由于除了沟道长度调制效应的微小影响，电流相对于uDs的变化相对保持恒定，PDTC123TU晶体管的有效输出电阻较高，这对于保持高增益电路很有帮助。
    发射极和集电极取名是由于它们分别发射和收集少数电荷载流子进入和流出基极，类似地，源极和漏极的命名也是因为它们是少数载流子流入和流出沟道的源和漏。N型沟道MOSFET的源极总是低电势端，漏端总是高电势端，对P型沟道依此类推，就形成了器件的互补本征特性。器件设计工程师优化双极型晶体管工作在正向导通有源区，与双极型晶体管不同，MOSFET由于源极和漏极扩散浓度相同，可以使其互换而不会引起器件性能变差，具有性能完全对称的优势，如图2.19所示的fV特性曲线。在饱和区，器件遵循平方规律，与vs呈平方关系。注意到由于输入阻抗是纯电容性的，MOSFET没有输入栅电流。另外，箭头总是在源端，其方向表示电流流动的方向。

           
    在N-阱P-衬底工艺中，N型沟道晶体管的俸端（也称为body）是衬底，女口图2.17和图2.18所示，因此其电势总是接在芯片的最低电位上，以保持所有的衬底PN结反向偏置。同时，P型沟道晶体管的体端(也称为body)是N-阱（图2.20），可以由设计工程师选择任意电势连接。通常情况下，体和源端短接（或者体端连接到最正的电势），以防止源极和体极、漏极和体极之间的PN结正向导通。

              
    改变体端电压可以调节沟道电导，所以体端也称为背栅，由此引起漏电流的变化也称为体效应。对于P型沟道MOSFET晶体管（图2.20），降低体端电压将从源端吸引更多的空穴到沟道中，有效降低了沟电阻，增加了电流。通常情况下，N型沟道和N型沟道器件的源端体端PN结在正向偏置情况下将引起更大的电流，反之亦然。更为重要的是体电压改变了功函数，只有栅极电压与源极电压之差大于功函数的情况下，才会使得栅极下面的区域反型，其影响可以计人对阈值电压的影响。