发射机电路
发布时间:2011/9/23 13:48:04 访问次数:3711
小功率调频发射机采用MC2833P单片机集成调频发射电路,具有发射频率稳定、功耗低、电路简单等优点,可广泛小范围的语音、数据等无线传输。
1.小功率调频发射机电路原理
MC2833P是美国Motorola公司生产的单片机集成调频发射电路,适用于无绳电话和其他调频通信设备中,该芯片内集成有话筒放大器、射频振荡器、射频缓冲器、可变电抗调制器和两个截止频率达500MHz的晶体管。MC2833P的内部结构和引脚排列如图5.11所示。
引脚符号说明:1脚为可变电抗输出端,2脚为去耦端,3脚为调制器输入端,4脚为话筒放大器输出端,5脚为话筒放大器输入端,6脚为接地端,7脚为内部晶体管VT2的发射极,8脚为内部晶体管VT2的基极,9脚为内部晶体管VT2的集电极,10脚为电源端,11脚为内部晶体管VT1的集电极,12脚为内部晶体管VT,的发射极,13脚为内部晶体管VT1的基极,14脚为射频振荡器的缓冲输出端,15脚为射频振荡器外接元件端,16脚为射濒振荡器外接元器件端。小功率调频发射机电路如图5.12所示。
在图5.12电路中,音频信号经Cl耦合输入IC1的5脚,由内部放大器放大后4脚输出,R2为内部放大器的负反馈电阻,调节R2可改变电压增益。C4为耦合电容,将音频信号送入IC1的3脚,可变电抗调制器的输入端;C5为可变电抗调制器的去耦电容。IC1的1脚和16脚之间的电感L1和晶体JT以及电容C2、C3构成了克拉泼振荡电路,产生30MHz的载波信号,调制后的30MHz的载波信号经缓冲放大,由IC1的14脚输出。已调载波信号经C8耦合IC1内部VT1、VT2两个晶体管组成的两级倍频放大器,IC1的肉部晶体管VT1、L2和C9组成调谐选频放大器,选出3倍于30MHz的已调载波信号,即90MHz的已调载波信号。IC1的内部晶体管VT2、L3和Cll组成二次倍频调谐放大器,即输出90MHz的已调载波信号。Cl0和C12为级间耦合电容。晶体管VT3、L4和C13组成高频率调谐丙类窄带功率放大器,对90MHz的已调载波信号再进一步射频功率放大,经C14耦合到发射天线向周围空间辐射。
为进一步防止射频干扰,稳定输出频率,提高输出功率,末级功率放大采用12V供电,三端集成稳压器IC2提供给IC1集成电路6V电源。C15~C18为电源退耦滤波电容,C6、C7为IC1的内部晶体管VT1、VT2的射极旁路电容。
2.安装与调试 MAX191BCNG
元器件选择方法:为减小噪声所有电阻选用金属膜电阻,Cl、C4为电解电容,其余均为高频瓷介电容;电感L2、L3可在Φ6.Omm塑料骨架上用Φ0.31mm的漆包线绕11匝,4匝处抽头,然后放入MX4高频磁芯,电感L4用Φ0.51mm的漆包线在Φ5.Omm的圆棒上绕6匝中心抽头脱胎而成。天线可采用双层十字型全方向天线,以增加覆盖范围,并用75-5优质同轴电缆引至本机的射频输出端。
元嚣件焊接装配时引脚应尽量短,以减少分布电容的影响。所有元器件装配完成后,并检查无误就可以进行调试。调试电路时,应在射频输出端接入75Ω高频假负载电阻,以防空载时损坏射频功率管VT3。首先,断开耦合电容C8,分别通过调整R7和R8的阻值,使IC1内部两个晶体管VT1、VT2的集电极静态电流分别为1mA、2~4mA。接通耦合电容C8,用高频毫伏表和数字频率计的测试IC1的14脚射频输出端,其输出电压约为lOOmV,频率为30MHz;用数字频率计的测试IC1的8脚VT2基极时,用无感小改锥调整电感L2磁芯使数字频率计显示数值为“90.OOMHz”即完成了3倍频电路的调试。用数字频率计的测试VT3基极,调整L4的磁芯使数字频率计显示数值为“90.OOMHz”即完成了倍频电路的调试。去掉75Ω高频假负载电阻接入天线,用无感扁平小改锥拨动L4的匝距,使末级功放输出最大,即完成了对电路的调试。
小功率调频发射机电路元器件清单如表5.9所示。
http://pengruixin111.51dzw.com
