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电流传播速度和电子漂移速度的区别

发布时间:2008/8/30 0:00:00 访问次数:914

  电流的产生是由于场强的建立拉动电子形成,场强的建立是非常快的等于光速,所以电流也是光速。

  本质上说,金属导体中的电流是由金属中的自由电子定向移动所产生的,电子定向移动的速度由以下的方法简单算出:

  设一段金属导体的横截面积为s,自由电子密度(单位体积内自由电子数目)为n,自由电子定向移动速率为v,那么在时间t内通过导体某一横截面积的自由电子数目就是nsvt,如果电子电量为e,那么在t时间内通过横截面积的电量q=nsvte.由电流强度的公式i=q/t可以得出:i=q/t=nsvte/t=nsve.即:自由电子移动的速度v=i/(nes).

  上面的计算可以得到,自由电子定向移动的速率和电流强度成正比,和金属导体的横截面积于导体的电子密度(由导体本身性质决定)的乘积成反比.也就是说,电流越大,自由电子的速度就越大.而横截面积越大,电子速度就越小.

  电流增加十倍,如果导体中电子数量是固定的,公式中n为常量这个说法是正确的,但是有时要考虑到其它因素,例如温度等造成的本征激发(半导体),n就会变化,电流与电子移动速度就不一定是倍速关系。

  总结我认为横截面均匀的金属导体这个说法是应该是正确的。

  欢迎转载,信息来自维库电子市场网(www.dzsc.com



  电流的产生是由于场强的建立拉动电子形成,场强的建立是非常快的等于光速,所以电流也是光速。

  本质上说,金属导体中的电流是由金属中的自由电子定向移动所产生的,电子定向移动的速度由以下的方法简单算出:

  设一段金属导体的横截面积为s,自由电子密度(单位体积内自由电子数目)为n,自由电子定向移动速率为v,那么在时间t内通过导体某一横截面积的自由电子数目就是nsvt,如果电子电量为e,那么在t时间内通过横截面积的电量q=nsvte.由电流强度的公式i=q/t可以得出:i=q/t=nsvte/t=nsve.即:自由电子移动的速度v=i/(nes).

  上面的计算可以得到,自由电子定向移动的速率和电流强度成正比,和金属导体的横截面积于导体的电子密度(由导体本身性质决定)的乘积成反比.也就是说,电流越大,自由电子的速度就越大.而横截面积越大,电子速度就越小.

  电流增加十倍,如果导体中电子数量是固定的,公式中n为常量这个说法是正确的,但是有时要考虑到其它因素,例如温度等造成的本征激发(半导体),n就会变化,电流与电子移动速度就不一定是倍速关系。

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