am29f010引脚的分组如图所示。am29f040只是地址总线增加到18根，没有nc引脚，其他方面与am29f010完全相同。闪速存储器的操作与地址、数据、ce、oe、we的组合如表所示。

图 am29f01o的引脚分组

表 am29f010a的操作模式

　　1. vcc／vss

　　这是电源引脚。因为am29f010和am29f040都是＋5v单一电源工作的flashrom，因此，给vcc加上＋5v电压，vss作为标准电位为0v。

　　2. a0～a16（地址）

　　a0～a16是地址引脚。虽然am29f010是容量为1m位的闪速存储器，但由于是以dq0～dq7的8位为单位进行数据输入输出，因此地址就是1m位÷8位＝128k，具有17根地址线。

　　3. dq0～dq7（数据）

　　这是与外部进行数据传输的引脚。因为am29f010通常是以8位为单位进行输人输出的，所以数据通常是以8位为单位进行读取与写人的。

　　4. ce（芯片使能）

　　这是器件的选择信号。只有该引脚为低电平时，下面所描述的de及we信号才有效。当与cpu等连接时，对cpu的高位地址进行解码，然后输人到该引脚。

　　当存在多个器件时，通常是ce以外的引脚全部并联，由ce引脚确定访问那个器件。

　　5. oe（输出使能）

　　只有在上面所说明的ce引脚为低电平时oe才有效。从flash rom读出数据时，如果oe与ge都为低电平，则一定时间后dq0～dq7引脚上将出现数据。因为没有表示收集有效数据的信号，所以在外围电路中，根据数据手册中的值，预测数据已被确定的时间，然后读出出现在dq0～dq7中的数据。

　　6. we（写使能）

　　该引脚只是在先前说明的ce引脚为低电平时才有效。在赋予闪速存储器指令及写人数据等时，该信号与ce引脚一起同为低电平。

　　事实上数据是在ce及we信号的上升沿（由低电平上升为高电平的时候）被提取到芯片内部的。

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