一个P型MOSFET，利用反馈电位与参考电位做比较，使输出电压保持稳定。
    当系统中需要超低压差、低输出电压(0.8～1.8V)、高输出电流时，用传统单电源、P-MOSFET的架构来设计LDO就变得相当困难。因此出现了超低压差稳压器，它采用N-MOSFET来当驱动器，以相同大小的驱动器来说，N-MOSFET的驱动特性一般优于
P-MOSFET。但是，在低输入电压时，N-MOSFET的驱动特性又显得不足，且可能不适合整个集成电路的工作电压。为此，采用另一组电源输入来提供集成电路稳定的工作电压，并且大大提升N-MOSFET的驱动能力。这样能够实现低电压输入转换低电压输出，并且能具有大的输出电流。
    如图9-64所示是LTC3409超低压差稳压器集成电路的典型应用电路，它未稳定的直流输八电压为1.6～5.5V，输出稳定的直流电压为1.5V。当改变电路中电阻Rl、R2的阻值时可以得到更多的输出电压等级。
    电路中的电容Cl为输入端滤波电容，C3为输出端滤波电容，均使用陶瓷电容器。
    如表9-18所示是不同输出电压砜情况下的电阻Ri、R2阻值。
    表9-18不同输出电压Uo情况下的电阻Ri、R2阻值
    如图9-65所示是另一种超低压差稳压器集成电路MPC33外形示意图。
    图9-64  LTC3409超低压差稳压器集成电路的典型应用电路