数字式万用表检测桥堆方法
发布时间:2013/1/3 16:30:50 访问次数:2126
采用数字式万用表检测桥堆时的基本原理PT26-51B/TR8同测量二极管方法一样，用数字式万用表的PN结挡分别测量桥堆内部的四只二极管，判断方法也与数字式万用表检测普通二极管方法一样。
半桥堆检测方法
半桥堆的检测方法比检测桥堆方法更简单，半桥堆由两只整流二极管组成，通过用万用表分别测量半桥内部的两只二极管的正、反电阻值是否正常，即可判断出该半桥是否正常。
高压硅堆检测方法
高压硅堆内部是由多只高压整流二极管（硅粒）串联组成，所以它的特点是正向电阻和反向电阻均比普通二极管大得多。
检测时，可用万用表的R×lOk挡测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆其正向电阻值大于200kQ，反向电阻值为无穷大。如果测量正、反向均有一定电阻值，则说明该高压硅堆已被击穿损坏。
稳压二极管检测方法
1．稳压二极管故障现象
稳压二极管主要用于直流电压供给电路和限幅电路中，直流电压供给电路中的稳压二极管故障较高。
(1)稳压二极管击穿故障。这时稳压二极管不仅没有稳压功能，而且还会造成电路的过流故障，熔断电路中的保险丝或烧坏电路中的元器件，在路通电测量时稳压二极管两瑞的直流电压为ov。
(2)开路故障稳压二极管。这时稳压二极管没有稳压作用，但是不会造成电路过流故障，在路通电测量时稳压二极管两端的直流电压远大于该二极管的稳压值。
2．万用表识别稳压二极管方法
对稳压二极管质量检测方法是测量PN结的正向和反向电阻大小，测量中如果有不正常现象，说明这一稳压二极管已经损坏。
对于一些稳压值较小的稳压二极管，可以用万用表欧姆挡进行识别和稳压性能的简易判断。
具体方法是：置R xlk挡，黑表笔接稳压二极管的负极，红表笔接正极，测量的是PN结反向电阻，应该阻值很大。
然后，上述测量状态下将万用表的测量挡转换到R×lOk挡，此时表针向右偏转一个较大的角度，说明反向电阻已经下降了许多，PN结处于击穿状态，这是稳压二极管，且性能基本正常。
这一测量方法的原理是：万用表R×lOk挡的表内电池电压比Rxlk挡表内电池电压高出许多，表内电池电压升高后使稳压二极管PN结击穿，所以电阻下降许多，这种测量方法只能采用指针式万用表。
对于稳压值大于万用表R×lOk挡表内电池电压的稳压二极管，由于电池电压不足以使PN结反向击穿，所以无法进行上述测量。
半桥堆检测方法
半桥堆的检测方法比检测桥堆方法更简单，半桥堆由两只整流二极管组成，通过用万用表分别测量半桥内部的两只二极管的正、反电阻值是否正常，即可判断出该半桥是否正常。
高压硅堆检测方法
高压硅堆内部是由多只高压整流二极管（硅粒）串联组成，所以它的特点是正向电阻和反向电阻均比普通二极管大得多。
检测时，可用万用表的R×lOk挡测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆其正向电阻值大于200kQ，反向电阻值为无穷大。如果测量正、反向均有一定电阻值，则说明该高压硅堆已被击穿损坏。
稳压二极管检测方法
1．稳压二极管故障现象
稳压二极管主要用于直流电压供给电路和限幅电路中，直流电压供给电路中的稳压二极管故障较高。
(1)稳压二极管击穿故障。这时稳压二极管不仅没有稳压功能，而且还会造成电路的过流故障，熔断电路中的保险丝或烧坏电路中的元器件，在路通电测量时稳压二极管两瑞的直流电压为ov。
(2)开路故障稳压二极管。这时稳压二极管没有稳压作用，但是不会造成电路过流故障，在路通电测量时稳压二极管两端的直流电压远大于该二极管的稳压值。
2．万用表识别稳压二极管方法
对稳压二极管质量检测方法是测量PN结的正向和反向电阻大小，测量中如果有不正常现象，说明这一稳压二极管已经损坏。
对于一些稳压值较小的稳压二极管，可以用万用表欧姆挡进行识别和稳压性能的简易判断。
具体方法是：置R xlk挡，黑表笔接稳压二极管的负极，红表笔接正极，测量的是PN结反向电阻，应该阻值很大。
然后，上述测量状态下将万用表的测量挡转换到R×lOk挡，此时表针向右偏转一个较大的角度，说明反向电阻已经下降了许多，PN结处于击穿状态，这是稳压二极管，且性能基本正常。
这一测量方法的原理是：万用表R×lOk挡的表内电池电压比Rxlk挡表内电池电压高出许多，表内电池电压升高后使稳压二极管PN结击穿，所以电阻下降许多，这种测量方法只能采用指针式万用表。
对于稳压值大于万用表R×lOk挡表内电池电压的稳压二极管，由于电池电压不足以使PN结反向击穿，所以无法进行上述测量。
