下面以N沟道增强ATMEGA88PV-10AU型MOSFET簪为例（参看图6.3所示），简单介绍它的工作原理。

             
   当栅源之间的电压UCs =0时，不论漏源极之间加什么电压，由于存在“背对背”连接的二极管，因此这时总有一个PN结处于反偏，所以漏极电流，D—0，即处于截止状态。当UCs >0时，同时衬底与源极短接，则在栅极金属板与半导体之间的绝缘层产生一个垂直电场，这个电场将吸引衬底和两个N+区的电子越大，吸引的自由电子越多，表面层空穴数越少，当UCs超过某一临界值坼（称为开启电压），将最终使表面从层的电子数多于空穴数，使衬底表面由原来的P型转为N+型，且与两个区连通，形成漏区和源区间的导电沟道（N沟道）。此时，如果在漏极和源极之间加正向电压( UDS >0)，就会有电流经沟道到达源极，形成漏极电流，D。MOS管处于导通状态时，UCs越大，导电沟道越宽，沟道电阻越小D越大，这就是增强型MOSFET Ucs控制。的基本原理。