位置:51电子网 » 技术资料 » 其它综合

退火

发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:605

退火:也叫热处理,集成电路工艺中所有的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过程都可以称为退火。根据注入的杂质数量不同,退火温度一般在450~950℃之间。
激活杂质:使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置,以便具有电活性,产生自由载流子,起到激活杂质的作用
消除损伤
退火方式:
炉退火,可能产生横向扩散!
快速退火:脉冲激光法、扫描电子束、连续波激光、非相干宽带频光源(如卤光灯、电弧灯、石墨加热器、红外设备等)
1.2.4 制膜 (制作各种材料的薄膜)
氧化:制备sio2层
sio2的性质及其作用
sio2是一种十分理想的电绝缘材料,它的化学性质非常稳定,室温下它只与氢氟酸发生化学反应


退火:也叫热处理,集成电路工艺中所有的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过程都可以称为退火。根据注入的杂质数量不同,退火温度一般在450~950℃之间。
激活杂质:使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置,以便具有电活性,产生自由载流子,起到激活杂质的作用
消除损伤
退火方式:
炉退火,可能产生横向扩散!
快速退火:脉冲激光法、扫描电子束、连续波激光、非相干宽带频光源(如卤光灯、电弧灯、石墨加热器、红外设备等)
1.2.4 制膜 (制作各种材料的薄膜)
氧化:制备sio2层
sio2的性质及其作用
sio2是一种十分理想的电绝缘材料,它的化学性质非常稳定,室温下它只与氢氟酸发生化学反应


相关IC型号

热门点击

 

推荐技术资料

罗盘误差及补偿
    造成罗盘误差的主要因素有传感器误差、其他磁材料干扰等。... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13692101218  13751165337
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!