采用数字式万用表检测桥堆时的基本原理PT26-51B/TR8同测量二极管方法一样，用数字式万用表的PN结挡分别测量桥堆内部的四只二极管，判断方法也与数字式万用表检测普通二极管方法一样。
半桥堆检测方法
半桥堆的检测方法比检测桥堆方法更简单，半桥堆由两只整流二极管组成，通过用万用表分别测量半桥内部的两只二极管的正、反电阻值是否正常，即可判断出该半桥是否正常。
高压硅堆检测方法
高压硅堆内部是由多只高压整流二极管（硅粒）串联组成，所以它的特点是正向电阻和反向电阻均比普通二极管大得多。
检测时，可用万用表的R×lOk挡测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆其正向电阻值大于200kQ，反向电阻值为无穷大。如果测量正、反向均有一定电阻值，则说明该高压硅堆已被击穿损坏。
稳压二极管检测方法
1．稳压二极管故障现象
稳压二极管主要用于直流电压供给电路和限幅电路中，直流电压供给电路中的稳压二极管故障较高。
(1)稳压二极管击穿故障。这时稳压二极管不仅没有稳压功能，而且还会造成电路的过流故障，熔断电路中的保险丝或烧坏电路中的元器件，在路通电测量时稳压二极管两瑞的直流电压为ov。
(2)开路故障稳压二极管。这时稳压二极管没有稳压作用，但是不会造成电路过流故障，在路通电测量时稳压二极管两端的直流电压远大于该二极管的稳压值。
2．万用表识别稳压二极管方法
对稳压二极管质量检测方法是测量PN结的正向和反向电阻大小，测量中如果有不正常现象，说明这一稳压二极管已经损坏。
对于一些稳压值较小的稳压二极管，可以用万用表欧姆挡进行识别和稳压性能的简易判断。
具体方法是：置R xlk挡，黑表笔接稳压二极管的负极，红表笔接正极，测量的是PN结反向电阻，应该阻值很大。
然后，上述测量状态下将万用表的测量挡转换到R×lOk挡，此时表针向右偏转一个较大的角度，说明反向电阻已经下降了许多，PN结处于击穿状态，这是稳压二极管，且性能基本正常。
这一测量方法的原理是：万用表R×lOk挡的表内电池电压比Rxlk挡表内电池电压高出许多，表内电池电压升高后使稳压二极管PN结击穿，所以电阻下降许多，这种测量方法只能采用指针式万用表。
对于稳压值大于万用表R×lOk挡表内电池电压的稳压二极管，由于电池电压不足以使PN结反向击穿，所以无法进行上述测量。
半桥堆检测方法
半桥堆的检测方法比检测桥堆方法更简单，半桥堆由两只整流二极管组成，通过用万用表分别测量半桥内部的两只二极管的正、反电阻值是否正常，即可判断出该半桥是否正常。
高压硅堆检测方法
高压硅堆内部是由多只高压整流二极管（硅粒）串联组成，所以它的特点是正向电阻和反向电阻均比普通二极管大得多。
检测时，可用万用表的R×lOk挡测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆其正向电阻值大于200kQ，反向电阻值为无穷大。如果测量正、反向均有一定电阻值，则说明该高压硅堆已被击穿损坏。
稳压二极管检测方法
1．稳压二极管故障现象
稳压二极管主要用于直流电压供给电路和限幅电路中，直流电压供给电路中的稳压二极管故障较高。
(1)稳压二极管击穿故障。这时稳压二极管不仅没有稳压功能，而且还会造成电路的过流故障，熔断电路中的保险丝或烧坏电路中的元器件，在路通电测量时稳压二极管两瑞的直流电压为ov。
(2)开路故障稳压二极管。这时稳压二极管没有稳压作用，但是不会造成电路过流故障，在路通电测量时稳压二极管两端的直流电压远大于该二极管的稳压值。
2．万用表识别稳压二极管方法
对稳压二极管质量检测方法是测量PN结的正向和反向电阻大小，测量中如果有不正常现象，说明这一稳压二极管已经损坏。
对于一些稳压值较小的稳压二极管，可以用万用表欧姆挡进行识别和稳压性能的简易判断。
具体方法是：置R xlk挡，黑表笔接稳压二极管的负极，红表笔接正极，测量的是PN结反向电阻，应该阻值很大。
然后，上述测量状态下将万用表的测量挡转换到R×lOk挡，此时表针向右偏转一个较大的角度，说明反向电阻已经下降了许多，PN结处于击穿状态，这是稳压二极管，且性能基本正常。
这一测量方法的原理是：万用表R×lOk挡的表内电池电压比Rxlk挡表内电池电压高出许多，表内电池电压升高后使稳压二极管PN结击穿，所以电阻下降许多，这种测量方法只能采用指针式万用表。
对于稳压值大于万用表R×lOk挡表内电池电压的稳压二极管，由于电池电压不足以使PN结反向击穿，所以无法进行上述测量。
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