UV-EPROM的数据读（Data Read）操作
发布时间:2008/11/18 0:00:00 访问次数:721
这是读取rom内容的操作。一旦ce有效（低电平），则芯片处于使能（选择）状态，通过使oe有效，向外部输出rom内容的输出缓冲器将处于使能状态。利用17根地址总线（a0～a16），在128kb中指定所希望读出的那个比特位。
如果在这种状态下等待数据的读出，则dq0～dq7中将出现数据，外部电路的cpu将提取这些数据进行操作。因为并没有利用pgm及vpp端口，所以无论是高电平还是低电平都无关紧要。关于读操作的细节我们将在后面进行叙述。
欢迎转载，信息来源维库电子市场网（www.dzsc.com）
这是读取rom内容的操作。一旦ce有效（低电平），则芯片处于使能（选择）状态，通过使oe有效，向外部输出rom内容的输出缓冲器将处于使能状态。利用17根地址总线（a0～a16），在128kb中指定所希望读出的那个比特位。
如果在这种状态下等待数据的读出，则dq0～dq7中将出现数据，外部电路的cpu将提取这些数据进行操作。因为并没有利用pgm及vpp端口，所以无论是高电平还是低电平都无关紧要。关于读操作的细节我们将在后面进行叙述。
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