小功率调频发射机采用MC2833P单片机集成调频发射电路,具有发射频率稳定、功耗低、电路简单等优点,可广泛小范围的语音、数据等无线传输。
1.小功率调频发射机电路原理
MC2833P是美国Motorola公司生产的单片机集成调频发射电路,适用于无绳电话和其他调频通信设备中,该芯片内集成有话筒放大器、射频振荡器、射频缓冲器、可变电抗调制器和两个截止频率达500MHz的晶体管。MC2833P的内部结构和引脚排列如图5.11所示。
引脚符号说明:1脚为可变电抗输出端,2脚为去耦端,3脚为调制器输入端,4脚为话筒放大器输出端,5脚为话筒放大器输入端,6脚为接地端,7脚为内部晶体管VT2的发射极,8脚为内部晶体管VT2的基极,9脚为内部晶体管VT2的集电极,10脚为电源端,11脚为内部晶体管VT1的集电极,12脚为内部晶体管VT,的发射极,13脚为内部晶体管VT1的基极,14脚为射频振荡器的缓冲输出端,15脚为射频振荡器外接元件端,16脚为射濒振荡器外接元器件端。小功率调频发射机电路如图5.12所示。
在图5.12电路中,音频信号经Cl耦合输入IC1的5脚,由内部放大器放大后4脚输出,R2为内部放大器的负反馈电阻,调节R2可改变电压增益。C4为耦合电容,将音频信号送入IC1的3脚,可变电抗调制器的输入端;C5为可变电抗调制器的去耦电容。IC1的1脚和16脚之间的电感L1和晶体JT以及电容C2、C3构成了克拉泼振荡电路,产生30MHz的载波信号,调制后的30MHz的载波信号经缓冲放大,由IC1的14脚输出。已调载波信号经C8耦合IC1内部VT1、VT2两个晶体管组成的两级倍频放大器,IC1的肉部晶体管VT1、L2和C9组成调谐选频放大器,选出3倍于30MHz的已调载波信号,即90MHz的已调载波信号。IC1的内部晶体管VT2、L3和Cll组成二次倍频调谐放大器,即输出90MHz的已调载波信号。Cl0和C12为级间耦合电容。晶体管VT3、L4和C13组成高频率调谐丙类窄带功率放大器,对90MHz的已调载波信号再进一步射频功率放大,经C14耦合到发射天线向周围空间辐射。
为进一步防止射频干扰,稳定输出频率,提高输出功率,末级功率放大采用12V供电,三端集成稳压器IC2提供给IC1集成电路6V电源。C15~C18为电源退耦滤波电容,C6、C7为IC1的内部晶体管VT1、VT2的射极旁路电容。
2.安装与调试 MAX191BCNG
元器件选择方法:为减小噪声所有电阻选用金属膜电阻,Cl、C4为电解电容,其余均为高频瓷介电容;电感L2、L3可在Φ6.Omm塑料骨架上用Φ0.31mm的漆包线绕11匝,4匝处抽头,然后放入MX4高频磁芯,电感L4用Φ0.51mm的漆包线在Φ5.Omm的圆棒上绕6匝中心抽头脱胎而成。天线可采用双层十字型全方向天线,以增加覆盖范围,并用75-5优质同轴电缆引至本机的射频输出端。
元嚣件焊接装配时引脚应尽量短,以减少分布电容的影响。所有元器件装配完成后,并检查无误就可以进行调试。调试电路时,应在射频输出端接入75Ω高频假负载电阻,以防空载时损坏射频功率管VT3。首先,断开耦合电容C8,分别通过调整R7和R8的阻值,使IC1内部两个晶体管VT1、VT2的集电极静态电流分别为1mA、2~4mA。接通耦合电容C8,用高频毫伏表和数字频率计的测试IC1的14脚射频输出端,其输出电压约为lOOmV,频率为30MHz;用数字频率计的测试IC1的8脚VT2基极时,用无感小改锥调整电感L2磁芯使数字频率计显示数值为“90.OOMHz”即完成了3倍频电路的调试。用数字频率计的测试VT3基极,调整L4的磁芯使数字频率计显示数值为“90.OOMHz”即完成了倍频电路的调试。去掉75Ω高频假负载电阻接入天线,用无感扁平小改锥拨动L4的匝距,使末级功放输出最大,即完成了对电路的调试。
小功率调频发射机电路元器件清单如表5.9所示。
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