VMOS场效应晶体管是一种功率型场25LC320-I/SN效应晶体管，通常简称为VMOS管，全称为V形槽MOS场效应晶体管。VMOS场效应晶体管的检测方法如下：
    引脚极性的判别
    (1)栅极G的判定。如图3-67所示，将万用表置于Rxlk挡，然后将万用表红、黑表笔接在场效应晶体管的三个引脚上，分别测量三个引脚之间的电阻。若检测某脚与其余两脚的电阻值均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则说明此脚为G极。注意：此种测法只限于VMOS场效应晶体管内无保护晶体二极管。

          
   (2)源极S、漏极D的判定。如图3-68所示，将万用表置于R×lk挡，先用表笔将被测VMOS管三个电极短接一下，然后交换表笔测两次电阻（正常时有一大一小的阻值），其中阻值较大的一次测量中，黑表笔所接的为漏极D，红表笔所接的是源极S；而阻值较小的一次测量中，红表笔所接的为漏极D，黑表笔所接的是源极S。同时说明所测的VMOS管为N沟道型管，若被测管为P沟道型管，则所测阻值的大小正好相反。
    图3-68  VMOS场效应晶体管源极S、漏极D的判定