主要参数
发布时间:2013/5/19 15:03:27 访问次数:868
半导体二极管的参数包括额CJ1W-SCU41-V1定正向工作电流斥、反向击穿电压UBR、最大反向工作电压URM、反向电流最、正向电压降坼、最高工作频率fmax和结电容Cj等。
(1)额定正向工作电流斥。额定正向工作电流厶也称最大整流电流，是指二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值。
(2)反向击穿电压UBR和最大反向工作电压URM。二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压UBR。为确保安全，在实际工作时，二极管的最大反向工作电压URM -般只按反向击穿电压UBR的一半计算。
(3)反向电流最。室温下，在规定的反向电压（一般是最大反向工作电压下）下测得二极管的反向漏电流。此电流值越小，表明二极管的单向导电性能越好。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管一般在微安(“A)级。
(4)正向压降坼。正向压降坼是指二极管导通时其两端产生的正向电压降。在一定的正向电流下，二极管的正向电压降越小越好。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8V;锗二极管约0.2～0.3V。
(5)结电容Cj。结电容Cj是指PN结的势垒电容和扩散电容，它限制了整流二极簪的工作频率。
(6)最高工作频率fmax。最高工作频率fmax主要取决于PN结电容的大小。结电容Cj越大，则二极管允许的最高工作频率越低。
此外，温度对二极管的性能影响较大。当温度升高时，二极管的正向压降将减小，反向电流增大。
(1)额定正向工作电流斥。额定正向工作电流厶也称最大整流电流，是指二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值。
(2)反向击穿电压UBR和最大反向工作电压URM。二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压UBR。为确保安全，在实际工作时，二极管的最大反向工作电压URM -般只按反向击穿电压UBR的一半计算。
(3)反向电流最。室温下，在规定的反向电压（一般是最大反向工作电压下）下测得二极管的反向漏电流。此电流值越小，表明二极管的单向导电性能越好。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管一般在微安(“A)级。
(4)正向压降坼。正向压降坼是指二极管导通时其两端产生的正向电压降。在一定的正向电流下，二极管的正向电压降越小越好。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8V;锗二极管约0.2～0.3V。
(5)结电容Cj。结电容Cj是指PN结的势垒电容和扩散电容，它限制了整流二极簪的工作频率。
(6)最高工作频率fmax。最高工作频率fmax主要取决于PN结电容的大小。结电容Cj越大，则二极管允许的最高工作频率越低。
此外，温度对二极管的性能影响较大。当温度升高时，二极管的正向压降将减小，反向电流增大。
半导体二极管的参数包括额CJ1W-SCU41-V1定正向工作电流斥、反向击穿电压UBR、最大反向工作电压URM、反向电流最、正向电压降坼、最高工作频率fmax和结电容Cj等。
(1)额定正向工作电流斥。额定正向工作电流厶也称最大整流电流，是指二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值。
(2)反向击穿电压UBR和最大反向工作电压URM。二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压UBR。为确保安全，在实际工作时，二极管的最大反向工作电压URM -般只按反向击穿电压UBR的一半计算。
(3)反向电流最。室温下，在规定的反向电压（一般是最大反向工作电压下）下测得二极管的反向漏电流。此电流值越小，表明二极管的单向导电性能越好。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管一般在微安(“A)级。
(4)正向压降坼。正向压降坼是指二极管导通时其两端产生的正向电压降。在一定的正向电流下，二极管的正向电压降越小越好。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8V;锗二极管约0.2～0.3V。
(5)结电容Cj。结电容Cj是指PN结的势垒电容和扩散电容，它限制了整流二极簪的工作频率。
(6)最高工作频率fmax。最高工作频率fmax主要取决于PN结电容的大小。结电容Cj越大，则二极管允许的最高工作频率越低。
此外，温度对二极管的性能影响较大。当温度升高时，二极管的正向压降将减小，反向电流增大。
(1)额定正向工作电流斥。额定正向工作电流厶也称最大整流电流，是指二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值。
(2)反向击穿电压UBR和最大反向工作电压URM。二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压UBR。为确保安全，在实际工作时，二极管的最大反向工作电压URM -般只按反向击穿电压UBR的一半计算。
(3)反向电流最。室温下，在规定的反向电压（一般是最大反向工作电压下）下测得二极管的反向漏电流。此电流值越小，表明二极管的单向导电性能越好。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管一般在微安(“A)级。
(4)正向压降坼。正向压降坼是指二极管导通时其两端产生的正向电压降。在一定的正向电流下，二极管的正向电压降越小越好。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8V;锗二极管约0.2～0.3V。
(5)结电容Cj。结电容Cj是指PN结的势垒电容和扩散电容，它限制了整流二极簪的工作频率。
(6)最高工作频率fmax。最高工作频率fmax主要取决于PN结电容的大小。结电容Cj越大，则二极管允许的最高工作频率越低。
此外，温度对二极管的性能影响较大。当温度升高时，二极管的正向压降将减小，反向电流增大。
上一篇：标识方法
相关技术资料- 5-19主要参数
- 相关IC型号
- CJ1W-SCU41-V1
- 暂无最新型号
热门点击
- 从 Mentor Graphics DxDe
- CD4028 BCD-+进制译码器应用电路举
- 采用差分放大器的直流稳压电源电路
- 单相桥式半控整流电路
- 漏电检测电路
- MC145118 4线BCD-7段锁存／译码
- 密码开关
- TC9148lTC9150红外遥控编
- 快恢复二极管可广泛应用
- 可调占空比的时间继电器
推荐技术资料
- DS2202型示波器试用
- 说起数字示波器，普源算是国内的老牌子了，FQP8N60... [详细]
公网安备44030402000607
