单异质结激光器可以分为同型异质结（n－n或p－p）和异型异质结（n－p或p-n），图说明了能带结构情况。

　　图 单异质结激光器能带结构示意图

　　以n－n同型单异质结激光器能带为例，当两种半导体材料紧密接触时形成异质结时，由于禁带宽度大的n型半导体的费米能级比禁带宽度小的高，所以电子将从前者向后者流动。结果在禁带宽度小的n型半导体一边形成了电子的积累层，而另外—边形成了耗尽层。由此形成了值为le，的势垒层。在一定电流注入下，有源层积累的非平衡载流子浓度将增加。单异质结激光器的阈值电流密度比同质结低一个数量级，并实现了在室温下断续工作，因而得到了一些实际应用。

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