发射极直流电路变形电路“丰富多彩”，电路分析时只要抓住根本一点，就是发射极直流电流主要通过了哪个元件，该元件就是构成发射极直流电路的主要元件，在这一电路分析中主要运用并联电路的阻抗特性。
    1．发射极直流电路变形电路之一
    图14-98所示是一种发射极直流电路变形电路。电路中的VT1是NPN型三极管，采用正极性直流工作电压+V供电。从电路中可以看出VT1发射极回路中有电阻R4和电容Cl。

                    
    根据电容隔直流特性可知，VT1发射极直流电流不能通过电容Cl，只能流过电阻R4。
    在这一电路分析中，如果不了解电容的有关特性，电路分析比较就困难，甚至会出错。
    2．发射极直流电路变形电路之二
    图14-99所示是另一种发射极直流电路变形电路。电路中的VT1是NPN型三极管，电阻Rl构成VT1集电极一基极负反馈偏置电路，采用正极性直流工作电压供电。

                      
    从电路中可以看出，VT1发射极回路中有电感Ll、电容Cl、电阻R3。
    电感Ll虽然能够让直流电流通过，RABBIT2000但是Cl不能让直流电流通过，因为Ll和CI串联，所以Ll和Cl这个串联支路不能让三极管VT1发射极直流电流通过。
    这样，这一电路中只有电阻R3构成了VT1发射极直流电路，VT1发射极直流电流通过R3流到地端。
    3．发射极直流电路变形电路之三
    图14-100所示是另一种发射极直流电路变形电路。电路中的VT1是NPN型三极管，电阻Rl构成VT1固定式偏置电路，采用正极性直流工作电压供电。从电路中可以看出，VT1发射极回路中有电感Ll、电容Cl、电阻R3，这3个元件是并联的。

                    
    从电路中可以看出，电阻R3和电感Ll都可以流过VT1发射极直流电流，但是Ll的直流电阻非常小，远远小于电阻R3的阻值，所以在这一电路中从VT1发射极流出的直流电流通过Ll流到地端，而不是通过R3流到地端。
    构成这一电路中VT1发射极直流电流回的主要元件是电感Ll。
    4．三极管发射极直流电路分析小结
    (1)发射极直流电路特征。工作在放大状态下的三极管，无论发射极电路如何变化，三极管的发射极必须与直流工作电压端之间，或是与地线之间相通，以构成发射极的直流路。
    只要是能够构成发射极直流电流回路的元器件都有可能是发射极直流电路中的元器件。
    (2)电路分析方法。分析电路时，在电路中找到三极管电路图形符号，然后找到三极管的发射极，从发射极出发向地线端查找元器件，或是向直流工作电压端查找元器件。
    发射极回路中的元器件往往比较多（比集电极回路中的元器佯多），这些元器件应该能够通过直流电流，才是有可能构成发射极直流电路的元器件。
    找出发射极回路中能够通过直流电流的元器件后，如果元器件比较多，还要根据并联电路的阻抗特性，找到哪个或哪些元器件是构成发射极直流电路的主要元器件，通常构成直流电路的主要元器件只有一两个。