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英飞凌推出全新最低通态电阻OptiMOS 3系列MOSFET

发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:324

  英飞凌科技股份公司(infineon)近日在中国国际电源展览会上宣布推出采用superso8和s308(shrink superso8)封装的40v、60v和80v optimos 3 n沟道mosfet,在这些击穿电压下可提供无铅封装形式下的全球最低通态电阻。superso8封装与标准to(晶体管外形)封装相比,可使功率密度增大50%,特别是对于服务器开关模式电源的同步整流应用而言。举例来说,这种采用superso8封装的器件可以只用20%的占位空间提供与d2-pak封装相同的通态电阻。

  “该无铅结构封装具备较低的封装寄生电阻和电感,最大程度降低了对整个器件性能的影响,便于充分利用optimos 3硅技术功能。”英飞凌电源管理与驱动产品事业部负责人gerhard wolf指出。

  全新optimos 3系列可提供出类拔萃的通态电阻,optimos 3 40v系列采用superso8封装具备最低1.8 mw的通态电阻,optimos 3 60v采用superso8封装具备最低2.8 mw的通态电阻,optimos 3 80v采用superso8封装具备最低4.7 mw的通态电阻,与最接近的竞争性产品相比,通态电阻降幅高达50%,为业界树立了新标杆。这些器件的fom(品质系数,以通态电阻乘以栅极电荷得出)与采用标准to封装的同类产品相比高出25%,能够更快速实现开关,同时最大程度降低开关损耗和栅极驱动损耗,提高功率密度,降低驱动器散热量。superso8封装寄生电感不到0.5nh,比to-220封装的5-10nh电感低很多,这进一步提升了器件整体效率,最大程度上减少在开关条件下的振荡现象。superso8封装高度为1mm,rth-jt (结至顶端的热阻)低于16°k/w,适用于嵌入式系统顶部冷却解决方案或立式安装在3d集成系统里的pcb模块。

  optimos 3 40v、60v和80v产品适用于需要高效率和功率密度的功率转换和管理应用,包括众多产品的smps(开关模式电源)、dc/dc转换器和直流电机驱动器等。这些产品包括计算机、家用电器、小型电动车、工业自动化系统、电信设备和电动工具、电动剪草机和风扇等消费类电子设备。

  采用superso8封装的optimos 3可满足多种应用中的快速开关smps和dc/dc转换器的需求,譬如ac/dc smps中的同步整流器、隔离式dc/dc转换器的主侧开关和次侧开关和非隔离(降压)工业转换器,对于这些应用而言,空间、功率密度和最大效率都是关键要素。该系列具备至pcb的1°k/w热阻、顶部和双侧冷却功能以及100a持续电流额定值,新的optimos 3 mosfet系列为40v至80v低电阻mosfet树立了新标杆。该系列还包括业界首款采用s3o8封装的60v和80v击穿电压mosfet,其占位空间与标准so8或superso8器件相比减少60%。

  60v和80v superso8器件与采用to封装的解决方案相比可使服务器smps的效率提高0.5%,或与标准解决方案相比,在通态电阻额定值提高20%的条件下,可获得相同的效率。

供货与定价

  全新optimos 3 40v、60v与80v功率mosfet系列采用superso8和s3o8封装,具有不同的通态电阻额定值。optimos 3 60v系列现已开始批量生产,40v 和 80v器件目前只提供样品。

  在订购量达到万件时,采用superso8封装且通态电阻为2.8 mw的optimos 3 60v单价不超过0.99美元(0.64欧元),采用superso8封装且通态电阻为4.7 mw的optimos 3 80v单价约为1.1美元(0.70欧元)。在同样订购量下,采用s308封装的6.7 mw optimos 3 60v的单价为0.6美元(0.38欧元),而采用封装的12.3 mw opti-mos 3 80v的单价为0.66美元(0.42欧元)。



  英飞凌科技股份公司(infineon)近日在中国国际电源展览会上宣布推出采用superso8和s308(shrink superso8)封装的40v、60v和80v optimos 3 n沟道mosfet,在这些击穿电压下可提供无铅封装形式下的全球最低通态电阻。superso8封装与标准to(晶体管外形)封装相比,可使功率密度增大50%,特别是对于服务器开关模式电源的同步整流应用而言。举例来说,这种采用superso8封装的器件可以只用20%的占位空间提供与d2-pak封装相同的通态电阻。

  “该无铅结构封装具备较低的封装寄生电阻和电感,最大程度降低了对整个器件性能的影响,便于充分利用optimos 3硅技术功能。”英飞凌电源管理与驱动产品事业部负责人gerhard wolf指出。

  全新optimos 3系列可提供出类拔萃的通态电阻,optimos 3 40v系列采用superso8封装具备最低1.8 mw的通态电阻,optimos 3 60v采用superso8封装具备最低2.8 mw的通态电阻,optimos 3 80v采用superso8封装具备最低4.7 mw的通态电阻,与最接近的竞争性产品相比,通态电阻降幅高达50%,为业界树立了新标杆。这些器件的fom(品质系数,以通态电阻乘以栅极电荷得出)与采用标准to封装的同类产品相比高出25%,能够更快速实现开关,同时最大程度降低开关损耗和栅极驱动损耗,提高功率密度,降低驱动器散热量。superso8封装寄生电感不到0.5nh,比to-220封装的5-10nh电感低很多,这进一步提升了器件整体效率,最大程度上减少在开关条件下的振荡现象。superso8封装高度为1mm,rth-jt (结至顶端的热阻)低于16°k/w,适用于嵌入式系统顶部冷却解决方案或立式安装在3d集成系统里的pcb模块。

  optimos 3 40v、60v和80v产品适用于需要高效率和功率密度的功率转换和管理应用,包括众多产品的smps(开关模式电源)、dc/dc转换器和直流电机驱动器等。这些产品包括计算机、家用电器、小型电动车、工业自动化系统、电信设备和电动工具、电动剪草机和风扇等消费类电子设备。

  采用superso8封装的optimos 3可满足多种应用中的快速开关smps和dc/dc转换器的需求,譬如ac/dc smps中的同步整流器、隔离式dc/dc转换器的主侧开关和次侧开关和非隔离(降压)工业转换器,对于这些应用而言,空间、功率密度和最大效率都是关键要素。该系列具备至pcb的1°k/w热阻、顶部和双侧冷却功能以及100a持续电流额定值,新的optimos 3 mosfet系列为40v至80v低电阻mosfet树立了新标杆。该系列还包括业界首款采用s3o8封装的60v和80v击穿电压mosfet,其占位空间与标准so8或superso8器件相比减少60%。

  60v和80v superso8器件与采用to封装的解决方案相比可使服务器smps的效率提高0.5%,或与标准解决方案相比,在通态电阻额定值提高20%的条件下,可获得相同的效率。

供货与定价

  全新optimos 3 40v、60v与80v功率mosfet系列采用superso8和s3o8封装,具有不同的通态电阻额定值。optimos 3 60v系列现已开始批量生产,40v 和 80v器件目前只提供样品。

  在订购量达到万件时,采用superso8封装且通态电阻为2.8 mw的optimos 3 60v单价不超过0.99美元(0.64欧元),采用superso8封装且通态电阻为4.7 mw的optimos 3 80v单价约为1.1美元(0.70欧元)。在同样订购量下,采用s308封装的6.7 mw optimos 3 60v的单价为0.6美元(0.38欧元),而采用封装的12.3 mw opti-mos 3 80v的单价为0.66美元(0.42欧元)。



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