键合应力的基本模型
发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:407
抛光硅片的表面或热氧化硅片的表面并不是理想的镜面，至少在微观尺寸总是有一定的起伏和表面粗糙度。硅片的表面的起伏没有规则，为了便于研究硅片表面形貌对键合应力的影响，对硅片的表面形貌给出一种规则模型近似。图3.21给出了一个用于计算局部应力的键合硅片表面几何模型示意图，模型假设：（1）硅片的表面型貌可以近似为正弦函数，并且峰和谷都可以用球型的几何形状近似，因此可以运用弹性球变形理论；（2）峰和谷相互对准，因此可以求出界面的最大应力；（3）两个硅片材料和厚度相同。在硅片的峰点键合应力达到最大[17，18 ]。
图3.21 用于计算局部应力的键合表面几何模型示意
抛光硅片的表面或热氧化硅片的表面并不是理想的镜面，至少在微观尺寸总是有一定的起伏和表面粗糙度。硅片的表面的起伏没有规则，为了便于研究硅片表面形貌对键合应力的影响，对硅片的表面形貌给出一种规则模型近似。图3.21给出了一个用于计算局部应力的键合硅片表面几何模型示意图，模型假设：（1）硅片的表面型貌可以近似为正弦函数，并且峰和谷都可以用球型的几何形状近似，因此可以运用弹性球变形理论；（2）峰和谷相互对准，因此可以求出界面的最大应力；（3）两个硅片材料和厚度相同。在硅片的峰点键合应力达到最大[17，18 ]。
图3.21 用于计算局部应力的键合表面几何模型示意
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