瞬态电压抑制二极DS1E-ML2-3V管简称TVS (Transient Voltage Suppressor)，是一种高效安全保护器件。这种器件应用在电路系统，例如电话交换机、仪器电源电路中，对电路中瞬间出现的浪涌电压脉冲起到分流、钳位作用，可以有效地降低由于雷电、电路中开关通断时感性元件产生的高压脉冲，避免高压脉冲损坏仪器设备，保障人身与财产安全。

         
    结构特点与性能参数
    瞬态电压抑制二极管的外形和结构如图4-70所示。它主要由芯片、引线电极和管体三部分组成。芯片是器件的核心，它是由半导体硅材料扩散而成，芯片有单极型和双极型两种结构。单极型TVS只有一个PN结，萁结构如图4-71 (a)所示；双极型TVS有两个PN结，其结构如图4-71 (b)所示。瞬态电压抑制  图4-70瞬态电压抑制二极管的外形与结构二极管是利用PN结的齐纳击穿特性工作的，每一个PN结都有其自身的反向击穿电压UB。例如UB为200V，当施加到PN结的反向电压小于200V时，电流不导通，而当施加到PN结的反向电压高于200V时，PN结快速进入击穿状态，有大电流通过PN结，而UB电压被限制在200V附近。根这个道理，当电路中有浪涌电压产生时，瞬态电压抑制二极管可将高压脉冲限制在安全范围，而允许瞬间大电流旁路。因此瞬态电压抑制二极管可用于电路过压保护。双极型的芯片从结构上讲它并不是简单由两个背对背的单极芯片串联而成，而是利用现代半导体加工技术在同一硅片的正反两个面上制作两个背对背的PN结，它用于双向过压保护。瞬态电压抑制二极管的芯片的PN结经过玻璃钝化保护，管体由改性环氧树脂模塑而成。它具有体积小，峰值功率大，抗浪涌电压的能力强，击穿电压特性曲线好，齐纳阻抗低，双向电压对称性好，反向漏电流小以及对脉冲的响应时间快等特点，适合在恶劣环境条件下工作，是一种理想的防雷电保护器件。