根据半导体集成电路工艺分类
发布时间:2013/3/25 20:13:42 访问次数:1097
根据半导体集成电路工艺，可分为单极L9823型集成电路、双极型集成电路两大类。
单极型集成电路由MOS场效应晶体管组成，由于场效应晶体管只有多数载流子参加导电，因此称场效应晶体管为单极晶体管，由该单极晶体管组成的集成电路称为单极型集成电路，或称为MOS集成电路。其采用金属一氧化物半导体场效应(MOSFET)作为组件，特点是制作工艺简单、集成度高、功耗较低、易于制成大规模集成电路，而双极型集成电路的制作工艺复杂，功耗较大。双极型集成电路由NPN或PNP型晶体管组成，由于电路中载流子有电子和空穴两种极性，因此称为双极型集成电路，或称集成电路。其采用双极型半导体器件作为组件，特点是速度快、负载能力强，但功耗较大、集成度较低。
单极型集成电路又分为PMOS集成电路、NMOS集成电路、CMOS集成电路。
PMOS集成电路是在半导体硅片上，以P型沟道MOS器件构成的集成电路（P沟道场效应晶体管系列），参加导电的是空穴。
NMOS集成电路是在半导体硅片上，以N型沟道MOS器件构成的集成电路（N沟道场效应晶体管系列），参加导电的是电子。
CMOS集成电路是由NMOS晶体管和PMOS晶体管互补构成的集成电路（互补场效应晶体管系列），称为互补型MOS集成电路，简写成CMOS集成电路，此类电路包括基本CMOS系列（4000系列）、高速CMOS系列（即HCMOS集成电路，由高密度互补金属氧化物半导体器件构成的集成电路）、先进CMOS系列（即AC/ACT集成电路）。
单极型集成电路由MOS场效应晶体管组成，由于场效应晶体管只有多数载流子参加导电，因此称场效应晶体管为单极晶体管，由该单极晶体管组成的集成电路称为单极型集成电路，或称为MOS集成电路。其采用金属一氧化物半导体场效应(MOSFET)作为组件，特点是制作工艺简单、集成度高、功耗较低、易于制成大规模集成电路，而双极型集成电路的制作工艺复杂，功耗较大。双极型集成电路由NPN或PNP型晶体管组成，由于电路中载流子有电子和空穴两种极性，因此称为双极型集成电路，或称集成电路。其采用双极型半导体器件作为组件，特点是速度快、负载能力强，但功耗较大、集成度较低。
单极型集成电路又分为PMOS集成电路、NMOS集成电路、CMOS集成电路。
PMOS集成电路是在半导体硅片上，以P型沟道MOS器件构成的集成电路（P沟道场效应晶体管系列），参加导电的是空穴。
NMOS集成电路是在半导体硅片上，以N型沟道MOS器件构成的集成电路（N沟道场效应晶体管系列），参加导电的是电子。
CMOS集成电路是由NMOS晶体管和PMOS晶体管互补构成的集成电路（互补场效应晶体管系列），称为互补型MOS集成电路，简写成CMOS集成电路，此类电路包括基本CMOS系列（4000系列）、高速CMOS系列（即HCMOS集成电路，由高密度互补金属氧化物半导体器件构成的集成电路）、先进CMOS系列（即AC/ACT集成电路）。
根据半导体集成电路工艺，可分为单极L9823型集成电路、双极型集成电路两大类。
单极型集成电路由MOS场效应晶体管组成，由于场效应晶体管只有多数载流子参加导电，因此称场效应晶体管为单极晶体管，由该单极晶体管组成的集成电路称为单极型集成电路，或称为MOS集成电路。其采用金属一氧化物半导体场效应(MOSFET)作为组件，特点是制作工艺简单、集成度高、功耗较低、易于制成大规模集成电路，而双极型集成电路的制作工艺复杂，功耗较大。双极型集成电路由NPN或PNP型晶体管组成，由于电路中载流子有电子和空穴两种极性，因此称为双极型集成电路，或称集成电路。其采用双极型半导体器件作为组件，特点是速度快、负载能力强，但功耗较大、集成度较低。
单极型集成电路又分为PMOS集成电路、NMOS集成电路、CMOS集成电路。
PMOS集成电路是在半导体硅片上，以P型沟道MOS器件构成的集成电路（P沟道场效应晶体管系列），参加导电的是空穴。
NMOS集成电路是在半导体硅片上，以N型沟道MOS器件构成的集成电路（N沟道场效应晶体管系列），参加导电的是电子。
CMOS集成电路是由NMOS晶体管和PMOS晶体管互补构成的集成电路（互补场效应晶体管系列），称为互补型MOS集成电路，简写成CMOS集成电路，此类电路包括基本CMOS系列（4000系列）、高速CMOS系列（即HCMOS集成电路，由高密度互补金属氧化物半导体器件构成的集成电路）、先进CMOS系列（即AC/ACT集成电路）。
单极型集成电路由MOS场效应晶体管组成，由于场效应晶体管只有多数载流子参加导电，因此称场效应晶体管为单极晶体管，由该单极晶体管组成的集成电路称为单极型集成电路，或称为MOS集成电路。其采用金属一氧化物半导体场效应(MOSFET)作为组件，特点是制作工艺简单、集成度高、功耗较低、易于制成大规模集成电路，而双极型集成电路的制作工艺复杂，功耗较大。双极型集成电路由NPN或PNP型晶体管组成，由于电路中载流子有电子和空穴两种极性，因此称为双极型集成电路，或称集成电路。其采用双极型半导体器件作为组件，特点是速度快、负载能力强，但功耗较大、集成度较低。
单极型集成电路又分为PMOS集成电路、NMOS集成电路、CMOS集成电路。
PMOS集成电路是在半导体硅片上，以P型沟道MOS器件构成的集成电路（P沟道场效应晶体管系列），参加导电的是空穴。
NMOS集成电路是在半导体硅片上，以N型沟道MOS器件构成的集成电路（N沟道场效应晶体管系列），参加导电的是电子。
CMOS集成电路是由NMOS晶体管和PMOS晶体管互补构成的集成电路（互补场效应晶体管系列），称为互补型MOS集成电路，简写成CMOS集成电路，此类电路包括基本CMOS系列（4000系列）、高速CMOS系列（即HCMOS集成电路，由高密度互补金属氧化物半导体器件构成的集成电路）、先进CMOS系列（即AC/ACT集成电路）。
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