从图1-11的反向特性曲线可以看出，当反向GRM155R71H271KA01D电压小于击穿电压U(liR)(U：BR，)时，电路中仅有很小的微安级反向饱和电流IR，二极管处于反向截止状态，呈现很大的电阻，且此时的反向饱和电流几乎不随反向电压的增大而变化，仅与二极管的材料和温度有关。当所加的反向电压进一步增大后，二极管的反向电流急剧增大．进入反向击穿区。普通二极管进入反向击穿区后，就会损坏，其性能是不可逆的。所以在正常使用时，要避免二极管工作到此区域。
    造成二极管反向击穿的原因有两个：一个是齐纳击穿，另一个是雪崩击穿。当二极管工作在反向击穿区时，这两种击穿几乎是同时存在的，只不过对于不同的二极管，起主要作用的击穿是不同的而已。

               
    硅管和锗管特性的比较
    比较图1-11中硅管和锗管的伏安特性曲线，在正向特性曲线中，锗管的死区电压和导通压降比硅管小一些，更容易克服死区进入导通状态，从对两管的导通压降的比较来看，锗管的性能比硅管的性能好，锗管退出饱和导通的速度快，因此锗管在检波、高频等电路中有应用。在反向特性曲线中，锗管的反向饱和电流比硅管大很多（小功率硅管的反向电流一般小于0.1PA，锗管通常为几十微安）。反向电流越小，二极管的单向导电性越好；同时，反向电流受温度的影响很大。所以硅管的单向导电性、热稳定性均比锗管好，因此在应用中多选用硅管。