具有与硅不同特征的半导体
发布时间:2013/2/22 19:40:14 访问次数:540
化合物半导体是由两种以上的元素CAT811TTBI-GT3通过离子键形成化合物的半导体。关于化合物半导体我们在中已经有所了解，根据周期表中各族元素(Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ、V、Ⅵ)组合的不同，如’所示，形成了Ⅱ-V族，Ⅱ．Ⅵ族，Ⅲ-V族，Ⅳ一Ⅳ族、Ⅳ．Ⅵ族化合物，并且根据组成元素的数量还可以细分为2元化合物、3元化合物和4元化合物。
但在 中，加符号（术）的化合物半导体的构成元素不是规则排列的，而是均匀地混合在一起的固体，即呈现混晶（固溶体）态，组成元素的比例是可以变化的。
化合物半导体中，根据组成元素和组成比例的不同，电学性能和光电性能或者说环境特性都有所变化，分别被用于高速、高频以及低噪声等电子设备或光电子设备上。
但是，与硅相比，化合物半导体很难做出大尺寸的优质单晶基板，成本也很高，而且能够用于制造晶体管的结构和特性等还有限制，因此还不能将其用于大规模集成电路方面。
中给出了被广泛应用的化合物半导体的材料。利用两种化合物半导体的异质结构，实现了比硅高20倍高速运动的HEMT（高电子迁移率晶体管），被应用到微波元件、高速集成电路中。化合物半导体的光电性能，也被用于发光、感光二极管和半导体激光器等方面。这些光电设备乜被广泛应用在光通信、光情报记忆、打印、照明、液晶的背光灯、光传感器以及太阳能电池等领域。手机的各种元件中不仅有硅，也有化合物半导体。
但在 中，加符号（术）的化合物半导体的构成元素不是规则排列的，而是均匀地混合在一起的固体，即呈现混晶（固溶体）态，组成元素的比例是可以变化的。
化合物半导体中，根据组成元素和组成比例的不同，电学性能和光电性能或者说环境特性都有所变化，分别被用于高速、高频以及低噪声等电子设备或光电子设备上。
但是，与硅相比，化合物半导体很难做出大尺寸的优质单晶基板，成本也很高，而且能够用于制造晶体管的结构和特性等还有限制，因此还不能将其用于大规模集成电路方面。
中给出了被广泛应用的化合物半导体的材料。利用两种化合物半导体的异质结构，实现了比硅高20倍高速运动的HEMT（高电子迁移率晶体管），被应用到微波元件、高速集成电路中。化合物半导体的光电性能，也被用于发光、感光二极管和半导体激光器等方面。这些光电设备乜被广泛应用在光通信、光情报记忆、打印、照明、液晶的背光灯、光传感器以及太阳能电池等领域。手机的各种元件中不仅有硅，也有化合物半导体。
化合物半导体是由两种以上的元素CAT811TTBI-GT3通过离子键形成化合物的半导体。关于化合物半导体我们在中已经有所了解，根据周期表中各族元素(Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ、V、Ⅵ)组合的不同，如’所示，形成了Ⅱ-V族，Ⅱ．Ⅵ族，Ⅲ-V族，Ⅳ一Ⅳ族、Ⅳ．Ⅵ族化合物，并且根据组成元素的数量还可以细分为2元化合物、3元化合物和4元化合物。
但在 中，加符号（术）的化合物半导体的构成元素不是规则排列的，而是均匀地混合在一起的固体，即呈现混晶（固溶体）态，组成元素的比例是可以变化的。
化合物半导体中，根据组成元素和组成比例的不同，电学性能和光电性能或者说环境特性都有所变化，分别被用于高速、高频以及低噪声等电子设备或光电子设备上。
但是，与硅相比，化合物半导体很难做出大尺寸的优质单晶基板，成本也很高，而且能够用于制造晶体管的结构和特性等还有限制，因此还不能将其用于大规模集成电路方面。
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但在 中，加符号（术）的化合物半导体的构成元素不是规则排列的，而是均匀地混合在一起的固体，即呈现混晶（固溶体）态，组成元素的比例是可以变化的。
化合物半导体中，根据组成元素和组成比例的不同，电学性能和光电性能或者说环境特性都有所变化，分别被用于高速、高频以及低噪声等电子设备或光电子设备上。
但是，与硅相比，化合物半导体很难做出大尺寸的优质单晶基板，成本也很高，而且能够用于制造晶体管的结构和特性等还有限制，因此还不能将其用于大规模集成电路方面。
中给出了被广泛应用的化合物半导体的材料。利用两种化合物半导体的异质结构，实现了比硅高20倍高速运动的HEMT（高电子迁移率晶体管），被应用到微波元件、高速集成电路中。化合物半导体的光电性能，也被用于发光、感光二极管和半导体激光器等方面。这些光电设备乜被广泛应用在光通信、光情报记忆、打印、照明、液晶的背光灯、光传感器以及太阳能电池等领域。手机的各种元件中不仅有硅，也有化合物半导体。
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