NLAS4684超低电阻双SPDT模拟开关
发布时间:2011/7/20 12:00:07 访问次数:1119
NLAS4684超低电阻双SPDT模拟开关电路的基本特性:
NLAS4684是一个用亚微米硅门CMOS技术制造的先进CMOS模拟开关。此器件是一个独立的单刀双掷(SPDT)开关,超低0.5ΩRon。用于常闭合开关,在2.7V时,0.8Ω用于常开开关。
1) 超低Ron,在2.7V时<0.5Ω;
2) 在Vcc为2.7—3.3V时,具有1.8V控制的阈值可调功能;
3) 单电源电压范围为1.8—5.5V;
4) 低串扰,在lOOkHz时<83dB;
5) 全O~ Vcc信号处理能力;
6) 高隔离,在lOOkHz时为-65dB;
7) 低待机电流<50nA;
8) 低失真<0.14%THD;
9) RON平直度为0.15Ω;
10)引脚替代MAX4684;
11)通过每个开关的高持续电流为±300mA;
12)在模拟输入时大电流通过二极管,持续电流为±300mA;
13)无铅封装可用。
NLAS4684超低电阻双SPDT模拟开关电路的基本特性:
NLAS4684是一个用亚微米硅门CMOS技术制造的先进CMOS模拟开关。此器件是一个独立的单刀双掷(SPDT)开关,超低0.5ΩRon。用于常闭合开关,在2.7V时,0.8Ω用于常开开关。
1) 超低Ron,在2.7V时<0.5Ω;
2) 在Vcc为2.7—3.3V时,具有1.8V控制的阈值可调功能;
3) 单电源电压范围为1.8—5.5V;
4) 低串扰,在lOOkHz时<83dB;
5) 全O~ Vcc信号处理能力;
6) 高隔离,在lOOkHz时为-65dB;
7) 低待机电流<50nA;
8) 低失真<0.14%THD;
9) RON平直度为0.15Ω;
10)引脚替代MAX4684;
11)通过每个开关的高持续电流为±300mA;
12)在模拟输入时大电流通过二极管,持续电流为±300mA;
13)无铅封装可用。