场效应晶体管( Field Effect Transistor)简称场效12-215/Y2C-BR1S1L/3C应管，缩写FET。场效应管是一种半导体放大器件，它是20世纪60年代后发展起来的一种器件。
    场效应管不仅具有晶体管的体积小、省电、耐用等优点，更具有输入阻抗很高( J.Oa~10”Q)、噪声小、热稳定性好、功耗低、动态范围大、抗辐射能力强、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，场效应管的一些特性与电子管相似。
    晶体三极管的载流子为空穴和电子，所以晶体三极管又称为双极型晶体管。场效应管载流子只有空穴或只有电子，因此场效应管又称单极晶体管。
     场效应管实物照片
    表11-1所示是几种场效应管实物照片图。

         
    关于场效应管外形特征主要说明下列几点：
    (1)它基本上与三极管的外形和体积大小相同，所以在没右场效应管型号时不易分清是哪种场效应管。
    (2)场效应管有多种封装形式，如金属封装、塑料封装等。
    (3)场效应管一般有三根引脚，还有四根引脚和六根引脚等多种外形。