结构和符号BCM2075B0KUBG    

    绝缘栅场效应管简称MOS管，可用MOSFET表示。它分增强型(EMOS)和耗尽型(DMOS)两类，各类又有P沟道(PMOS)和N沟道(NMOS)两种。
    以N沟道绝缘栅场效应管为例，其结构和图形符号如图1- 35所示。

                      
 
    N沟道绝缘栅场效应管是以一块掺杂浓度较低的P型硅片作衬底，在上面制作出两个高浓度N型区（图中N+区），各引出两个电极：源极S和漏极D。在硅片表面制作一层S102绝缘层，绝缘层上再制作一层金属膜作为栅极G。由于栅极与其他电极及硅片之间是绝缘的，所以称绝缘栅场效应管。又由于它是由金属一氧化物一半导体( Metal-Oxide-Semiconductor)所组成的，故简称MOS场效应管。
    场效应管的S，G，D极对应三极管的e，b，c极。B表示衬底（有时也用U表示），一般与源极S相连。衬底箭头向内表示为N沟道，反之为P沟道。D极和S极之间为三段断续线表示增强犁，为连续线表示耗尽型。
    N沟道增强型MOS管的工作原理
    在漏源极间加正向电压UDS，当UGS =0时，漏源之间没有导电沟道，iD=0，如图1- 36 (a)所示。当Ucs增加至某个临界电压时，漏源之间形成导电沟道，产生漏极电流iD，如图1- 36(b)所示。这个临界电压称为开启电压，用UT表示。显然，继续加大UGS，导电沟道会越宽。也就越大。由于这种场效应管是依靠加上电压“G。后才产生导电沟道的，所以称为增强型。