比例驱动电路
发布时间:2013/5/27 20:23:09 访问次数:1684
比例驱动就是使GTR的基极电E6C2-AG5C流正比子集电极电流变化,保证在不同负载时器件的饱和深度基本相同,并使轻载时的驱动功率大大减小。
(1)反激式比例驱动电路。
反激式比例驱动电路如图7-13所示。该电路由驱动变压器T、晶体管VT、电阻尺、二极管VD及稳压管VZ等元器件构成。当驱动信号Ui为高电平时,晶体管VT导通,铁心在‘Ni作用下磁化并在各绕组中感应出星号端为负的电动势,这样GTR因基极反偏而截止。当M变为低电平时,晶体管VT截止,电流‘消失,各绕组中感应出星号端为正的电动势,铁心中的磁场能经GTR的基极回路释放,促使GTR导通,GTR -经导通则形成集电极电流,该电流经反馈绕组WF使铁心去磁而脱离饱和,此时WF与WB形成电流互感器的工作状态,fc上升,fB也上升,形成正反馈,使GTR迅速全面导通。
当地再度变为高电平时,晶体管VT又导通,由于fc尚未来得及下降,故各绕组的星号端仍
维持为正,VT的导通相当于通过二极管VD将W2统组短接,迫使各绕组的感应电动势均接近于零。加速电容C上的电压使GTR发结反偏,使其基区过剩载流子迅速消散,GTR脱离饱和,fc下降使各绕组电动势反向,WB上的电动势继续使GTR反偏,加速fc下降直至GTR被关断,等待下次驱动信号的到来。
(2)具有强制开通和强制关断的比例驱动电路。
一般的比例驱动电路主要靠正反馈加速电力晶体管GTR的开通过程,但当其工作频率较高时,由于分布参数的影响使其开通速度变慢,此时可采用如图7-14所示的强制开通与强制关断的比例驱动电路。
图7-13反激式比例驱动电路 图7-14强制开通与关断的比例驱动电路
当为低电平时,驱动管VT截止,电力晶体管GTR也截止,其集电极为高电平。当%由低变高时,驱动管VT导通,GTR集电极的高电平通过二极管VD2及VT为GTR提供很大的正向基极电流,迫使GTR迅速开通。同时,通过电流互感器TA的作用,在TA二次绕组W2上产生与GTR集电极电流不成正比的电流,并经VD1、VT和GTR的发射结而流通,成为GTR的比例驱动电流。
当地为低电平时,驱动管VT截止,f2=0,互感器TA各绕组电压上升。W3上星号端为正的电压使VZ1击穿并反向加于GTR的发射结上,此时,流过W3的电流f3也正比于电,并且成为GTR的反向基流,起比例反驱动作用,迅速抽出基区剩余载流子,减小了存储时间。该电路驱动性能好,但电路较复杂。
比例驱动就是使GTR的基极电E6C2-AG5C流正比子集电极电流变化,保证在不同负载时器件的饱和深度基本相同,并使轻载时的驱动功率大大减小。
(1)反激式比例驱动电路。
反激式比例驱动电路如图7-13所示。该电路由驱动变压器T、晶体管VT、电阻尺、二极管VD及稳压管VZ等元器件构成。当驱动信号Ui为高电平时,晶体管VT导通,铁心在‘Ni作用下磁化并在各绕组中感应出星号端为负的电动势,这样GTR因基极反偏而截止。当M变为低电平时,晶体管VT截止,电流‘消失,各绕组中感应出星号端为正的电动势,铁心中的磁场能经GTR的基极回路释放,促使GTR导通,GTR -经导通则形成集电极电流,该电流经反馈绕组WF使铁心去磁而脱离饱和,此时WF与WB形成电流互感器的工作状态,fc上升,fB也上升,形成正反馈,使GTR迅速全面导通。
当地再度变为高电平时,晶体管VT又导通,由于fc尚未来得及下降,故各绕组的星号端仍
维持为正,VT的导通相当于通过二极管VD将W2统组短接,迫使各绕组的感应电动势均接近于零。加速电容C上的电压使GTR发结反偏,使其基区过剩载流子迅速消散,GTR脱离饱和,fc下降使各绕组电动势反向,WB上的电动势继续使GTR反偏,加速fc下降直至GTR被关断,等待下次驱动信号的到来。
(2)具有强制开通和强制关断的比例驱动电路。
一般的比例驱动电路主要靠正反馈加速电力晶体管GTR的开通过程,但当其工作频率较高时,由于分布参数的影响使其开通速度变慢,此时可采用如图7-14所示的强制开通与强制关断的比例驱动电路。
图7-13反激式比例驱动电路 图7-14强制开通与关断的比例驱动电路
当为低电平时,驱动管VT截止,电力晶体管GTR也截止,其集电极为高电平。当%由低变高时,驱动管VT导通,GTR集电极的高电平通过二极管VD2及VT为GTR提供很大的正向基极电流,迫使GTR迅速开通。同时,通过电流互感器TA的作用,在TA二次绕组W2上产生与GTR集电极电流不成正比的电流,并经VD1、VT和GTR的发射结而流通,成为GTR的比例驱动电流。
当地为低电平时,驱动管VT截止,f2=0,互感器TA各绕组电压上升。W3上星号端为正的电压使VZ1击穿并反向加于GTR的发射结上,此时,流过W3的电流f3也正比于电,并且成为GTR的反向基流,起比例反驱动作用,迅速抽出基区剩余载流子,减小了存储时间。该电路驱动性能好,但电路较复杂。