国际整流器公司 (international rectifier，简称ir) 宣布推出具有基准低通态电阻 (rds (on)) 的沟道型hexfet功率mosfet系列。这些采用to-247封装的mosfet适用于同步整流、动态oring及包括高功率dc马达、dc-ac转换器及电动工具等工业应用。

　　新mosfet的通态电阻 (rds (on)) 能效比同类产品高出达50%，无需工业应用中通常使用的大型及昂贵封装，有助于节省总系统成本。此外，低rds (on) 可降低导通损耗，并提升系统效率。

　　ir亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“这个系列的卓越rds (on) 额定值，可让设计人员避免使用大电流工业应用中，往往因散热需要的大而昂贵的isotop或小型bloc封装，使系统成本降低50%。”

　　全新n沟道mosfet系列可提供40v至200v电压，也符合工业级及msl1要求。新mosfet均不含铅并符合电子产品有害物质限制 (rohs) 指令。

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