图1表示晶体管的开关电路。下面使用高耐压的开关晶体管zsc2534(vceo＝500v icqmax=2a)，负载电阻rl＝51ω时的1a电流进行开关动作。基极电阻rb为100ω，为使晶体管充分饱和动作，基极电流ib应为50ma(用电流探头测定，变化脉冲电压合成)。

　　图1 晶体管的开关特性测定电路

　　图2 的上侧ch1是输出电压波形。当晶体管on时，集电极电压vce下降。下侧ch2是观测的基极电流波形(50ma)，但基极电流ib＝0a时也不能立刻off，约1.2μs后off。这样的状态作为高速开关电路是存在问题的。

　　图2 zsc2534的开关特性

　　要使晶体管的开关更高速的动作，一般在基极电阻rb上并联连接电容cs(称为加速电容器)。

　　图3是cs＝0.01μf(实验的最佳值)时的开关波形。通过加上toff由1.2μs缩短为0.4μs，从0.6μs改善为0.1μs，从0.64μs改善为0.2μs。观察此时的基极电流ib的波形可知on/off时会发生过驱动，这是因为为改善细，将晶体管内的储蓄电荷以逆电流形式引人的原因所致。还有，如果cs的值过大，相反的toff会变长。

　　图3 sc2534的开关特性

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