根据半导体材料不同，三极管有硅管和锗管之分。目前我国生产的硅管大多为NPN型，锗管大多为PNP型。由于硅三极管的温度特性较好，应用也较多。对于PNP型三极管，其工作原理与NPN型三极管相似，不同之处仅在于使用时，工作电源的极性相反而已。

  (三)三极管的电流是如何分配的？        W91312   
    在图2-25所示的实验电路中，电源U_BB使发射结承受正向偏置电压，电源U_CC大于U_BB，使集电结承受反向偏置电压。当改变基极电阻R_B时，不仅基极电流I_B发生变化，集电极电流Ic和发射极电流I_E也随着有较大的变化。实验测得的数据如表2-2所示。

    由表中数据可得知I_B、I_C、I_E有如下关系：
    三个极的电流始终符合基尔霍夫定律，即
                                    I_E =I_C+I_B
且I_B与I_E、I_C相比小得多，因而I_E≈I_C。

  (四)什么是三极管的电流放大系数？
    三极管的主要特点是具有电流放大功能。
    ①如增大时，I_C按比例相应增大。从表2-2中第三列和第四列的数据可以得到证明：
                    I_C3/I_B3=2.35/0.04=58.5
                    I_C4/I_B4=3.54/0.06=59
    ②基极电流较小的变化量△I_B，可以引起集电极电流较大的变化量△I_C，两者变化量在一定范围内保持比例关系，即
                             β=△I_C/△I_B

β称为三极管的电流放大系数，它反映了I_B对I_C的控制能力，把这种控制能力称做三极管的电流放大作用。
    三极管各极电流的分配和它的电流放大作用，是由内部载流子的运动规律决定的。由图2-26可知，电源U_BB使发射结正偏，发射区内的多数载流子不断越过发射结注入基区，从而形成电子电流，外电路就是发射极电流I_E。由于基区很薄，空穴浓度又很低，注入基区的电子大部分扩散到集电结附近，只有少数电子与基区的空穴复合。电源U_BB从基区抽走电子来补充空穴，从而形成了基极电流I_B。电源U_CC使集电结反偏，保证了结电场对注入基区电子的加速作用，使电子越过集电结，被集电极收集而形成集电极电流I_C。

                   
    综上所述，三极管起到放大作用所必须具备的外部条件是：发射结正向偏置，集电结反向偏置。而电流的分配关系则由三极管内部结构所决定。
 

  (五)三极管的输入特性曲线是什么？      WD1014-CL     
    三极管的特性曲线反映了三极管各极电压与电流之间的关系，是分析三极管有关电路的重要依据。最常用的是共发射极接法时的输入特性曲线和输出特性曲线。特性曲线可用晶体管图示仪直观地显示出来，也可用实验屯路进行测绘。
    输入特性曲线是当集电极与发射极之间的电压U_CE保持不变时，基极电流与基、射极间电压之间的关系，即
                                        I_B=f(U_BE)
其特性曲线如图2-27所示。
    当U_CE≥1V时，三极管处于放大状态，基极电流的变化主要受U_BE的控制，而U_CE对I_B的影响则很小，所以，U_CE≥1V以后的输入特性基本上是重合的。

                       
    三极管的输入特性和二极管的伏安特性相似，也有一段死区，硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0.2V。当发射结外加电压大于死区电压时，三极管才完全进入放大状态。在正常工作情况下，硅管发射结的正向压降约为0.7V，锗管发射结的正向压降
约为0.3V。

  (六)三极管的输出特性曲线是什么？
    输出特性是指当基极电流I_B为常数时，集电极电流I_C同集、射极电压U_CE的关系曲线，即
                               I_C=f(U_CE)
I_B的取值不同，可得出不同的特性曲线，所以，三极管的输出特性是一簇曲线，如图2-28所示。对应于三极管的三种工作状态，可将输出特性分为三个区，即截止区、放大区和饱和区。

  (1)截止区
    I_B=0的曲线下面的区域为截止区。在此区域内，I_C=I_CEO≈0，集电极与发射极间截止区呈现高阻状态，相当于一个断开的开关。为了使三极管可靠截止，通常给发射结加上反向偏置电压，所以，三极管处于截止状态的工作条件是发射结、集电结均处于反向偏置。
    (2)放大区
    输出特性曲线近于水平且间距较均匀的部分称为放大区.在放大区，I_C的变化仅取决于I_B的变化，而与U_CE的变化几乎无关，呈现恒流特性，即βI_B。三极管处于放大状态时，发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。
    (3)饱和区
    特性曲线上升段拐点连接线左侧区域称为饱和区。这一区域包括了所有各个I_B值下的输出特性曲线的起始部分。由图2-25所示的实验电路可知，三极管集、射极电压U_CE=U_CC-I_CRC，或I_C=U_CC-U_CE/R_C。当U_CE很小时，Ic≈U_CC/R_C，此后即使I_B再增大，I_C也不再增大，即I_C不再受I_B的控制，三极管进入饱和状态。
    三极管处于饱和时的集电极电流称为饱和电流，用I_CS表示；饱和时集射极电压称为饱和压降，用U_CES表示。U_CES很小，硅管约为0.3V，锗管约为0.1V，一般认为U_CES≈0，集、射极间相当于一个接通的开关。
    三极管饱和的条件是发射结、集电结均正向偏置。
    放大区、截止区和饱和区都是三极管的正常工作区。三极管作放大使用时，工作在放大区。三极管作开关使用时，工作在饱和区和截止区。

   (七)三极管的主要参数有哪些？
    (1)电流放大系数β
    三极管的电流放大系数有静态电流放大系数和动态电流放大系数。
    三极管接成共发射极电路，当输入信号为零时，集电极电流Ic与基极电流I_B的比值，称为静态（直流）电流放大系数，即
                                    β=I_C/I_B
    当输入信号不为零时，在保持UCE不变的情况下，集电极电流的变化量△I_C与基极电流的变化量△I_B的比值，称为动态（交流）电流放大系数，即
                                    β=△I_C/△I_B
    β与β具有不同的含义，但在输出特性的线性区，两者数值较为接近，一般不作严格区分。常用的小功率三极管，β值约在30～200之间，大功率管的β值较小。β值太小时，三极管的放大能力差，β值太大时，三极管的热稳定性能差。通常以100左右为宜。
  (2)穿透电流ICEO
    当基极开路，集电结处于反向偏置，发射结处于正向偏置的条件下，集电极与发射极之间的反向漏电流称为穿透电流，用I_CEO表示。I_CEO受温度影响很大，当温度上升时，I_CEO增加得很快。选用三极管时，I_CEO应尽可能小些。
    (3)集电极最大允许电流ICM
    集电极电流I_C超过一定值时，三极管的卢值下降。对应的集电极电流，称为集电极最大允许电流ICM。
    (4)集电极最大允许耗散功率P_CM
    集电极电流通过集电结时，产生的功率损耗使集电结温度升高，当结温超过一定数值后，将导致三极管性能变坏，甚至烧毁。为使三极管的结温不超过允许值，规定了集电极最大允许耗散功率P_CM。P_CM与I_C和U_CE的关系为  
                                      P_CM=I_CU_CE

根据上式，可在输出特性曲线上做出一条P_CM曲线，如图2-29所示。曲线右侧区域为过损耗区，曲线左侧的区域为安全工作区。
    (5)反向击穿电压U_(BR)CEO
    基极开路时，集电极与发射极之间的最大允许电压称为反向击穿电压U_(BR)CEO实际值超过此值将会导致三极管的击穿而损坏。
    三极管还有其他参数，使用时，可根据需要查阅器件手册。