延时切断开关电路
发布时间:2013/4/8 20:26:25 访问次数:1126
延时切断开关电路的功能是,打开电TSC2046IRGVR源开关后,负载电源立即接通。切断电源开关后,负载电源并不立即关断,而是延时一段时间后才关断。
直流延时切断开关电路
图2-16所示为直流延时切断开关电路,采用单向晶闸管控制,直流电源供电,包括二极管VD3与电容Cl构成的延时电路,非门Di、D2以及电阻R2、R3构成的施密特触发器整形电路,单向晶闸管VS构成的控制电路和负载等组成部分。
认真对比该电路与图2-1所示直流延时接通开关电路,我们就会发现它们的区别在两处,一是由二极管VD。取代了图2-1中的Ri,二是电源开关S的位置由图2-1中的控制总电源改为只控制延时控制电路的电源。
直流延时切断开关电路的工作原理是,接通电源开关S后,电源+VCC经VD3使Cl迅速充满电。Cl上电压由Di、D2等构成的施密特触发器整形处理后,经电阻R。触发单向晶闸管VS导通,负载工作。这个过程非常迅速,可理解为接通电源开关S后负载立即工作。
切断电源开关S时,由于电容两端电压不能突变,Cl上电压仍为“1”,施密特触发器输出电压也仍为“1”,单向晶闸管VS因触发电压存在而保持导通状态,负载继续工作。
这时,Cl上电压开始经R2和Di输入端放电。随着放电的进行,Cl上电压不断下降。一定时间后,当C,上电压下降到施密特触发器的负向阈值电压时,施密特触发器翻转,输出电压变为“0”,单向晶闸管VS因失去触发电压而截止,负载才停止工作。
Cl的放电时间就是该电路的延时切断时间。由于CMOS非门的输入阻杭很高,放电过程十分缓慢,因此采用较小的电容器即可获得较长的延时时间。改变Cl的大小可以改变延时时间。
延时切断开关电路的功能是,打开电TSC2046IRGVR源开关后,负载电源立即接通。切断电源开关后,负载电源并不立即关断,而是延时一段时间后才关断。
直流延时切断开关电路
图2-16所示为直流延时切断开关电路,采用单向晶闸管控制,直流电源供电,包括二极管VD3与电容Cl构成的延时电路,非门Di、D2以及电阻R2、R3构成的施密特触发器整形电路,单向晶闸管VS构成的控制电路和负载等组成部分。
认真对比该电路与图2-1所示直流延时接通开关电路,我们就会发现它们的区别在两处,一是由二极管VD。取代了图2-1中的Ri,二是电源开关S的位置由图2-1中的控制总电源改为只控制延时控制电路的电源。
直流延时切断开关电路的工作原理是,接通电源开关S后,电源+VCC经VD3使Cl迅速充满电。Cl上电压由Di、D2等构成的施密特触发器整形处理后,经电阻R。触发单向晶闸管VS导通,负载工作。这个过程非常迅速,可理解为接通电源开关S后负载立即工作。
切断电源开关S时,由于电容两端电压不能突变,Cl上电压仍为“1”,施密特触发器输出电压也仍为“1”,单向晶闸管VS因触发电压存在而保持导通状态,负载继续工作。
这时,Cl上电压开始经R2和Di输入端放电。随着放电的进行,Cl上电压不断下降。一定时间后,当C,上电压下降到施密特触发器的负向阈值电压时,施密特触发器翻转,输出电压变为“0”,单向晶闸管VS因失去触发电压而截止,负载才停止工作。
Cl的放电时间就是该电路的延时切断时间。由于CMOS非门的输入阻杭很高,放电过程十分缓慢,因此采用较小的电容器即可获得较长的延时时间。改变Cl的大小可以改变延时时间。
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