以结型N沟道场效应管为例，场效应管的MASWSS0166TR基本工作原理如图1. 87所示。由于在场效应管的栅极G接有负偏压，因此在栅极G附近形成耗尽层。当栅极负偏压的绝对值增大时，耗尽层增大，致使沟道减小，漏极电流ID减小；当栅极负偏压的绝对值减小时，耗尽层减小，沟道增大，漏极电流ID增大。由此可见，场效应管的漏极电流ID受场效应管栅极电压UG的控制，所以场效应管是电压控制嚣件，即通过输入电压的变化来控制输出电流的变化。

         
    场效应管的命名方法
    场效应管通常有下列两种命名方法。
    第一种命名方法是使用“中国半导体器件型号命名法”（见表1. 19）的第3、第4和第5部分来命名，其中的第3部分用字母CS表示场效应管，第4部分用阿拉伯数字表示器件序号，第5部分用汉语拼音字母表示规格号。例如CS2B、CS14A、CS45G等。
    第二种命名方法与双极型三极管相同，第一位用数字代表电极数；第二位用字母代表极性（其中D是N沟道，C是P沟道）；第三位用字母代表类型（其中J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管）。例如，3DJ6D是N沟道结型场效应三极管，3D06C是N沟道绝缘栅型场效应三极管。