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通电后电路分析

发布时间:2012/12/1 20:31:02 访问次数:733

    通电源之后,直流电压+V通过W25X80AVAIZ电阻Rl和R2对电容Cl充电,由于对电容Cl的充电要有一个过程,在Cl两端的电压没有充到一定程度时,电路保持输出电压配为高电平状态,如图6-124( b)所示波形,这是一个暂稳态。
    随着对电容Cl的充电进行(Cl上的充电压极性为上正下负),当Cl上的电压达到一定程度后,集成电路Al的⑥脚电压为高电平,该高电平加到内部电路中的电压比较器C的反相输入端,使比较器C输出低电平,该低电平加到与非门A的一个输入端,使RS触发器翻转,即Q端输出低电平,即饥为低电平,Q为高电平。从图6-124(b)所示波形中可以看出,此时乩已从高电平翻转成低电平。

           
    在Q为高电平后,该高电平经电阻R6加到VT1基极,使VT1饱和导通。由于VT1导通后集电极与发射极之间内阻很小,这样电容Cl上充到的上正下负电压开始放电,其放电回路是:C1上端一R2一集成电路A1的⑦脚一VT1集电极一VT1发射极一地端一Cl下端,如图6-125所示。在Cl放电期间,多谐振荡器电路保持阢为高电平这一暂稳态,如图6-124(b)所示波形中低电平段。
    随着电容Cl的放电,Cl上的电压在下降,当Cl上的电压下降到一定程度后,使集成电路Al的②脚电压很低,即电压比较器D的同相输入端电压较低,使电压比较器D输出低电平。该低电平加到与非门B的一个输入端,使RS触发器再次翻转,翻转到Q端为高电平的暂稳态,即砜为高电平。由于Q为高电平,Q为低电平,使VT1基极电压很小,VT1截止,电容Cl停止放电,改变为+V通过电阻Rl和R2对Cl充电,这样电路进入第二个周期。
    电路分析提示
    这种多谐振荡器电路与其他多谐振荡器电路一样,有相同的振荡特性。这里还要说明下列几点。
    (1)在集成电路Al的内部电路中,电阻R2、R3和R4构成分压电路,分别为电压比较器C和D提供基准电压。对于电压比较器C而言,基准电压加到同相输入端。对电压比较器D而言,基准电压加到反相输入端。
    (2)电压比较器的工作特性是:对电压比较器C而言,当反相输入端的电压大于同相输入端上的基准电压时,电压比较器C输出低电平;对于电压比较器D而言,当同相输入端的电压大于反相输入端上的基准电压时,电压比较器D输出高电平。

    通电源之后,直流电压+V通过W25X80AVAIZ电阻Rl和R2对电容Cl充电,由于对电容Cl的充电要有一个过程,在Cl两端的电压没有充到一定程度时,电路保持输出电压配为高电平状态,如图6-124( b)所示波形,这是一个暂稳态。
    随着对电容Cl的充电进行(Cl上的充电压极性为上正下负),当Cl上的电压达到一定程度后,集成电路Al的⑥脚电压为高电平,该高电平加到内部电路中的电压比较器C的反相输入端,使比较器C输出低电平,该低电平加到与非门A的一个输入端,使RS触发器翻转,即Q端输出低电平,即饥为低电平,Q为高电平。从图6-124(b)所示波形中可以看出,此时乩已从高电平翻转成低电平。

           
    在Q为高电平后,该高电平经电阻R6加到VT1基极,使VT1饱和导通。由于VT1导通后集电极与发射极之间内阻很小,这样电容Cl上充到的上正下负电压开始放电,其放电回路是:C1上端一R2一集成电路A1的⑦脚一VT1集电极一VT1发射极一地端一Cl下端,如图6-125所示。在Cl放电期间,多谐振荡器电路保持阢为高电平这一暂稳态,如图6-124(b)所示波形中低电平段。
    随着电容Cl的放电,Cl上的电压在下降,当Cl上的电压下降到一定程度后,使集成电路Al的②脚电压很低,即电压比较器D的同相输入端电压较低,使电压比较器D输出低电平。该低电平加到与非门B的一个输入端,使RS触发器再次翻转,翻转到Q端为高电平的暂稳态,即砜为高电平。由于Q为高电平,Q为低电平,使VT1基极电压很小,VT1截止,电容Cl停止放电,改变为+V通过电阻Rl和R2对Cl充电,这样电路进入第二个周期。
    电路分析提示
    这种多谐振荡器电路与其他多谐振荡器电路一样,有相同的振荡特性。这里还要说明下列几点。
    (1)在集成电路Al的内部电路中,电阻R2、R3和R4构成分压电路,分别为电压比较器C和D提供基准电压。对于电压比较器C而言,基准电压加到同相输入端。对电压比较器D而言,基准电压加到反相输入端。
    (2)电压比较器的工作特性是:对电压比较器C而言,当反相输入端的电压大于同相输入端上的基准电压时,电压比较器C输出低电平;对于电压比较器D而言,当同相输入端的电压大于反相输入端上的基准电压时,电压比较器D输出高电平。

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