新一代的微处理器要求更大电流,电源管理应用要求更低的导通电阻r_ds(on)及更小的占用面积,这些都促使mosfet制造商开发新的封装技术。再过二年,微处理器所需的电流预计要增加一倍,而电压将继续下降。微处理器生产商将继续从事更精细的工艺技术的开发,以提高其密度及速度。

　　要满足这些挑战,就必须开发新的功率器件技术,特别是便携式装置中的空间与功率受限制的环境,例如笔记本电脑。这些要求采用常规的线连接封装是不可能达到的。

　　这些问题能采用基本的带焊球晶片技术（bumped-wafer technology）来解决,这些基本的带焊球晶片技术在30年前由ibm公司首先用于ic,而现在首次作为对各种功率转换及电源管理问题的解决方案。通过使用晶片上凸起焊球来替代传统的连接线连接,mosfet生产商大大减小了导通电阻,与此同时增加了硅管芯面积与封装面积的比值。

　　带焊球晶片技术提供了不同的封装,这包括mosfet的bga,无引脚的so-8及快捷公司的无底的so-8封装。每一种封装都有各自的特性及优点以满足各自的市场需求。

增加电流密度

　　个人电脑及笔记本电脑的cpu采用同步降压式变换器供电（见图1）,把交流转换成直流低电压输出（在1.25v到2.5v之间）,从而满足今天运行cpu的需要。需要的电流不同的cpu有所不同,新设计的笔记本电脑从10a到22a,新一代高性能服务器及工作站则可达60a。

　　 更大的电流通过使用多相位结构来控制,它复制图1中的电路n次,并将pwm脉冲分别同相到高端mosfet n/360。设计者一般将每一相位电流限制到15a。在pc主板中v_in通常为12v,而在笔记本电脑中v_in为18v。

　　因为更多的相位意味有更多的mosfet,而印制板的空间又总是有限的,因此多相位设计要求更小的封装和更低的r_ds(on),以及良好的导热性能。低端mosfet大多数情况下用在笔记本电脑及12v台式变换器中。在15a电流时,r_ds(on)每增加1mω,低端mosfet将增加225mw的损耗。对传统的so-8封装,每增加1mω,管芯温度将增加14℃。

降低封装电阻

　　传统的封装使用铝或金线焊接到晶片及引脚上。管芯的面积及引线框架上的连结面积都限制了平行的连接线的数量,从而导致线连接封装有相当高的电阻。新的封装技术使用晶片上凸出的焊球把晶片连接到铜引脚框架上或者直接连接到印制板上,消除了连接线,有效地降低了封装电阻（见表1）。